美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 電源模塊發(fā)熱問題會嚴重危害模塊的可靠性，使產(chǎn)品的失效率將呈指數(shù)規(guī)律增加，電源模塊發(fā)熱嚴重怎么辦？本文從模塊的熱設計角度出發(fā)，為你介紹各類低溫升、高可靠性的電源設計及應用解決方案。
2018-08-03 09:19:567133 
mm○BSM300D12P2E001300BSM400D12P3G002-4~2240010G Type62×152×17mmBSM600D12P3G001600※產(chǎn)品陣容中還包括斬波型產(chǎn)品。關于新產(chǎn)品的詳細信息，請聯(lián)系ROHM銷售部門或點擊這里。ROHM還提供可輕松評估全SiC功率模塊柵極驅(qū)動器評估板。
2018-12-04 10:20:43
3G核心網(wǎng)網(wǎng)元是什么？為什么要提高3G核心網(wǎng)高的可靠性設計？3G核心網(wǎng)高可靠性設計方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
家公司已經(jīng)建立了SiC技術作為其功率器件生產(chǎn)的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關的信息和數(shù)據(jù)。另外，包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元器件的開發(fā)與發(fā)展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
進行半導體元器件的評估時，電氣/機械方面的規(guī)格和性能當然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊提供全SiC功率模塊。ROHM在上個賽季（第
2018-12-04 10:24:29
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
率為一個平穩(wěn)值，意味著產(chǎn)品進入了一個穩(wěn)定的使用期。耗損失效期的失效率為遞增形式，即產(chǎn)品進入老年期，失效率呈遞增狀態(tài)，產(chǎn)品需要更新。提高可靠性的措施可以是：對元器件進行篩選;對元器件降額使用，使用容錯法
2015-08-04 11:04:27
日益增長的可再生能源發(fā)電技術需要大量的功率半導體器件, 其中風能是最具成本效益的可再生能源發(fā)電方式之一。變流器是其中的重要組件,且確保實現(xiàn)并網(wǎng)發(fā)電。高可靠性的功率半導體可以滿足這種應用的要求，并構(gòu)成
2018-12-04 09:57:08
高可靠性PCB的十四大重要特征騰訊網(wǎng) | 2016-02-19 19:22來這里找志同道合的小伙伴！乍一看，PCB不論內(nèi)在質(zhì)量如何，表面上都差不多。正是透過表面，我們才看到差異，而這些差異對PCB在
2016-02-20 14:25:46
高可靠性的線路板具有什么特點？
2021-04-25 08:16:53
ADI高溫高可靠性器件都有哪些？它們都被應用在哪里呢？版主找到一個介紹ADI高溫產(chǎn)品的視頻，在這里以圖文形式分享給大家，大家也可點擊鏈接直接觀看視頻，近一個小時的介紹，絕對讓你徹底了解！
2018-10-17 15:05:56
DS1302介紹一款高性能、低功耗的日歷時鐘DS1302是一種串行接口的實時時鐘，內(nèi)部有可編程的日歷時鐘和31個字節(jié)的靜態(tài)RAM，可以自動進行閏年補償工作電壓范圍寬（2.5V~5.5V），還有對備用
2021-07-19 06:59:11
EFR32介紹EFR32 Mighty Gecko ZigBee 和 Thread 的 SoC 系列是無線 Gecko 產(chǎn)品系列的組成部分。 Mighty Gecko SoC 是實現(xiàn) IoT 設備
2021-07-23 06:21:18
一、FDC2214介紹(1)這個圖片截自FDC2214的數(shù)據(jù)手冊，可以看出FDC2214與MCU之前的通訊是靠I2C協(xié)議來完成的，該芯片的外圍電路設計在手冊中已給出。(2)該模塊I2C接口最大速度為
2021-08-12 08:10:59
8-20kHz之間，請使用英飛凌后綴為DN2、RT4、KT4的IGBT模塊.高壓1700VFF600R17ME4(600A/1700V) FF450R17ME4(450A/1700V)FF300R17
2022-05-10 10:06:52
采用IR51H420構(gòu)成的高可靠性節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器電路圖
2019-10-31 09:10:48
內(nèi)容提綱1、ISO14443介紹-了解2、14443-A幀格式-掌握3、喚醒、防沖突、選卡-掌握認識14443ISO14443協(xié)議：ISO14443協(xié)議是Contactless card
2021-07-27 07:10:23
World」。1. LCD1602介紹對于單片機愛好者和電子愛好者來說，或多或少都曾使用過液晶顯示模塊。它們都是由若干個點陣字符位組成的，根據(jù)顯示內(nèi)容可分為1602、12864等。LCD1602可...
