全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無(wú)引線(TOLL)封裝技術(shù),用于其高性能 5.4(mΩ)750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發(fā)布的 750V SiC FETs 產(chǎn)品系列中的首發(fā)產(chǎn)品,其導(dǎo)通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于受空間限制的應(yīng)用場(chǎng)景,如從幾百瓦到千萬(wàn)瓦的交流 / 直流電源以及高達(dá) 100A 的固態(tài)繼電器和斷路器。
在600/750V功率FETs類別中,Qorvo Gen 4 SiC FETs在導(dǎo)通電阻和輸出電容的主要品質(zhì)方面的性能堪稱無(wú)與倫比。此外,在TOLL封裝中,這些器件具有5.4 mΩ的導(dǎo)通電阻,比目前市場(chǎng)同類產(chǎn)品中最佳的Si MOSFETs、SiC MOSFETs和GaN晶體管還要低上4-10倍。SiC FETs的750V額定電壓也比其它的一些替代技術(shù)高100-150伏,為管理電壓瞬變提供了顯著增強(qiáng)的設(shè)計(jì)余量。
Qorvo電源器件事業(yè)部首席工程師Anup Bhalla表示:“在TOLL封裝中推出我們的5.4 mΩ Gen4 SiC FET旨在為行業(yè)提供最佳性能器件以及多種器件選擇,為此我們已邁出重要的一步,尤其對(duì)于從事工業(yè)應(yīng)用的客戶,他們需要這種靈活性和提升成本效益的電源設(shè)計(jì)組合。”
TOLL封裝的尺寸相比D2PAK表面貼裝器件減少30%,高度為2.3毫米,相當(dāng)于同類產(chǎn)品的一半。盡管尺寸縮小,但先進(jìn)的制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從結(jié)到殼的行業(yè)領(lǐng)先的0.1°C/W熱阻。直流電流額定值為120A,最高可達(dá)144°C,脈沖電流額定值為588A,最高可達(dá)0.5毫秒。結(jié)合極低的導(dǎo)通電阻和出色的瞬態(tài)熱行為,產(chǎn)生了比相同封裝中的Si MOSFET好8倍的'I2t'評(píng)級(jí),這將有助于提高魯棒性和免疫性,同時(shí)也簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。TOLL封裝 還提供了Kevin源連接以實(shí)現(xiàn)可靠的高速轉(zhuǎn)換。
這些第四代SiC FET利用Qorvo獨(dú)特的串聯(lián)電路結(jié)構(gòu),將SiC JFET與Si MOSFET共同封裝 在一起,實(shí)現(xiàn)寬禁帶開(kāi)關(guān)技術(shù)的全部效率和Sic MOSFET簡(jiǎn)化門級(jí)驅(qū)動(dòng)。
現(xiàn)在可使用Qorvo免費(fèi)在線工具計(jì)算TOLL封裝的Gen4 5.4 mΩSiC FET,該計(jì)算器可以立即評(píng)估各種交流/直流和隔離/非隔離的DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/span>連接的效率、元器件損耗和結(jié)溫上升??蓪蝹€(gè)和并聯(lián)的器件在用戶指定的散熱條件下進(jìn)行對(duì)比,以獲取最佳解決方案。
如欲了解更多Qorvo電源應(yīng)用的先進(jìn)解決方案,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)https://www.qorvo.com/innovation/power-solutions。
關(guān)于 Qorvo
Qorvo(納斯達(dá)克代碼:QRVO)提供各種創(chuàng)新半導(dǎo)體解決方案,致力于讓我們的世界更美好。我們結(jié)合產(chǎn)品和領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、以系統(tǒng)級(jí)專業(yè)知識(shí)和全球性的制造規(guī)模,快速解決客戶最復(fù)雜的技術(shù)難題。Qorvo 面向全球多個(gè)快速增長(zhǎng)的細(xì)分市場(chǎng)提供解決方案,包括消費(fèi)電子、智能家居/物聯(lián)網(wǎng)、汽車、電動(dòng)汽車、電池供電設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、醫(yī)療保健和航空航天/國(guó)防。訪問(wèn) www.qorvo.com ,了解我們多元化的創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)如何連接地球萬(wàn)物,提供無(wú)微不至的保護(hù)和源源不斷的動(dòng)力。
Qorvo 是 Qorvo, Inc. 在美國(guó)和其他國(guó)家/地區(qū)的注冊(cè)商標(biāo)。
原文標(biāo)題:Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
文章出處:【微信公眾號(hào):Qorvo半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
-
Qorvo
+關(guān)注
關(guān)注
17文章
643瀏覽量
77438
原文標(biāo)題:Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
文章出處:【微信號(hào):Qorvo_Inc,微信公眾號(hào):Qorvo半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論