美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 電源模塊發(fā)熱問題會嚴重危害模塊的可靠性，使產品的失效率將呈指數規(guī)律增加，電源模塊發(fā)熱嚴重怎么辦？本文從模塊的熱設計角度出發(fā)，為你介紹各類低溫升、高可靠性的電源設計及應用解決方案。
2018-08-03 09:19:567133 
1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:031360 
3G核心網網元是什么？為什么要提高3G核心網高的可靠性設計？3G核心網高可靠性設計方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
進行半導體元器件的評估時，電氣/機械方面的規(guī)格和性能當然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
。目前，ROHM正在量產的全SiC功率模塊是二合一型模塊，包括半橋型和升壓斬波型兩種。另外產品陣容中還有搭載NTC熱敏電阻的產品類型。以下整理了現有機型產品陣容和主要規(guī)格。1200 V耐壓80A～600A
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
率為一個平穩(wěn)值，意味著產品進入了一個穩(wěn)定的使用期。耗損失效期的失效率為遞增形式，即產品進入老年期，失效率呈遞增狀態(tài)，產品需要更新。提高可靠性的措施可以是：對元器件進行篩選;對元器件降額使用，使用容錯法
2015-08-04 11:04:27
高可靠性PCB的十四大重要特征騰訊網 | 2016-02-19 19:22來這里找志同道合的小伙伴！乍一看，PCB不論內在質量如何，表面上都差不多。正是透過表面，我們才看到差異，而這些差異對PCB在
2016-02-20 14:25:46
高可靠性的線路板具有什么特點？
2021-04-25 08:16:53
qualification recipe）即可。由于長期的業(yè)界經驗和可靠性模型的驗證，人們現在可以接受將基于標準的測試用于硅材料的做法，不過也有例外的情況。功率金屬氧化物半導體場效應晶體管
2018-09-10 14:48:19
采用IR51H420構成的高可靠性節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器電路圖
2019-10-31 09:10:48
一個復雜的系統總是由許多基本元件、部件組成，如何在保證完成功能的前提下組成一個高可靠性的系統對產品設計是很有意義的。一方面需要知道組成系統的基本元器件或部件在相應使用條件下的可靠性，另一方面還要
2016-09-03 15:47:58
，技術性能即使再好也得不到發(fā)揮。“產品可靠性”就等同于產品靠不靠譜！換言之，“高可靠性”指的是產品壽命更長，并且在產品生命周期內很少出現甚至不出現故障！隨著科學技術的迅速發(fā)展，各行各業(yè)對產品的可靠性提出
2020-07-09 11:54:01
工程是企業(yè)開展全球化競爭的門檻，也是企業(yè)在日益劇烈的市場當中脫穎而出的致勝法寶！四、為什么PCB的高可靠性應當引起重視？作為各種電子元器件的載體和電路信號傳輸的樞紐，PCB決定了電子封裝的質量和可靠性。隨著
2020-07-03 11:09:11
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-7-22 15:27 編輯
親愛的發(fā)燒友們：在此，給大家分享下WEBENCH 設計作品，歡迎大家吐槽！高可靠性意味著效率，器件的選擇都要注重很好
2015-07-22 15:25:25
。對于產品來說，可靠性是產品性能得以發(fā)揮的保證，如果產品不可靠，技術性能即使再好也得不到發(fā)揮。“產品可靠性”就等同于產品靠不靠譜！換言之，“高可靠性”指的是產品壽命更長，并且在產品生命周期內很少
2020-07-08 17:10:00
，放眼全球，國家與國家的競爭已經演變成企業(yè)與企業(yè)的競爭，可靠性工程是企業(yè)開展全球化競爭的門檻，也是企業(yè)在日益劇烈的市場當中脫穎而出的致勝法寶！四、為什么PCB的高可靠性應當引起重視？作為各種電子元器件
2020-07-03 11:18:02
的。在所有細分市場，特別是生產關鍵應用領域的產品的市場里，此類故障的后果不堪設想。對比 PCB 價格時，應牢記這些方面。雖然可靠、有保證和長壽命產品的初期費用較高，但從長期來看還是物有所值的。高可靠性
2019-10-21 08:00:00
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率轉換效率可提升高達5%采用準諧振方式，可實現更低EMI通過減少元器件數量，可實現顯著的小型化和更高可靠性可確保長期穩(wěn)定供應，很適合工業(yè)設備應用產品陣容新增4款保護功能
2022-07-27 11:00:52
頻應用而設計。與競爭對手器件相比，室溫和熱時的開關損耗。此外，據我們所知，我們發(fā)現制造功率二極管的一種經濟方法是使用市售的6英寸600V至1700V深擴散磷晶片，而不是使用多質子注入來獲得N緩沖區(qū)
2023-02-27 09:32:57
分享一款不錯的高可靠性CAN-bus以太網冗余組網方案
2021-05-26 06:37:56
高可靠性的軟硬件開發(fā)平臺實現產品開發(fā)；按照電磁兼容規(guī)范設計可靠的 PCB 等。常用的可靠性控制設計有：噪聲失敏控制，時空邊界管理，系統自檢與自修復，出錯后的安全性包容等。二、硬件系統的可靠性設計硬件系統
2021-01-11 09:34:49
可靠性設計是單片機應甩系統設計必不可少的設計內容。本文從現代電子系統的可靠性出發(fā)，詳細論述了單片機應用系統的可靠性特點。提出了芯片選擇、電源設計、PCB制作、噪聲失敏控制、程序失控回復等集合硬件系統
2021-02-05 07:57:48