2022-03-01 07:33:10
IGBT2/IGBT3的功率周次曲線 圖8 1200V/1700V IGBT4的功率周次曲線3. PrimePACK針對封裝技術做了改進來提高模塊的溫度周次能力：采用了增強型Al2O3，從而減小了襯底和銅
2018-12-04 09:59:11
愿景，以企業(yè)文化“革新觀念、凝聚智慧、點燃斗志、激發(fā)潛能”。2)經(jīng)營理念：追求卓越品質(zhì)，打造極致用戶體驗高可靠性是廣大客戶賴以生存和發(fā)展的命脈！“華秋”把“卓越品質(zhì)、極致體驗”當做行動指南滲透至日
2020-07-09 11:54:01
，美國50%的電子設備在儲存期間就失效、60%的機載電子設備運到遠東后不能使用。美國發(fā)現(xiàn)不可靠電子設備影響戰(zhàn)爭的進行，而且年均維修費是設備采購費用的2倍。1949年，美國無線電工程師學會成立了第一個可靠性
2020-07-03 11:09:11
本帖最后由 elecfans跑堂 于 2015-7-22 15:27 編輯
親愛的發(fā)燒友們：在此，給大家分享下WEBENCH 設計作品，歡迎大家吐槽！高可靠性意味著效率，器件的選擇都要注重很好
2015-07-22 15:25:25
產(chǎn)品的小型化和輕量化。本文介紹了基于最新1.2kV 全SiC功率模塊開發(fā)的牽引用APS，憑借全SiC模塊的優(yōu)異特性，使得該APS的效率達到了97%以上。1、APS的工作原理圖1為APS的系統(tǒng)原理圖
2017-05-10 11:32:57
秋”把“打造高可靠PCB、履行社會責任”當做全體成員為之奮斗的共同愿景，以企業(yè)文化“革新觀念、凝聚智慧、點燃斗志、激發(fā)潛能”。2)經(jīng)營理念：追求卓越品質(zhì)，打造極致用戶體驗高可靠性是廣大客戶賴以生存
2020-07-08 17:10:00
采購費用的2倍。949年，美國無線電工程師學會成立了第一個可靠性專業(yè)學術組織——可靠性技術組。1950年12月，美國成立了“電子設備可靠性專門委員會”，軍方、武器制造公司及學術界開始介入可靠性研究，到
2020-07-03 11:18:02
的。在所有細分市場，特別是生產(chǎn)關鍵應用領域的產(chǎn)品的市場里，此類故障的后果不堪設想。對比 PCB 價格時，應牢記這些方面。雖然可靠、有保證和長壽命產(chǎn)品的初期費用較高，但從長期來看還是物有所值的。高可靠性
2019-10-21 08:00:00
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率轉(zhuǎn)換效率可提升高達5%采用準諧振方式，可實現(xiàn)更低EMI通過減少元器件數(shù)量，可實現(xiàn)顯著的小型化和更高可靠性可確保長期穩(wěn)定供應，很適合工業(yè)設備應用產(chǎn)品陣容新增4款保護功能
2022-07-27 11:00:52
擊穿電壓仿真工具中實現(xiàn)，因此假定電荷為零。采用深P-區(qū)域可減少軸向壽命殺傷器（如氦氣或質(zhì)子）的泄漏電流，并使器件在硬開關條件下具有魯棒性。圖 1：1700V 器件的平面結(jié) VLD 端接的橫截面。圖 2
2023-02-27 09:32:57
分享一款不錯的高可靠性CAN-bus以太網(wǎng)冗余組網(wǎng)方案
2021-05-26 06:37:56
出廠后軟件升級中的可靠性設計。由于軟件的介入，可靠性問題除了二值可靠性的“失效”外．出現(xiàn)了除了“正?！迸c“失效”以外介于其間的諸如“出錯”、“失誤”、“不穩(wěn)定”的多值可靠性問題。2．單片機應用系統(tǒng)的可靠性
2021-01-11 09:34:49
望嘗試運行SiC元器件的各位、希望提高開發(fā)效率的各位使用我公司的評估板。請參考ROHM官網(wǎng)的“SiC支持頁面”。SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點必看＜ 相關產(chǎn)品信息 ＞SiC-MOSFETAC/DC轉(zhuǎn)換器全SiC功率模塊
2018-12-04 10:11:25
干擾的噪聲感應問題?，F(xiàn)在已經(jīng)有了完整的電流隔離型 BGA 模塊解決方案，以簡化設計和提高可靠性。LTM9100 隔離型開關控制器是一款一體化解決方案，用于控制、保護和監(jiān)視高達 1000VDC 的高電壓
2018-10-17 16:55:21
描述此參考設計介紹高可靠性應用（基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC)）中具有糾錯碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲器接口的系統(tǒng)注意事項。其中
2022-09-15 06:26:24
高可靠性永遠是計算機系統(tǒng)中必不可少的重要需求，尤其是對于整個系統(tǒng)中用來產(chǎn)生統(tǒng)一時間信號的專用設備來說，其可靠性和精準性非常重要。時統(tǒng)模塊的功能就是保證整個系統(tǒng)處在統(tǒng)一時間的基準上，它接收時統(tǒng)站發(fā)來
2019-08-26 06:27:46
Proteus仿真-基于ICL7107的±2V電壓表頭ICL7107介紹管腳說明元器件選擇說明200mv的參考圖Proteus仿真ICL7107介紹ICL7107是3位半位雙積分型A/D轉(zhuǎn)換器，屬于
2022-01-25 08:12:52
isoSPI 數(shù)據(jù)鏈路助力實現(xiàn)高可靠性車載電池系統(tǒng)
2019-09-02 14:23:53
