的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機驅(qū)動開關(guān)和并網(wǎng)逆變器等應用。目前世強已獲授權(quán)代理SiC系列產(chǎn)品。
2015-10-14 09:52:22
1925 在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:505045 在很寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯(lián)
2023-01-07 10:24:371062 為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列，為電動汽車快速充電和太陽能市場提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
2021-01-14 15:23:001319 電壓的自適應，從而取得優(yōu)異的線型調(diào)整率和負 載調(diào)整率。 SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A內(nèi)部集成了500V功率MOSFET，無需次級反饋電路，也無需補 償電路，加之精準
2016-06-16 20:42:44
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。SiC-MOSFET應用實例1：移相DC/DC轉(zhuǎn)換器下面是演示機，是與功率Power Assist Technology Ltd.聯(lián)合制
2018-11-27 16:38:39
。這些設(shè)計平臺目 前針對戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器 的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準。設(shè)計平臺類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動的“其1”介紹柵極驅(qū)動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動的評估事項：柵極誤導通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
工作等SiC的特征所帶來的優(yōu)勢。通過與Si的比較來進行介紹。”低阻值”可以單純解釋為減少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應對大功率時，有時會使用將多個晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
：快充和換電。換電是蔚來汽車主推的，而大多數(shù)車企主導的是快充方式?？斐浞譃榇箅娏骱透唠妷簝煞N。目前，電動汽車快充主流產(chǎn)品，即傳統(tǒng)硅基IGBT功率器件，正在逼近材料特性極限，而下一代半導體材料SiC
2022-12-27 15:05:47
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高
2019-08-12 06:59:10
%?！ D 1：模塊和系統(tǒng)電感及其對 MOSFET 關(guān)斷期間瞬態(tài)過電壓的影響 在40kHz以上，SiC MOSFET可能是最佳選擇，但給功率模塊和系統(tǒng)設(shè)計帶來了挑戰(zhàn)。快速開關(guān)會產(chǎn)生陡峭的電流斜率和高di
2023-02-20 16:29:54
與Si的比較開發(fā)背景SiC的優(yōu)點SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開關(guān)損耗運用要點SiC是在熱、化學
2018-11-29 14:39:47
半導體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
本帖最后由 jxncguanlian 于 2012-10-30 16:52 編輯
【知名500強韓企】招聘【IT銷售】【java工程師】【AS400運維】總計3個職位，分別是【技術(shù)營業(yè)/售前
2012-10-24 13:18:07
項目名稱：全SiC MMC實驗平臺設(shè)計——功率子模塊驅(qū)動選型試用計劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學習和開發(fā)經(jīng)驗，曾設(shè)計過基于半橋級聯(lián)型拓撲的儲能系統(tǒng)，通過電力電子裝置實現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
基于1.2kV全SiC功率模塊的輕型輔助電源R.Nakagawa, Y.Fukuda,H.Takabayashi, T.Kobayashi, T.TanakaMitsubishi Electric
2017-05-10 11:32:57
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊提供全SiC功率模塊。ROHM在上個賽季（第
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
GeneSiC高速高壓SiC驅(qū)動大功率創(chuàng)新
2023-06-16 11:08:58
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
設(shè)計方面，SiC功率模塊被認為是關(guān)鍵使能技術(shù)?！ 榱颂岣?b class="flag-6" style="color: red">功率密度，通常的做法是設(shè)計更高開關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器?！ C/DC 轉(zhuǎn)換器和應用簡介 在許多應用中，較高的開關(guān)頻率會導致濾波器更小，電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
的高性價比功率芯片和模塊產(chǎn)品?！ 鹘y(tǒng)的平面型碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（Planar SiC MOSFET，例如垂直雙擴散金屬氧化物晶體管VDMOS）由于器件尺寸較大，影響了器件的特征導通電
2020-07-07 11:42:42
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來發(fā)展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
應用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-05-07 06:21:51
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
，LeapersSemiconductor使用其專利的電弧鍵合?技術(shù)（圖2）?！ ∨c許多汽車級功率半導體制造商使用的傳統(tǒng)鋁引線鍵合技術(shù)不同，電弧鍵合?專利芯片表面連接技術(shù)可確保滿足汽車應用要求的SiC模塊的可靠性，同時顯著降低寄生電阻
2023-02-20 16:26:24
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
求助誰知道怎么樣可以把超聲波測距模塊發(fā)出的聲波聚焦的啊
2020-04-14 05:55:27
個月的研發(fā)合作。本文將討論本專案中與車用電子的相關(guān)內(nèi)容，并聚焦在有關(guān)SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新。WInSiC4AP聯(lián)盟由來自4個歐盟國家（意大利、法國、德國和捷克共和國）的20個合作伙伴組成，包括大型企業(yè)
2019-06-27 04:20:26
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
羅姆開發(fā)了采用SiC功率元件的功率模塊，額定電壓和電流分別為600V和1000A。該產(chǎn)品是與美國Arkansas Power Electronics International公司共同開發(fā)的。之所以能承受1000A的大電流，是因為采用了溝
2011-10-12 09:48:461281 日本知名半導體制造商羅姆株式會社（總部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導體元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）構(gòu)