望嘗試運行SiC元器件的各位、希望提高開發(fā)效率的各位使用我公司的評估板。請參考ROHM官網的“SiC支持頁面”。SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點必看＜ 相關產品信息 ＞SiC-MOSFETAC/DC轉換器全SiC功率模塊
2018-12-04 10:11:25
干擾的噪聲感應問題?，F在已經有了完整的電流隔離型 BGA 模塊解決方案，以簡化設計和提高可靠性。LTM9100 隔離型開關控制器是一款一體化解決方案，用于控制、保護和監(jiān)視高達 1000VDC 的高電壓
2018-10-17 16:55:21
高可靠性永遠是計算機系統中必不可少的重要需求，尤其是對于整個系統中用來產生統一時間信號的專用設備來說，其可靠性和精準性非常重要。時統模塊的功能就是保證整個系統處在統一時間的基準上，它接收時統站發(fā)來
2019-08-26 06:27:46
isoSPI 數據鏈路助力實現高可靠性車載電池系統
2019-09-02 14:23:53
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
汽車行業(yè)發(fā)展迅速，汽車的設計、制造和操控方式在發(fā)生著重大轉變。最值得注意的是，與半導體技術相關的安全性和可靠性在很大程度上影響著汽車的安全性。系統集成商面對的挑戰(zhàn)是構建強大的平臺，并確保該平臺能夠在
2019-07-25 07:43:04
高可靠性系統設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環(huán)境條件并符合標準要求。本文專門探討實現高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
為了FPGA保證設計可靠性, 需要重點關注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
目前，汽車中使用的復雜電子系統越來越多，而汽車系統的任何故障都會置乘客于險境，這就要求設計出具有“高度可靠性”的系統。同時，由于FPGA能夠集成和實現復雜的功能，因而系統設計人員往往傾向于在這些系統中采用FPGA。
2019-09-27 07:45:33
高可靠性系統設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環(huán)境條件并符合標準要求。本文專門探討實現高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文擬從印制板下游用戶安裝后質量、直接用戶調試質量和產品使用質量三方面研究印制板的可靠性，從而表征出印制板加工質量的優(yōu)劣并提供生產高可靠性印制板的基本途徑。
2021-04-21 06:38:19
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
PMU的原理是什么？如何提高數據采集系統的實時性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
如何采用功率集成模塊設計出高能效、高可靠性的太陽能逆變器？
2021-06-17 06:22:27
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-23 14:43 編輯
在高可靠性至關重要的工業(yè)自動化中，將能量收集源應用于電源節(jié)點所面臨著設計挑戰(zhàn)。 文中將探討如何將溫度和振動等能量來源
2016-02-23 14:38:55
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
、密封技術等技術?！ ?、開關電源電氣可靠性工程設計技術 對于功率因數校正技術具體是指由于開關電源的諧波電流污染電網，干擾了其它共網設備，可能會使采用三相四線制的中線電流過大，引發(fā)事故，一般選擇
2018-09-25 18:10:52
盡管許多嵌入式工程師充滿了希望和夢想，但高可靠性的代碼不是一蹴而就的。它是一個艱苦的過程，需要開發(fā)人員維護和管理系統的每個比特和字節(jié)。當一個應用程序被確認為“成功”的那一刻，通常會有一種如釋重負
2019-09-29 08:10:15
。因此，硬件可靠性設計在保證元器件可靠性的基礎上，既要考慮單一控制單元的可靠性設計，更要考慮整個控制系統的可靠性設計。
2021-01-25 07:13:16
事實已證明了這一點，產品設計應采用模塊化設計方法。 （2）采用模塊和標準部件。模塊和標準部件是經過大量試驗和廣泛使用后證明為高可靠性的產品，因而能充分消除設備的缺陷和隱患，也為出現問題之后的更換和修理
2018-09-21 14:49:10
技術。開關電源電氣可靠性工程設計技術 對于功率因數校正技術具體是指由于開關電源的諧波電流污染電網，干擾了其它共網設備，可能會使采用三相四線制的中線電流過大，引發(fā)事故，一般選擇的解決途徑是采用具有功率因素
2018-10-09 14:11:30
流。與第二代SiC-SBD相比，在額定電壓650V、Tj=150℃時漏電流降低至約1/15。－這些性能提升和特性改善的目的是什么？與Si二極管相比，SiC-SBD有望降低應用中的損耗。同時，功率元器件是處理
2018-12-03 15:11:25
無線電池管理系統突出了業(yè)界提高可靠性的動力
2019-09-09 08:23:41
本文提出一種優(yōu)化的高性能高可靠性的嵌入式大屏幕LED顯示系統，只需要用1片FPGA和2片SRAM就可以實現大屏幕LED顯示的驅動和內容更換，可以說其性能已經大有改善。本設計可以應對多種大屏幕顯示的場合。
2021-06-04 06:02:01
甲烷傳感器的特點甲烷傳感器的工作原理新型高可靠性甲烷傳感器的原理與設計
2021-04-09 06:41:47
用于高可靠性醫(yī)療應用的混合信號解決方案
2019-09-16 06:34:54
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