高可靠性系統(tǒng)設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環(huán)境條件并符合標準要求。本文專門探討實現(xiàn)高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
為了FPGA保證設計可靠性, 需要重點關注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
高可靠性系統(tǒng)設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環(huán)境條件并符合標準要求。本文專門探討實現(xiàn)高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文擬從印制板下游用戶安裝后質(zhì)量、直接用戶調(diào)試質(zhì)量和產(chǎn)品使用質(zhì)量三方面研究印制板的可靠性，從而表征出印制板加工質(zhì)量的優(yōu)劣并提供生產(chǎn)高可靠性印制板的基本途徑。
2021-04-21 06:38:19
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
如何采用功率集成模塊設計出高能效、高可靠性的太陽能逆變器？
2021-06-17 06:22:27
本文介紹了如何采用Dialog GreenPAK 設計高可靠性旋轉(zhuǎn)開關或編碼器。該開關設計是非接觸式的，因此忽略了接觸氧化和磨損。該設計非常適用于戶外長期潮濕、灰塵、極端溫度等場景。Dialog
2020-12-23 07:26:10
mm○BSM300D12P2E001300BSM400D12P3G002-4~2240010G Type62×152×17mmBSM600D12P3G001600※產(chǎn)品陣容中還包括斬波型產(chǎn)品。關于新產(chǎn)品的詳細信息，請聯(lián)系ROHM銷售部門或點擊這里。ROHM還提供可輕松評估全SiC功率模塊柵極驅(qū)動器評估板。
2018-12-04 10:19:59
` 本帖最后由 348081236 于 2016-2-23 14:43 編輯
在高可靠性至關重要的工業(yè)自動化中，將能量收集源應用于電源節(jié)點所面臨著設計挑戰(zhàn)。 文中將探討如何將溫度和振動等能量來源
2016-02-23 14:38:55
。右圖為SiC-MOSFET＋SiC-SBD組成的全SiC模塊BSM300D12P2E001（1200V/300A）與IGBT＋FRD的模塊在同一環(huán)境下實測的開關損耗結(jié)果比較。Eon是開關導通時的損耗
2018-12-04 10:14:32
的感覺，但僅僅因為軟件在受控條件下的那一刻運行正常并不意味著明天或一年后還會運行正常。從規(guī)范完善的開發(fā)周期到嚴格執(zhí)行和系統(tǒng)檢查，開發(fā)高可靠性嵌入式系統(tǒng)的技術有許多種。本文介紹了7個易操作且可以長久使用的技巧，它們對于確保系統(tǒng)更加可靠地運行并捕獲異常行為大有幫助。
2019-09-29 08:10:15
。因此，硬件可靠性設計在保證元器件可靠性的基礎上，既要考慮單一控制單元的可靠性設計，更要考慮整個控制系統(tǒng)的可靠性設計。
2021-01-25 07:13:16
描述此參考設計介紹高可靠性應用（基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC)）中具有糾錯碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲器接口的系統(tǒng)注意事項。其中
2018-10-22 10:20:57
客戶采用的是SCS2系列。包括不同的封裝和電流規(guī)格等在內(nèi)，已經(jīng)實現(xiàn)近50個機型的量產(chǎn)供應。第三代是2016年4月推出的SCS3系列。SCS后面的數(shù)字表示各代。－那么接下來請您介紹一下第三代SiC
2018-12-03 15:11:25
無線電池管理系統(tǒng)突出了業(yè)界提高可靠性的動力
2019-09-09 08:23:41
本文提出一種優(yōu)化的高性能高可靠性的嵌入式大屏幕LED顯示系統(tǒng)，只需要用1片F(xiàn)PGA和2片SRAM就可以實現(xiàn)大屏幕LED顯示的驅(qū)動和內(nèi)容更換，可以說其性能已經(jīng)大有改善。本設計可以應對多種大屏幕顯示的場合。
2021-06-04 06:02:01
甲烷傳感器的特點甲烷傳感器的工作原理新型高可靠性甲烷傳感器的原理與設計
2021-04-09 06:41:47
用于高可靠性醫(yī)療應用的混合信號解決方案
2019-09-16 06:34:54
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
用于額溫計的信號調(diào)理芯片NSA2300/NSA2302介紹
2021-06-16 08:18:14
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
、板薄、高頻、高速”的發(fā)展趨勢，對可靠性的要求會越來越高。高可靠性 PCB 可以發(fā)揮穩(wěn)健的載體作用，從而實現(xiàn) PCBA 的長期、穩(wěn)定運作，保證終端產(chǎn)品的安全性、穩(wěn)定性和使用壽命，提高經(jīng)濟效益。高可靠性
2022-05-09 14:30:15
G.DMOS)18010Etype有BSM300D12P2E001(2G. DMOS)3007.3由ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD組成的“全SiC”功率模塊 重點必看開關損耗更低，頻率更高，應用設備體積更?。?相關產(chǎn)品信息 ＞全SiC功率模塊SiC-MOSFETSiC-SBD
