日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1527 Silicon Laboratories 日前宣布其被廣泛采用的Si24xx ISOmodem系列推出新產(chǎn)品，為各種數(shù)據(jù)調(diào)制解調(diào)器應(yīng)用提供先進(jìn)的語音功能、更低的功耗、更少的BOM成本和更靈活的接口選擇。
2011-08-08 09:05:471392 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列卡扣式功率鋁電容器---193 PUR-SI Solar
2012-11-05 10:00:40730 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:111791 — 202 2 年 8 月 15 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出Vishay BCcomponents 193 PUR-SI
2022-08-16 10:57:15737 
SI8424DB - N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI8424DB-T1-E1 - N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI8802DB-T2-E1 - N-Channel 8 V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI9182DB - Si9181DB/Si9182DB Demonstration Board - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
：Vishay Semiconductors正向跨導(dǎo) - 最小值：5 S下降時(shí)間：7 ns產(chǎn)品類型：MOSFET上升時(shí)間：10 ns工廠包裝數(shù)量：3000子類別：MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間：10 ns典型接通延遲時(shí)間：4 ns零件號(hào)別名：SI2308BDS-GE3單位重量：8 mg
2020-09-24 14:33:55
：Vishay Semiconductors正向跨導(dǎo) - 最小值：5 S下降時(shí)間：7 ns產(chǎn)品類型：MOSFET上升時(shí)間：10 ns工廠包裝數(shù)量：3000子類別：MOSFETs典型關(guān)閉延遲時(shí)間：10 ns典型接通延遲時(shí)間：4 ns零件號(hào)別名：SI2308BDS-GE3單位重量：8 mg
2020-09-17 15:25:07
SI24R2F+與R2E是完全pin對pin替代的，在功率上上調(diào)到12dbm，距離可達(dá)600-700米；4通道，不同信道可以發(fā)不同信息；開放2個(gè)IO口，滿足了2個(gè)按鍵功能；溫度報(bào)警，指定溫度值，超出
2023-02-02 14:14:04
2.4G產(chǎn)品在向市場推出新款RFID芯片，滿足客戶的同時(shí)對客戶產(chǎn)品提出Costdown以及升級(jí)方案。針對電動(dòng)車防盜車、校園卡的SI24R2E單發(fā)內(nèi)置MCU，出了一款針對冷鏈產(chǎn)品SI24R2F，性能上大大
2020-01-10 13:48:24
產(chǎn)品在向市場推出新款RFID芯片，滿足客戶的同時(shí)對客戶產(chǎn)品提出Costdown以及升級(jí)方案。針對電動(dòng)車防盜車、校園卡推出一款SI24R2F，是可兼容之前的SI24R2E，性能上大大的提升。內(nèi)置64次
2020-04-14 11:43:20
專注于超低功耗無線射頻收發(fā)IOT解決方案芯片結(jié)合中科微2.4G產(chǎn)品在向市場推出新款RFID芯片，滿足客戶的同時(shí)對客戶產(chǎn)品提出Costdown以及升級(jí)方案。針對電動(dòng)車防盜車、校園卡推出一款SI
2019-12-19 16:30:26
于超低功耗無線射頻收發(fā)IOT解決方案芯片結(jié)合中科微2.4G產(chǎn)品在向市場推出新款RFID芯片，滿足客戶的同時(shí)對客戶產(chǎn)品提出Costdown以及升級(jí)方案。針對電動(dòng)車防盜車、校園卡推出一款SI
2020-10-08 14:42:22
鎖相環(huán)（PLL），調(diào)制模式：FSK(移頻鍵控)，支持OOK(通斷鍵控調(diào)制)傳輸速率：最高可達(dá)256kbps發(fā)射功率：1至8db接收型芯片靈敏度： -104 dBm至-110 dBm極低的待機(jī)
2011-12-07 16:30:46
這款模塊（或者說芯片Si4438無線模塊是Silicon labs公司專門針對中國市場推出的一款無線收發(fā)神器。其工作頻段是425MHz到525MHz。這款芯片的技術(shù)參數(shù)如下：參數(shù)名稱 SI
2017-05-27 13:57:30
SI9114采用MOSFET電路圖
2019-05-20 09:24:31
SI9241 是一款單發(fā)芯片，提供在汽車雙向串行通訊，診斷應(yīng)用程序，集成了過壓保護(hù)和短路到v。型號(hào)：SI9241AEY-T1-E3品牌：VISHAY封裝：SOIC-8年份：新年份
2020-07-03 09:23:48
SI9241 是一款單發(fā)芯片，提供在汽車雙向串行通訊，診斷應(yīng)用程序，集成了過壓保護(hù)和短路到v。型號(hào)：SI9241AEY-T1-E3品牌：vishay封裝：SOIC-8年份：新年份
2020-12-19 12:09:22
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
?Si24R2F+是針對IOT應(yīng)用領(lǐng)域推出的新款超低功耗2.4G內(nèi)置NVM單發(fā)射芯片。廣泛應(yīng)用于2.4G有源活體動(dòng)物耳標(biāo)，帶實(shí)時(shí)測溫+計(jì)步功能。相較于Si24R2E，Si24R2F+增加了溫度監(jiān)控
2023-09-05 14:48:00
