電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）SiC在電動(dòng)汽車電驅(qū)模塊上的應(yīng)用，隨著市場(chǎng)對(duì)電動(dòng)汽車長(zhǎng)續(xù)航、高壓電氣架構(gòu)、快充等需求，正在加速普及。 ? 傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性質(zhì)受限?，在高溫、高壓、高頻
2022-07-06 08:36:00
3229 美國(guó)SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開(kāi)型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導(dǎo)通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時(shí)（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:012494 初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備軟件，在 1200V SiC MOSFET
2022-07-26 09:10:48573 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）GaN器件已經(jīng)在消費(fèi)電子領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟，而在消費(fèi)電子之外，電源產(chǎn)品還有很多較大的應(yīng)用市場(chǎng)，包括光伏逆變器、服務(wù)器電源、汽車領(lǐng)域等。而新能源汽車作為目前規(guī)模增長(zhǎng)最快的市場(chǎng)之一，SiC已經(jīng)成功導(dǎo)入電動(dòng)汽車產(chǎn)品，并實(shí)現(xiàn)大批量落地。
2024-02-04 00:01:003359 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過(guò)去的2023年，國(guó)產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來(lái)了全面爆發(fā)，眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，尋求打進(jìn)汽車供應(yīng)鏈。而今年春節(jié)后的新一輪新能源汽車降價(jià)
2024-03-13 01:17:002639 
CRD-060DD12P，用于單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的演示板，采用市售的1700V碳化硅（SiC）MOSFET，取代傳統(tǒng)的雙開(kāi)關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器，用于三相應(yīng)用的高壓輸入輔助電源。演示板不是專為產(chǎn)品而設(shè)計(jì)的，僅用作評(píng)估Cree開(kāi)關(guān)設(shè)備性能的工具
2019-04-30 07:42:31
電壓的自適應(yīng)，從而取得優(yōu)異的線型調(diào)整率和負(fù) 載調(diào)整率。 SIC9552A/9553A/9554A/9555A/9556A內(nèi)部集成了500V功率MOSFET，無(wú)需次級(jí)反饋電路，也無(wú)需補(bǔ) 償電路，加之精準(zhǔn)
2016-06-16 20:42:44
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實(shí)驗(yàn)室遵循JFET方法，因?yàn)楫?dāng)時(shí)雙極結(jié)晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認(rèn)為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
另
一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，
SiC-MOSFET的
MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高?！ ∫虼耍礁叩拈T極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20
V以上則逐漸飽和）?！ ∪绻?/div>
2023-02-07 16:40:49
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒(méi)有必要再
2019-04-09 04:58:00
，1200V產(chǎn)品可支持50A的裸芯片。而且在進(jìn)行1700V高耐壓產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。下表為機(jī)型名中符號(hào)的意義及當(dāng)前供應(yīng)中的產(chǎn)品陣容一覽。此外，機(jī)型名的最后帶有HR的表示為支持車載產(chǎn)品，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
2018-12-04 10:09:17
10倍的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng),所以不僅能保持實(shí)際應(yīng)用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開(kāi)發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過(guò)Si二極管來(lái)應(yīng)對(duì)
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
的導(dǎo)通電阻。不僅能夠以小封裝實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低的導(dǎo)通電阻輕松實(shí)現(xiàn)1700V以上的耐壓。因此，沒(méi)有必要再
2019-05-07 06:21:55
半導(dǎo)體有限公司的第一大股東，是行業(yè)龍頭天科合達(dá)。11月中旬，天科合達(dá)舉辦了“8英寸導(dǎo)電型SiC襯底”新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，預(yù)計(jì)項(xiàng)目明年量產(chǎn)。這一量產(chǎn)時(shí)間，緊跟全球步伐。SiC大規(guī)模上車，三原因成加速上車“推手
2022-12-27 15:05:47
耐壓。Si-SBD在實(shí)際應(yīng)用中耐壓極限大概為200V左右，而ROHM已經(jīng)量產(chǎn)的SiC-SBD產(chǎn)品最高達(dá)1700V，并且還正在開(kāi)發(fā)更高耐壓的產(chǎn)品。Si-PND屬于少數(shù)載流子，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超Si-SBD
2018-12-03 15:12:02
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)：1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07
，1700V，60A，SIC，這個(gè)管子的Qg是256nC，Rg=1.8Ω，tdon和tr分別為52ns和32ns。IXDN609SI的一部分參數(shù)和驅(qū)動(dòng)的電路原理圖如下
目前的狀況是ACPL-333J的輸出
2023-06-10 15:32:20
10A, 1700V, G5 ZREC SIC SCHOTTKY
2023-03-27 14:48:35
650A 1700V SIC HALF-BRIDGE
2023-12-13 05:43:29
MOS GATE DRIVER 62MM 1700V SIC
2023-03-27 12:29:45
SIC DIODE 1700V 5A TO-247-2
2023-03-27 13:46:43
SIC DIODE 1700V 25A TO-247-2
2023-03-27 14:44:42
1700V 15A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