我想問一下高速電路設計，是不是只要做好電源完整性分析和信號完整性分析，就可以保證系統的穩(wěn)定了。要想達到高的可靠性，要做好哪些工作??？在網上找了好久，也沒有找到關于硬件可靠性的書籍。有經驗的望給點提示。
2015-10-23 14:47:17
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉換器 評估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400～690V輸入 24V/1A輸出，搭載了ROHM適用于大功率工業(yè)設備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
剛剛接觸PCBA可靠性，感覺和IC可靠性差異蠻大，也沒有找到相應的測試標準。請問大佬們在做PCBA可靠性時是怎么做的，測試條件是根據什么設定？
2023-02-15 10:21:14
、板薄、高頻、高速”的發(fā)展趨勢，對可靠性的要求會越來越高。高可靠性 PCB 可以發(fā)揮穩(wěn)健的載體作用，從而實現 PCBA 的長期、穩(wěn)定運作，保證終端產品的安全性、穩(wěn)定性和使用壽命，提高經濟效益。高可靠性
2022-05-09 14:30:15
集成電路為高可靠性電源提供增強的保護和改進的安全功能
2019-06-11 16:25:31
一種易于建立的高性能、高可靠性隔離式電源
2019-05-29 15:40:16
= 150°C正溫度系數VCEsat高功率密度絕緣基板標準封裝優(yōu)勢緊湊型模塊組裝簡單、可靠性高無需插頭和電纜低感應系統設計的理想選擇應用領域風能系統輸配電
2022-04-18 10:29:03
學習完本課程，您應該能夠：了解什么是高可靠性技術，了解高可靠性技術包含哪些技術類別。
2016-04-12 17:38:58
15 二次電源高可靠性設計
2017-09-12 15:20:4815 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產品更加豐富。
2018-09-26 11:32:173606 。 該板有三個輸出：+15V、-15V和+24V，輸出功率高達62.5W。 該板使用TO-263 7L表面貼裝器件（SMD）封裝的1700V CoolSiC MOSFET作為主開關，非常適合高輸入電壓
2021-09-07 14:11:032396 
，瑞能半導體于2021年推出SiC MOSFET產品，不僅一如既往的追求高可靠性，同時也擁有業(yè)內領先的高性能和競爭力。
2022-02-18 16:44:103785 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關器件擁有更小的導通電阻和開關損耗。電力電子系統需要輔助電源部分用來驅動功率器件，為控制系統及散熱系統等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設計更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:582310 Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產品。62W輔助電源參考設計
2022-08-28 11:17:068 SiC作為半導體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業(yè)績還遠遠無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數據。
2023-02-08 13:43:18363 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調及街燈等工業(yè)設備開發(fā)的內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC。
2023-02-09 10:19:23655 
ROHM面向以戶外發(fā)電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設備用電源的逆變器和轉換器，開發(fā)出實現行業(yè)領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:24518 
1700V以下大功率IGBT智能驅動模塊使用手冊 （采用100%國產化元器件設計） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅動模塊是特別為100%國產化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅動模塊
2023-02-16 15:01:5512 前幾天，三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀錄（.點這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:55855 新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊1700V電機驅動功率半導體解決方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊
2023-01-29 17:41:441189 
功率器件可靠性
2023-08-07 14:51:532 芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等，對提升車輛電源系統整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31285 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
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