用于Si8751隔離式MOSFET驅(qū)動(dòng)器的Si8751-EVB，Si875x評(píng)估套件是驅(qū)動(dòng)各種應(yīng)用中使用的功率開關(guān)的理想選擇，與普通SSR相比，具有更長的使用壽命和更高的可靠性。 Si8751隔離式
2020-06-08 12:07:42
的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。在這里，分以下二個(gè)方面進(jìn)行闡述：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-28 14:34:33
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
Si9241AEY是一個(gè)單片總線收發(fā)器提供汽車雙向串行通信診斷應(yīng)用程序。該裝置具有過電壓保護(hù)和VBAT短路。收發(fā)信管腳受到保護(hù)可以驅(qū)動(dòng)超過VBAT電壓。Si9241AEY建立在Vishay
2020-07-25 14:28:42
從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等
2018-11-30 11:34:24
你好，我的Dev面臨問題。板（ZCU102）。當(dāng)我嘗試用12VDC電源供電時(shí)，電源進(jìn)入CC模式，電壓下降到~5.5VDC，電流約為5.2A。我試圖在電路中調(diào)試它，發(fā)現(xiàn)功率MOSFET
2019-05-05 06:58:16
安國半導(dǎo)體主要是在u***主控 sd卡這方面處于領(lǐng)先地位，現(xiàn)在為擴(kuò)大經(jīng)營范圍 特推出新款觸摸按鍵 價(jià)格比義隆合泰都更有優(yōu)勢 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以過要是感興趣的話可以 聯(lián)系***
2013-10-08 15:48:39
自2011年，中科微推出的第一顆2.4G收發(fā)一體芯片SI24R1，到后續(xù)單發(fā)的SI24R2，以及2.4G內(nèi)置MCU的SI24R2E，還有近年來最新推出的大功率的2.4G單發(fā)芯片SI24R2F，SI
2019-12-13 16:19:46
科技有限公司專注于超低功耗無線射頻收發(fā)IOT解決方案芯片結(jié)合中科微2.4G產(chǎn)品在向市場推出新款RFID芯片，滿足客戶的同時(shí)對客戶產(chǎn)品提出Costdown以及升級(jí)方案。針對電動(dòng)車防盜車、校園卡推出一款
2020-07-10 10:07:37
深圳云佳科技 最新推出SI4432模塊本模塊SI4432數(shù)傳模塊設(shè)計(jì)工作頻率為470MHZ,在射頻部分，本司做了大量的優(yōu)化匹配調(diào)試，使得發(fā)射效率達(dá)到最高，諧波最小，使得SI4432無線模塊對外界設(shè)備
2012-02-18 09:38:37
``VISHAY生產(chǎn)Si7658ADP，3000pcs/盤，Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8，60K原裝現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢。聯(lián)系QQ：864968599``
2014-04-02 16:25:18
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
Si2312/Si2312DS pdf datasheet (N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
2008-12-27 00:15:45
7 Si8499DB pdf,datasheet
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
APPLICATIONS• Low On-Resistance Load
2010-04-29 12:10:3111 Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向?qū)б齌O-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產(chǎn)品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產(chǎn)品反向
2010-09-05 10:26:5964 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。
Si8422DB 針對手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 場效應(yīng)管SI2301BDS場效應(yīng)管SI2301BDS 是Vishay Siliconix 的產(chǎn)品，它是一只P 溝道、150mW、0.8V（G-S）MOSFET 器件。MOSFET 的中文全稱是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管”
2009-04-25 09:05:385579 
SI9114采用MOSFET電路圖
2009-05-12 14:33:00650 
Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器136D
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對于高可靠性應(yīng)用，136D器件
2009-11-06 08:38:41918 Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28744 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 Vishay推出新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保護(hù)USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號(hào)的損害
