二極管本器件采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)［1、2］：IGBT4和EmCon4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結(jié)合改進型發(fā)射極控制二極管，針對高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應(yīng)用滿足
2018-12-07 10:23:42
8-20kHz之間，請使用英飛凌后綴為DN2、RT4、KT4的IGBT模塊.高壓1700VFF600R17ME4(600A/1700V) FF450R17ME4(450A/1700V)FF300R17ME4
2022-05-10 10:06:52
的損耗大約為1400W，分析主要可能存在偏差的地方在與
IGBT參數(shù)的讀取，但是實際的1420W與仿真數(shù)據(jù)十分接近，認為數(shù)據(jù)是有效的，當電壓抬高到
750V時，計算的損耗到1494W，認為上述理論是有效的。原作者：switch 談?wù)動布睦碚?/div>
2023-02-24 16:47:34
`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進行開關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動電路
2017-10-10 17:16:20
如圖，英飛凌200A IGBT的帶載驅(qū)動波形，開通與關(guān)斷中震蕩是什么原因造成的（圈住的部分），控制方式為單極性倍頻。求大家指教
2019-06-18 23:13:05
全球半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商英飛凌聯(lián)合第三方，推出了性能優(yōu)越的的750W伺服套件。該套件包括主控板和功率板兩部分。主控板采用英飛凌32位微處理器XMC4500（ARM Cortex-M4 core）為主
2018-12-11 10:47:32
我在做軟開關(guān)，使用的是英飛凌IGBT:BSM150GB60DLC，在大負載時驅(qū)動波形會有振蕩現(xiàn)象，有個別大神說可能是IGBT問題，有用過這個信號的大神嗎？這個管子怎么樣？
2019-03-14 16:50:48
英飛凌IGBT參數(shù)中文版搞電源變頻器電焊機 必備資料
2019-02-09 21:33:19
[tr][td]英飛凌IGBT應(yīng)用常見問題解答1.IGBT模塊適用于哪些產(chǎn)品？2.Easy系列模塊電壓/電流/功率范圍？3.Easy系列有哪幾種封裝？........總共23個問題，，已經(jīng)有此資料
2018-12-13 17:16:13
山東等地大量回收IGBT模塊電話151-5220-9946微信同步QQ2360670759山東地區(qū)回收IGBT模塊,公司專業(yè)回收西門康模塊,求購英飛凌模塊,大量回收富士模塊,高價回收三菱模塊,功率
2021-09-12 18:03:24
FZ400R17KE3 英飛凌 FZ400R12KS4英飛凌 FZ600R17KE3英飛凌 FZ600R12KS4 英飛凌 FF450R12KT4英飛凌 BSM100GB120DN2K 英飛凌
2012-09-13 20:53:05
英飛凌汽車級總線收發(fā)器設(shè)計應(yīng)用 Addressed Application1.Powertrain: Engine management, transmission, hybrid
2009-11-26 16:36:50
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
英飛凌科技推出XMC4000單片機家族2
2012-08-17 13:29:28
BSM100GB120DN2K 37.7 253.5 280.3 英飛凌FP25R12KT330.0 180.6 223.1 英飛凌FP75R12KT365.5 393.6 486.3 英飛凌FS100R12KT365.6
2012-07-29 12:07:29
導(dǎo)讀：據(jù)報道，德州儀器（簡稱“TI”）日前推出業(yè)界最小的12V、750mA DC/DC電源穩(wěn)壓器LMR22007.此器件支持高性能并采用極小型毫微級封裝，非常適合消費類、工業(yè)以及汽車等領(lǐng)域的需求
2018-09-27 15:16:02
如附件所示，系統(tǒng)輸入DC12V，高頻變壓器設(shè)計的1：62.5，在750V輸出處空載時是八九百伏，當接上100k左右電阻時只有300V左右，隨著電阻的增大，輸出電壓也在變大，這是不是因為高頻變壓器設(shè)計的問題？感量不夠等原因？
2017-09-28 08:49:34
TT162N14KOF FP15R12YT3BSM200GA120DN2FS_E3256 BSM200GA120DN2FS_E3256 BSM50GX120DN2 FS200R12PT4 T589N16TOF
2021-12-02 17:55:00
高價求購英飛凌IGBT模塊 現(xiàn)金回收三菱功率模塊三菱IPM模塊回收三菱模塊CM75YE13-12F CM110YE4-12F CM165YE4-12F C**YE2P-12F/2N-2
2021-03-26 17:05:00
中國上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
供應(yīng)英飛凌的模塊，IGBT，***
2017-06-06 18:09:32
充電電路用于輸出電壓經(jīng)整流后在10ms左右給20uF的儲能大電容充電到750V。充電電路設(shè)計為典型UC2843構(gòu)成的反激充電，pwm波為50kHZ左右，占空比0.45左右，輸入電壓為DC12V，對于
2017-09-29 17:35:51
大量回收INFINEON英飛凌IGBT模塊 收購INFINEON英飛凌IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 23606570759 ,本公司長期回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT,回收功率模塊,回收個人剩余IGBT模塊,回收項目多余IGBT,回收全新IGBT,收購全部