2023-03-27 14:49:29
1700V 25A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
2023-03-27 13:34:26
1700V 50A SIC SBD PARALLEL
2023-03-29 15:19:22
SIC SCHOTTKY DIODE 1700V TO247-2
2023-03-29 15:13:55
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導(dǎo)體材料，GaO的導(dǎo)熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過(guò)SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要?jiǎng)恿χ皩⑿枰嗟难邪l(fā)工作。系統(tǒng)參與者
2022-08-12 09:42:07
電壓（600V、1200V、1700V）均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)?？紤]到過(guò)載，電網(wǎng)波動(dòng)，開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
DIODE SIC SCHOTTKY 1700V 10A
2023-03-27 14:48:42
DIODE SIC SCHOTTKY 1700V 50A
2023-03-27 13:30:39
、根據(jù)評(píng)估版原理圖，分析SIC MOS的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)方案。2、搭建一個(gè)非隔離的半橋結(jié)構(gòu)的雙向DC-DC變換器樣機(jī)。預(yù)期參數(shù)：高壓端400V，低壓端200V，開(kāi)關(guān)頻率250KHZ，電流10A。3、對(duì)DSP
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評(píng)估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開(kāi)箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準(zhǔn)備搭建一個(gè)DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
1700V耐壓的產(chǎn)品。Si-PND通過(guò)在n-層積蓄少數(shù)載流子空穴而使電阻值下降，因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)Si-SBD的高耐壓與低電阻，但關(guān)斷速度較慢。盡管FRD是Si-PND中提高了速度的產(chǎn)品，但其trr
2018-11-29 14:33:47
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過(guò)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
本文介紹了一個(gè)新的1700V 25A至300A快速恢復(fù)二極管（FRD）系列。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與數(shù)值模擬結(jié)果一致，表明采用SIPOS、SIN和聚酰亞胺鈍化法的橫向摻雜變化（VLD）可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的1700V
2023-02-27 09:32:57
ROHM一直專注于功率元器件的開(kāi)發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
ROHM一直專注于功率元器件的開(kāi)發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
求推薦一下?？梢詫?shí)現(xiàn)數(shù)字轉(zhuǎn)模擬的接口的國(guó)產(chǎn)芯片12位到16位可以輸出0~5V,或者0~10V,輸出電流4~20mA這個(gè)暫時(shí)還沒(méi)有奢望。其他不限，原來(lái)使用的ADI的，現(xiàn)在價(jià)格實(shí)在太貴了。想找個(gè)國(guó)產(chǎn)的DAC試試。謝謝啦
2022-04-18 13:50:20
CH32V307 配套國(guó)產(chǎn)千兆PHY芯片，全套國(guó)產(chǎn)。官方有沒(méi)有做過(guò)適配
2022-06-16 07:08:56
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)演示板。該設(shè)計(jì)采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
用推挽電路做大功率sic-mos管的驅(qū)動(dòng)，有什么辦法可以輸出+21/-6的pwm信號(hào)嘛?
2022-04-19 10:47:30
。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，故ROHM已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)1200V的產(chǎn)品，同時(shí)在推進(jìn)1700V耐壓的產(chǎn)品。Si-PND通過(guò)在n-層積蓄少數(shù)載流子空穴而使電阻值下降，因此可同時(shí)實(shí)現(xiàn)
2019-07-10 04:20:13
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉(zhuǎn)換器 評(píng)估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400～690V輸入 24V/1A輸出，搭載了ROHM適用于大功率工業(yè)設(shè)備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET：SCT2H12NZ（右）的導(dǎo)通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出，上述IC的柵極驅(qū)動(dòng)電壓在每種MOSFET將要飽和前變?yōu)閂GS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
市場(chǎng)現(xiàn)有芯片的直徑尺寸較?。?50mm），尤其是離子注入或摻雜劑激活等制程與半導(dǎo)體元件制程使用的常規(guī)層不相容。因此，這些特異性需要特殊的集成方案。使用這些方法將可以實(shí)現(xiàn)截止電壓高于1200V和1700V
2019-06-27 04:20:26
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
驅(qū)動(dòng)1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設(shè)計(jì):通過(guò)對(duì)幾種常用的1700V IGBT 驅(qū)動(dòng)專用集成電路進(jìn)行詳細(xì)的分析，對(duì)M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進(jìn)行深入的討論，給出了電氣特性參數(shù)和內(nèi)部
2009-06-19 20:29:52
39 1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款工業(yè)級(jí)第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續(xù)在碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域
2023-07-28 14:21:34
華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）宣布已開(kāi)發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:481938 G2S17010A 1700V 10A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)使用?