2010-03-23 11:53:11987 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54676 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351550 采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49898 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 Silicon Laboratories (芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司)日前推出Si824x隔離門極驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品，其主要針對高功率D類音頻系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，輸出功率可達(dá)30W~1000W。新推出的Si824x
2010-11-10 09:20:541010 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)
2011-06-16 09:35:042537 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512，這種電阻具有高達(dá)3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:061082 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Mouser Electronics開始供應(yīng)Vishay Siliconix第一款採用業(yè)界最小的晶片級(jí)封裝，并將導(dǎo)通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 2013 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆
2013-10-10 15:08:061138 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎(jiǎng)之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)。
2013-12-20 09:10:031307 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)PowerPAK? SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道
2014-04-29 16:30:44885 賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布有助于在智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備和高端筆記本電腦中減少功耗并延長電池使用時(shí)間的新款功率MOSFET---Si8457DB。
2014-10-21 14:18:221100 
PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列小型卡扣式功率鋁電容器---256 PMG-SI，在只有20mm x 25mm的外形尺寸
2015-04-27 14:01:25953 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 關(guān)鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用
2019-01-01 16:29:01380 目前全國有很多電動(dòng)車因充電時(shí)電池溫度過高，而導(dǎo)致爆炸引起火災(zāi)的情況。作為國內(nèi)RFID行業(yè)的推動(dòng)者，動(dòng)能世紀(jì)聯(lián)合中科微向IOT應(yīng)用領(lǐng)域推出新款大功率2.4G射頻芯片，并針對電動(dòng)車防盜、電動(dòng)車充電樁市場
2020-04-16 17:17:232312 
目前全國有很多電動(dòng)車因充電時(shí)電池溫度過高，而導(dǎo)致爆炸引起火災(zāi)的情況。作為國內(nèi)RFID行業(yè)的推動(dòng)者，動(dòng)能世紀(jì)聯(lián)合中科微向IOT應(yīng)用領(lǐng)域推出新款大功率2.4G射頻芯片，并針對電動(dòng)車防盜、電動(dòng)車充電樁市場
2020-04-16 17:15:231235 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211274 
SI4432.SI4463.SI4438和LORA方案對比
2021-05-08 10:27:5932 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強(qiáng)型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 Vishay 推出 Vishay BCcomponents193 PUR-SI Solar新系列卡扣式功率鋁電容器，額定電壓和類別電壓分別提升至 570V 和 475V。 器件面向太陽能
2022-08-19 09:32:27720 從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20644 
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動(dòng)與Si-MOSFET的比較中應(yīng)該注意的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。
2023-02-23 11:27:57736 
高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
2023-11-24 14:57:39195 
Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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