2021-12-12 17:47:34
發(fā)揮重要作用?！彪妱咏煌夹g(shù)的量產(chǎn)在很大程度上取決于是否能推出經(jīng)濟、可靠的功率電子器件。從IGBT 芯片、分立驅(qū)動芯片到功率模塊，英飛凌的產(chǎn)品組合旨在幫助開發(fā)適用于混合動力汽車和電動汽車的優(yōu)化系統(tǒng)解決方案。為
2018-12-06 09:57:11
Transistor：JFET）效應(yīng)。以Trench + Field-Stop技術(shù)命名的IGBT主要包括英飛凌、富士電機、飛兆半導(dǎo)體和IR等公司的新型IGBT產(chǎn)品。表 2給出了英飛凌1200V/100A NPT
2015-12-24 18:23:36
回收英飛凌IGBT模塊回收三菱IGBT模塊回收富士IGBT模塊回收西門康IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ2360670759回收歐派克IGBT模塊回收IR IGBT模塊回收東芝
2021-03-01 15:10:19
R12KT4
變頻器模塊電路拓撲及封裝外形介紹——半橋模塊
對照英飛凌型號參考：
華潤微
封裝
對應(yīng)IFX型號
CRGMF200T120DS1AH
Alpha 2（62mm）
FF200
2023-10-08 14:34:28
英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規(guī)級基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。根據(jù)逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-29 07:42:30
由分立元件構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路
2019-11-07 01:22:18
R12KT4 FF200R12KT3 FF450R12KT4 英飛凌IGBT模塊,芯瑞回收英飛凌IGBT模塊 BSM100GB120DN2B BSM150GB120DN2B,回收不限地區(qū),不限數(shù)量,不限型號,歡迎
2022-01-01 19:06:43
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2021-01-09 18:20:52
= 0.5V）Dbody s2 21 DBODY .MODEL DBODY D（IS = 15.2p N = 1.08 RS = 6u EG = 1.12 TT = 750n）Rdiode d1 21
2018-12-12 16:21:55
天津大量上門高價回收IGBT模塊 長期收購IGBT模塊(富士,三菱,INFINEON英飛凌,西門康等等品牌IGBT模塊。 5:回收繼電器 長期收購繼電器(歐姆龍,宏發(fā),泰科等等品牌繼電器。電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-11-23 19:05:22
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2021-12-16 16:51:05
山東省長期上門收購英飛凌IGBT模塊富士IGBT模塊日 匯灃科技工控自動化公司提供全國高價回收IGBT模塊長期大量回收二手IGBT模塊,包括三菱IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,富士IGBT模塊
2022-02-14 17:34:35
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2021-05-17 19:54:53
寧波天津市有收購三菱IGBT模塊報價英飛凌模塊回收蘇州有收購三菱IGBT模塊 蘇州英飛凌模塊回收上海IGBT模塊回收模塊回收上海模塊回收長期收購各類庫存電焊機模塊回收IGBT電源模塊回收高頻電源
2022-01-04 20:52:15
前面我們講了，電流傳感器的Ip電流為0V時，電流傳感器Vout輸出2.5V;當Ip等于+750A時，Vout輸出為4.375V;當Ip電流等于-750V時，Vout輸出為0.625V。從上面的數(shù)據(jù)
2021-09-28 20:33:55
高價收購各種型號的英飛凌IGBT模塊: 高價收購英飛凌IGBT模塊，收購富士IGBT模塊，收購西門康IGBT模塊，收購斯達STARPOWER模塊，收購MgnaCHip梅格納模塊，收購MACMIC
2021-01-07 14:59:07
洛陽回收富士IGBT價格 回收富士模塊 本公司長期回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT,回收功率模塊,回收個人剩余IGBT三菱IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,富士IGBT模塊
2021-09-16 14:19:49
，提出了汽車級IGBT概念，并詳細說明了英飛凌汽車級IGBT針對汽車應(yīng)用做出的改進 1.簡介混合動力車中IGBT，相對于傳統(tǒng)工業(yè)應(yīng)用，工作環(huán)境惡劣，對IGBT長期使用的可靠性提出了更高的要求，針對汽車功率
2018-12-06 09:48:38
模塊長期高價回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ? 無錫不限量收購回收英飛凌IGBT模塊電話151-5220-9946QQ2360670759
2021-02-24 17:06:50
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2021-09-25 18:53:15
千瓦。該模塊使用了最新一代 IGBT 芯片 EDT2，此芯片采用汽車級微溝槽柵場終止型技術(shù)。該芯片組具有業(yè)內(nèi)標桿的電流密度、同時具備短路能力，并提高了電壓等級，以保障逆變器在惡劣環(huán)境下可靠地運行。此外
2021-03-27 19:25:05