2018-12-04 10:11:50
集成電路為高可靠性電源提供增強的保護和改進的安全功能
2019-06-11 16:25:31
一種易于建立的高性能、高可靠性隔離式電源
2019-05-29 15:40:16
供碳化硅 (SiC) 的優(yōu)勢；同時保持 62mm 模塊的底板兼容性。HM 平臺的碳化硅優(yōu)化封裝可實現(xiàn) 175°C 的連續(xù)結(jié)操作；具有高可靠性的氮化硅 (Si 3
2022-06-09 19:57:44
周 品牌：PICO產(chǎn)品詳情介紹70565是一款高可靠性的Pico音頻變壓器。音頻變壓器是音頻范圍內(nèi)使用的變壓器，它可以提供電流隔離、信號增益
2024-03-20 20:05:32
UACHV225S高壓AC-DC電源模塊高可靠性重要參數(shù) 輸入電壓：85~265Vac輸出電壓： 225Vdc電源精度：1%功率： 250w訂貨周期：6-8周品牌：PICO產(chǎn)品詳情介紹
2024-03-20 20:36:19
學習完本課程，您應該能夠：了解什么是高可靠性技術，了解高可靠性技術包含哪些技術類別。
2016-04-12 17:38:58
15 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件，使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的產(chǎn)品更加豐富。
2018-09-26 11:32:173606 ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實現(xiàn)行業(yè)領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:522469 對BSM250D17P2E004和同等IGBT模塊實施了HV-H3TRB高溫高濕反偏試驗，試驗條件為在85℃/85%的高溫高濕環(huán)境下，施加1360V。試驗結(jié)果是IGBT模塊比較早期出現(xiàn)絕緣劣化或絕緣擊穿導致的漏電流增加現(xiàn)象，在1,000小時內(nèi)發(fā)生了故障。
2019-08-22 09:05:593089 。 該板有三個輸出：+15V、-15V和+24V，輸出功率高達62.5W。 該板使用TO-263 7L表面貼裝器件（SMD）封裝的1700V CoolSiC MOSFET作為主開關，非常適合高輸入電壓
2021-09-07 14:11:032396 
，瑞能半導體于2021年推出SiC MOSFET產(chǎn)品，不僅一如既往的追求高可靠性，同時也擁有業(yè)內(nèi)領先的高性能和競爭力。
2022-02-18 16:44:103786 
相比于硅基高壓器件，碳化硅開關器件擁有更小的導通電阻和開關損耗。電力電子系統(tǒng)需要輔助電源部分用來驅(qū)動功率器件，為控制系統(tǒng)及散熱系統(tǒng)等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設計更簡單，成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:582310 Infineon，最新1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品。62W輔助電源參考設計
2022-08-28 11:17:068 “BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 10:19:23656 
ROHM面向工業(yè)設備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595 
1700V以下大功率IGBT智能驅(qū)動模塊使用手冊 （采用100%國產(chǎn)化元器件設計） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅(qū)動模塊是特別為100%國產(chǎn)化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅(qū)動模塊
2023-02-16 15:01:5512 前幾天，三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀錄（.點這里.），很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應商是誰，今天答案正式揭曉！
2023-06-14 18:19:55860 新品EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊和2200VEasyBRIDGE整流模塊1700V電機驅(qū)動功率半導體解決方案，包括EasyPACK2B75A1700VIGBT三相橋模塊
2023-01-29 17:41:441189 
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等，對提升車輛電源系統(tǒng)整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31285 
賽晶科技表示，為電動汽車應用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
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