不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復(fù)電流? 零正向恢復(fù)電壓
2016-06-23 17:56:191 今年即將發(fā)布的iphone8多次被曝光會(huì)采用AR技術(shù)，并且豎排分布的攝像頭就是為了這一技術(shù)而準(zhǔn)備，不過(guò)，這一次可能要被截胡了，國(guó)產(chǎn)手機(jī)率先用上。
2017-05-22 09:41:401548 國(guó)產(chǎn)芯片替代這一國(guó)家發(fā)展戰(zhàn)略正在顯示出成效。隨著國(guó)內(nèi)資金大規(guī)模投入、技術(shù)引進(jìn)后自主研發(fā)形成突破，國(guó)產(chǎn)芯片有望在未來(lái)幾年內(nèi)迅速崛起，這給相關(guān)領(lǐng)域的上市公司帶來(lái)發(fā)展前景。
2017-12-20 10:46:544622 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:001922 海市政府新聞辦發(fā)放了全國(guó)首批智能網(wǎng)聯(lián)汽車開(kāi)放道路測(cè)試牌照，蔚來(lái)、上汽率先上路。下一步，將分級(jí)逐步開(kāi)放更多的道路環(huán)境用于智能網(wǎng)聯(lián)汽車測(cè)試。
2018-03-03 07:22:40912 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:173606 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品
2018-10-23 11:34:375600 支持電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:522469 SiC SBD和 MOS是目前最為常見(jiàn)的 SiC 基的器件，并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭(zhēng)搶份額。我們都知道，IGBT 結(jié)合了 MOS 和 BJT 的優(yōu)點(diǎn)，第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC
2020-03-20 15:56:284190 金升陽(yáng)緊跟功率半導(dǎo)體市場(chǎng)動(dòng)向，推出QAxx3D-2GR3（下文稱：QA-R3系列驅(qū)動(dòng)電源），可有效應(yīng)用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上。
2021-05-07 11:49:581413 參考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是為支持客戶采用SIC MOSFET設(shè)計(jì)輔助電源而開(kāi)發(fā)的。該參考板旨在支持客戶為三相系統(tǒng)設(shè)計(jì)輔助電源，工作電壓范圍在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:032396 
在開(kāi)關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢(shì)更為凸顯。 下文主要對(duì)國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET進(jìn)行介紹并與國(guó)外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對(duì)比。 國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開(kāi)始專注于第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024606 要使用的MOS管還是有所差異的，因此今天仁懋電子整理了這一份儲(chǔ)能電源可使用的國(guó)產(chǎn)MOS管合集，供廣大電子工程師參。 目前國(guó)產(chǎn)MOS管中，可替換多款場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品使用的具體型號(hào)為：MOT4112T、MOT4115T、MOT8112T、MOT8123T、MOT8118T、MOT1120T、MOT1
2022-07-26 14:35:303005 
Power Integrations （PI） 宣布為其 InnoSwitch?3-AQ 系列新增兩款 1700 伏額定 AEC-Q100 合格 IC。新的解決方案包括用于汽車級(jí)開(kāi)關(guān)電源的碳化硅
2022-07-29 08:07:271216 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開(kāi)關(guān)器件擁有更小的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來(lái)驅(qū)動(dòng)功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:582310 Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設(shè)計(jì)
2022-08-28 11:17:068 使用SIC MOS的開(kāi)發(fā)人員是越來(lái)越多，但驅(qū)動(dòng)電壓到底選15V還是18V，每個(gè)人都有自己的理解，今晚聽(tīng)許老師講SIC MOS驅(qū)動(dòng)技術(shù)，有些感悟分享給大家。
2022-11-07 10:57:582122 安森美宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國(guó)拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC
2023-01-04 13:46:19433 重點(diǎn)必看內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－規(guī)格篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)更容易支持自動(dòng)安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:19389 
內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－優(yōu)點(diǎn)篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)更容易可自動(dòng)安裝的小型表貼封裝BM2SC12x...
2023-02-08 13:43:21390 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開(kāi)發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:23656 
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:24518 
ROHM一直專注于功率元器件的開(kāi)發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05434 
1700V是IGBT的主流電壓等級(jí)之一，廣泛應(yīng)用于風(fēng)力發(fā)電、無(wú)功補(bǔ)償（SVG）、智能電網(wǎng)，以及中高壓變頻器等領(lǐng)域。
2023-02-15 14:11:401686 1700V以下大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊使用手冊(cè) （采用100%國(guó)產(chǎn)化元器件設(shè)計(jì)） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊是特別為100%國(guó)產(chǎn)化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅(qū)動(dòng)模塊
2023-02-16 15:01:5512 已全部加載完成
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