。（IGBT = MOSFET + 晶體管） FS820R08A6P2B型IGBT模塊的工作電流高達820 A，吸收電壓為750 V，且配備用于冷卻液的針狀散熱翅片，為IGBT模塊提供散熱。這些模塊能實現(xiàn)高達
2023-03-23 16:01:54
650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個50A TRENCHSTOP? 快速開關(guān) IGBT 和一個 CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓撲
2021-03-29 11:00:47
`目前，米爾科技推出了3款TI AM335X開發(fā)板，可選工業(yè)級和商業(yè)級。主要區(qū)別為工作溫度范圍區(qū)別。工業(yè)級可工作于：-40~+85°C商業(yè)級可工作于：0~70°C`
2014-10-23 16:50:26
分立元件構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路
2019-09-24 09:13:35
EconoDUAL3 ?無錫求購英飛凌IGBT模塊FF600R12IS4F 600A,1200V,PrimePack2 PrimePack2 ?徐州收購回收英飛凌IGBT模塊FF1400R12IP4
2021-09-17 19:23:57
歐元（600 V、20 A）到5.10歐元（1,200 V、40 A）。針對應(yīng)用而優(yōu)化的IGBT提高能源效率和改進系統(tǒng)成本，仍然是光伏逆變器、不間斷電源（UPS）和焊接系統(tǒng)等傳統(tǒng)IGBT應(yīng)用，以及
2018-12-03 13:47:00
200W風機可實現(xiàn)同時控制。該電路板可以由110V或 230V市電供電。該套件包含兩個微控制器電路板和USB接口、兩個變頻器級（1.2kW和 200W）和PFC級。它所包含的一個8位控制器（XC-878
2018-12-07 10:16:42
2MBI200VB-120-50 技術(shù)參數(shù)：? Ic(A),Tc=80℃ 200? Vce(sat
2023-01-13 09:21:36
英飛凌IGBT模塊FF150R17KE4FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個
2023-02-07 09:50:06
英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n
2023-02-07 09:58:53
FF200R17KE4英飛凌IGBT模塊FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個
2023-02-07 10:42:08
FF450R17ME4英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個
2023-02-07 13:52:10
FZ600R17KE3 IGBT模塊FZ600R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加
2023-02-07 14:36:09
英飛凌IGBT模塊FF200R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層，這個附加層被稱為電場終止
2023-02-24 14:45:08
FF400R33KF2C英飛凌IGBT模塊FF400R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層
2023-02-24 14:50:42
FZ800R33KF2CIGBT模塊英飛凌FZ800R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個n型摻雜附加層
2023-02-24 14:55:47
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳
2024-02-26 19:40:31
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57
828 英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大功率MOSFET 產(chǎn)品陣
2010年1月21日，德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近
2010-01-26 09:25:271053 分立元件構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路
2010-02-17 17:07:415047 
英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導(dǎo)二極管的20A 1350V器件，再次擴充逆導(dǎo)（RC） 軟開關(guān)IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）產(chǎn)品組合。新的20A RC-H5是對英飛凌性能領(lǐng)先的RC-H系列的擴展，重點關(guān)注感應(yīng)加熱應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高可靠性要求。
2014-02-24 14:42:25827 2014年12月2日，慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對大功率應(yīng)用擴大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標準TO-247-3。
2014-12-02 11:12:047284 英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片，可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292516 