2012-03-23 08:52:571591 三菱電機株式會社定于7月31日開始，依次提供5個品種的SiC功率半導體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對應用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導體的需要。在這5種產(chǎn)品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718 全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:44737 日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導者半導體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標用途包括感應加熱設(shè)備、電機驅(qū)動器、太陽能和風能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。
2015-09-06 17:39:111336 1月31日，三菱電機株式會社宣布已成功開發(fā)出6.5kV耐壓等級全SiC功率半導體模塊，該模塊采用單芯片構(gòu)造和新封裝，實現(xiàn)了世界最高功率密度的額定輸出功率。
2018-02-03 11:52:448596 羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813799 
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導體是功率電子領(lǐng)域的市場領(lǐng)導者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 據(jù)外媒報道，比利時Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊（IPM），可用于電動出行。
2020-04-22 15:54:253711 SiC肖特基二極管已經(jīng)上市十多年了，近年來出現(xiàn)了SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFETs）和結(jié)型場效應晶體管（SiC JFETs）。SiC功率模塊也越來越多，包括混合SiC模塊
2020-11-13 14:11:431775 為實現(xiàn)低碳社會，電裝開始量產(chǎn)搭載了高品質(zhì)SiC（碳化硅）功率半導體的新一代升壓用功率模塊＊1。2020年12月9日在日本正式發(fā)售的豐田新一代“MIRAI”車型就搭載了該產(chǎn)品。 持續(xù)布局 深耕SiC
2020-12-21 16:20:263192 的 3 倍，而且在器件制造時可以在較寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:09
57 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
近幾十年來，以新發(fā)展起來的第 3 代寬禁帶功率半導體材料碳化硅（SiC）為基礎(chǔ)的功率半導體器件，憑借其優(yōu)異的性能備受人們關(guān)注。SiC與第1代半導體材料硅（Si）、鍺（Ge）和第 2 代半導體材料
2022-05-27 16:38:436 作為國內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機驅(qū)動控制器中的規(guī)?；瘧?。
2022-06-21 14:40:571216 CISSOID 最近發(fā)布了專為降低開關(guān)損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅 （SiC） MOSFET 智能功率模塊 （IPM） 產(chǎn)品系列。
2022-08-04 15:38:38740 
碳化硅半導體 (SiC) 在工業(yè)產(chǎn)品的效率、更高的外形尺寸和工作溫度方面提供了創(chuàng)新技術(shù)。SiC 技術(shù)現(xiàn)在被廣泛認為是硅的可靠替代品。許多功率模塊和功率逆變器制造商已在其產(chǎn)品路線圖中為 SiC 的使用奠定了基礎(chǔ)。包括 SiC 在內(nèi)的一些設(shè)計挑戰(zhàn)是 EMI、過壓和過熱。
2022-08-05 09:39:25621 
當前功率器件的研究已經(jīng)進入一個新高度，而SiC功率模塊就是其中的熱門研究方向。
2022-10-19 09:22:23899 SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備
2022-11-06 21:14:51956 在大電流應用中利用 SiC MOSFET 模塊
2023-01-03 14:40:29491 一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:22673 
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊提供全SiC功率模塊。
2023-02-10 09:41:02320 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
首先需要了解的是：接下來要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，該信息也非常有用。
2023-02-27 11:49:18220 
國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優(yōu)勢
2023-03-15 17:22:551018 
近日，賽晶首款車規(guī)級SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊亮相德國紐倫堡電子展（PCIM Europe 2023)，引發(fā)國內(nèi)外與會專家、客戶的廣泛關(guān)注。HEEV封裝SiC模塊來自高效電動汽車模塊平臺
2023-05-31 16:49:15352 
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機械性能，為高性能電子設(shè)備提供了強大的支持。本文將重點介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實際應用中的優(yōu)勢。
2023-04-23 14:33:22850 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145 
賽晶科技表示，為電動汽車應用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316 
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全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353 在商業(yè)應用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36372 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
本文將詳細介紹各大主機廠在SIC/IGBT模塊上的布局，以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應用情況等，探討車企大規(guī)模進入功率半導體行業(yè)背后的原因，助力車規(guī)級功率半導體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。
2023-11-02 11:40:30296 
SiC驅(qū)動器模塊具有較低的功耗、高溫運行能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)勢，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應用前景。SiC驅(qū)動器模塊可以用于電動車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
關(guān)鍵技術(shù)-SiC門驅(qū)動回路/電容器
通過SiC門驅(qū)動回路優(yōu)化設(shè)計提升性能和強化保護功能通過采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計減少寄生電感
2024-01-02 11:36:24116 
今日（1月18日），意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率模塊和先進電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254 
采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會產(chǎn)生較嚴重的電磁干擾和額外損耗，無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
2024-03-04 10:35:49132 
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