賽晶打造精品國產(chǎn)IGBT模塊，國產(chǎn)代替進(jìn)口的進(jìn)程加速

近年來，受益于下游光伏、儲能和新能源汽車等行業(yè)的快速增長，功率器件行業(yè)站上了“風(fēng)口”。隨著我國新興產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能的高速增長，供需缺口問題越發(fā)明顯，國內(nèi)IGBT下游客戶為保證供應(yīng)鏈的安全以及自主可控，對國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的接受意愿逐步提高，進(jìn)而進(jìn)一步加快了國內(nèi)行業(yè)的發(fā)展。

作為國產(chǎn)技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新先鋒的賽晶亞太半導(dǎo)體科技（浙江）有限公司（以下簡稱：賽晶），目標(biāo)就是打造出具備國際一流水平的國產(chǎn)IGBT芯片。2023年1月18日，賽晶重磅出擊，舉行線上新產(chǎn)品發(fā)布會，正式推出IGBT研發(fā)的最新成果：i20系列1700V IGBT芯片組、ST封裝IGBT模塊，受到了業(yè)內(nèi)的廣泛關(guān)注。

IGBT再添“扛鼎之作”

IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管，被視為電力控制領(lǐng)域的“CPU”，根據(jù)其結(jié)構(gòu)特性，適用于較低頻及較高功率的應(yīng)用。IGBT是目前技術(shù)最先進(jìn)、應(yīng)用最廣泛的功率半導(dǎo)體器件之一，是眾多國家重點發(fā)展的新興技術(shù)領(lǐng)域的關(guān)鍵性基礎(chǔ)元器件。

作為中國本土企業(yè)，賽晶以自研IGBT技術(shù)為主要攻克方向。已經(jīng)量產(chǎn)的賽晶i20芯片，達(dá)到和超越國外競品的綜合性能，并通過了市場主流新能源汽車廠家的測試驗證，已經(jīng)開始大批量交付芯片給客戶使用。

眾所周知，1700V是IGBT的主流電壓等級之一，廣泛應(yīng)用于風(fēng)力發(fā)電、無功補償（SVG）、智能電網(wǎng)，以及中高壓變頻器等領(lǐng)域。本次推出的賽晶i20系列1700V IGBT芯片組，基于經(jīng)典的溝槽柵及場截止芯片結(jié)構(gòu)，并采用了窄臺面、優(yōu)化N-型增強(qiáng)層、短溝道、3D結(jié)構(gòu)、優(yōu)化P+層等多項行業(yè)前沿理念的優(yōu)化設(shè)計，具有大功率、低損耗、高可靠性等卓越的芯片性能，代表了國內(nèi)同類芯片技術(shù)的最高水平。

打造精品國產(chǎn)IGBT模塊

已經(jīng)發(fā)布的首款I(lǐng)GBT模塊（ED封裝IGBT模塊），目前已經(jīng)向電動汽車、新能源發(fā)電、工控等領(lǐng)域的多家行業(yè)領(lǐng)先客戶批量供貨，并以卓越的性能和表現(xiàn)廣受好評。

本次發(fā)布會上，賽晶發(fā)布了第二款工業(yè)級模塊產(chǎn)品—ST封裝IGBT模塊。該模塊，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形設(shè)計（62mm），具有極佳的通用性，是工業(yè)級IGBT模塊中的主流型號之一。特別是在光伏發(fā)電、低壓變頻器、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動、數(shù)控機(jī)床等領(lǐng)域，ST封裝IGBT模塊具有廣泛的市場需求。

此外，ST封裝IGBT模塊，采用優(yōu)化布局、三維信號傳輸?shù)葎?chuàng)新設(shè)計（已申請專利）實現(xiàn)了出色的模塊性能：同類產(chǎn)品中最低的內(nèi)部熱阻、連接阻抗、內(nèi)部雜散電感等。ST封裝IGBT模塊，是賽晶打造精品國產(chǎn)IGBT模塊戰(zhàn)略的最新成果。

加速國產(chǎn)代替進(jìn)口的進(jìn)程

在下游行業(yè)中，不管是變頻器、變流器，還是逆變器，以及其它光伏、風(fēng)電、電動汽車、高鐵以及家用變頻電器產(chǎn)品，都離不開IGBT器件，而近年來，光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電發(fā)展快速，汽車電氣化前景光明，但核心功率器件IGBT主要仍是依賴進(jìn)口。