基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對工業(yè)電機驅(qū)動應(yīng)用進行芯片優(yōu)化，實現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:4412361 LT1812：3 mA、100 MHz、750V/μs運算放大器，帶關(guān)斷數(shù)據(jù)表
2021-05-21 08:14:41
1 RH1814M：四路3 mA、100 MHz、750V/μs運算放大器產(chǎn)品手冊
2021-05-24 19:56:322 英飛凌推出了一款車規(guī)級基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。
2021-10-12 09:34:451949 英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規(guī)級基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。根據(jù)逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-19 12:36:0434 APEC 2022 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布推出內(nèi)部集成750V PowiGaN?氮化鎵開關(guān)
2022-03-22 12:44:091014 450/750V及以下橡皮絕緣電纜，實驗方法和標準
2022-07-31 09:15:121 UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:081068 UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo收購）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統(tǒng)功率密度。
2022-10-27 16:33:29739 英飛凌igbt型號及參數(shù)大全 英飛凌(Infineon)是德國西門子半導(dǎo)體集體(Siemens)的獨立上市公司。前身也叫歐派克(EUPEC:歐洲電力電子公司)。 一.拓撲圖與型號的關(guān)系:型號開頭
2023-02-08 14:17:295593 
英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高，在設(shè)計靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級，適用于
2023-02-16 16:30:581136 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無引線（TOLL）封裝技術(shù)，用于其高性能 5.4（mΩ）750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發(fā)
2023-04-11 15:55:09493 新品120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT120-200A750VEDT2工業(yè)級分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSMD封裝產(chǎn)品型號
2023-05-18 09:41:31856 
森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優(yōu)點。
2023-07-26 17:34:13355 
Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商，其IGBT管產(chǎn)品在市場上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號:一、英飛凌IGBT管前10熱門
2023-08-25 16:58:531479 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ業(yè)務(wù)擴增數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有RHH1814M: 3mA、100MHz、750V/μ業(yè)務(wù)擴增
2023-10-08 16:00:48
英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:35653 
英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:36527 
英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，專注于電力管理、汽車和電動汽車解決方案、智能家居和建筑自動化、工業(yè)自動化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域，英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469 深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上，至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產(chǎn)品。
2024-01-16 15:45:17286 英飛凌近期發(fā)布了搭載第五代人機界面（HMI）技術(shù)的新型汽車可編程SoC，以及汽車和工業(yè)級750V G1離散SiC MOSFET，這兩項新產(chǎn)品的發(fā)布進一步鞏固了英飛凌在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-03-08 10:52:19268 英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45210 
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