隨著全球制造業(yè)逐步向中國轉(zhuǎn)移，中國已逐漸成為全球最大的IGBT市場。根據(jù)海關(guān)公布的進(jìn)口數(shù)據(jù)，我國有95%的高端IGBT芯片需要依賴進(jìn)口，主要集中在日德等IGBT企業(yè)，幾乎壟斷了國內(nèi)超過90%的高端IGBT市場。也就是說，中國是IGBT最大的需求市場，但并不是IGBT的供給市場，IGBT國產(chǎn)化需求刻不容緩。

近幾年，國內(nèi)芯片企業(yè)加快發(fā)展，憑借為客戶提供更好服務(wù)、價格優(yōu)勢等快速占據(jù)了部分市場。以光伏領(lǐng)域為例，2020年IGBT的國產(chǎn)化率幾乎為0，2021年國內(nèi)逆變器廠商開始大量導(dǎo)入本土IGBT單管供應(yīng)商及少數(shù)IGBT模塊供應(yīng)商，并于2022年開始放量采購。2022年2月，賽晶自主研發(fā)的ED封裝IGBT模塊取得突破，與國內(nèi)光伏行業(yè)的某知名企業(yè)正式簽訂框架采購框架協(xié)議，包含用于其集中式光伏逆變器等產(chǎn)品的數(shù)萬只ED封裝IGBT模塊。

賽晶的模塊并非簡單的模仿國外主流產(chǎn)品設(shè)計，而是建立在對技術(shù)深刻理解基礎(chǔ)上。從芯片到模塊開發(fā)，賽晶做到了完全自研，擁有眾多專利，形成了自有的一套體系，這也是賽晶領(lǐng)先于國內(nèi)同行的優(yōu)勢所在。此次賽晶推出的兩款I(lǐng)GBT新品，也將進(jìn)一步推進(jìn)國產(chǎn)代替進(jìn)口的進(jìn)程。

我們看到，賽晶在IGBT領(lǐng)域積極擴(kuò)展自身優(yōu)勢的同時，還在不斷前行。我們透過賽晶可以看到國產(chǎn)IGBT正在飛速發(fā)展，國產(chǎn)替代的曙光也在一步步變得更加明亮。

車規(guī)級SiC模塊不日到來

本次發(fā)布會的另一大亮點是賽晶正在研發(fā)中的兩款車規(guī)級SiC模塊：HEEV封裝和EVD封裝SiC MOSFET模塊。HEEV封裝的創(chuàng)新設(shè)計，能最大限度的發(fā)揮SiC模塊的出色性能。EVD封裝將推出SiC MOSFET和Si IGBT兩個版本，可以滿足汽車市場不同需求。目前，兩款模塊的研發(fā)進(jìn)展順利，并已進(jìn)入研發(fā)的尾聲階段。

伴隨著行業(yè)景氣度的好轉(zhuǎn)和政策的推動，功率半導(dǎo)體企業(yè)將面臨更加廣闊的市場機(jī)遇，當(dāng)下各企業(yè)都在摩拳擦掌，推出具有競爭力的產(chǎn)品和技術(shù)。賽晶以業(yè)內(nèi)頂級技術(shù)專家團(tuán)隊為核心，致力于打造國產(chǎn)精品IGBT、SiC產(chǎn)品；以國內(nèi)稀缺、國際領(lǐng)先的芯片技術(shù)，和創(chuàng)新優(yōu)化、性能卓越的模塊技術(shù)，服務(wù)于電動汽車、新能源發(fā)電、工業(yè)控制等國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。 成立至今，賽晶半導(dǎo)體業(yè)務(wù)取得了長足的進(jìn)步和令人欣喜的成績：生產(chǎn)基地拔地而起、全自動智能化生產(chǎn)線穩(wěn)定運行；i20系列1200V IGBT芯片、ED封裝IGBT模塊批量生產(chǎn)、廣受好評；研發(fā)團(tuán)隊大咖云集、研發(fā)成果喜報頻傳。 賽晶表示，展望未來，賽晶將繼續(xù)以打造國產(chǎn)IGBT、SiC精品為己任，為新能源產(chǎn)業(yè)和廣大客戶提供更多、更好的產(chǎn)品與服務(wù)。 當(dāng)下，功率半導(dǎo)體已站上風(fēng)口，本土企業(yè)迎來自主突圍的拐點。在技術(shù)發(fā)展以及國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商的積極響應(yīng)下，國產(chǎn)替代效應(yīng)逐步加強(qiáng)，市占率穩(wěn)步提升。雖然，我國功率半導(dǎo)體還存在一定的技術(shù)瓶頸，但伴隨著新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)增長，未來功率器件國產(chǎn)化仍存在很大的提升空間。

編輯：黃飛

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