0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

Qorvo半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:未知 ? 2023-04-11 15:55 ? 次閱讀

全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無(wú)引線(TOLL)封裝技術(shù),用于其高性能 5.4(mΩ)750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發(fā)布的 750V SiC FETs 產(chǎn)品系列中的首發(fā)產(chǎn)品,其導(dǎo)通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于受空間限制的應(yīng)用場(chǎng)景,如從幾百瓦到千萬(wàn)瓦的交流 / 直流電源以及高達(dá) 100A 的固態(tài)繼電器和斷路器。

600/750V功率FETs類別中,Qorvo Gen 4 SiC FETs在導(dǎo)通電阻和輸出電容的主要品質(zhì)方面的性能堪稱無(wú)與倫比。此外,在TOLL封裝中,這些器件具有5.4 mΩ的導(dǎo)通電阻,比目前市場(chǎng)同類產(chǎn)品最佳的Si MOSFETsSiC MOSFETsGaN晶體管還要低上4-10倍。SiC FETs750V額定電壓也比其它的一些替代技術(shù)高100-150伏,為管理電壓瞬變提供了顯著增強(qiáng)的設(shè)計(jì)余量。

Qorvo電源器件事業(yè)部首席工程師Anup Bhalla表示:TOLL封裝中推出我們的5.4 mΩ Gen4 SiC FET在為行業(yè)提供最佳性能器件以及多種器件選擇,為此我們已邁出重要的一步,尤其對(duì)于從事工業(yè)應(yīng)用的客戶,他們需要這種靈活性和提升成本效益的電源設(shè)計(jì)組合。

TOLL封裝的尺寸D2PAK表面貼裝器件減少30%,高度為2.3毫米,相當(dāng)于同類產(chǎn)品的一半。盡管尺寸縮小,但先進(jìn)的制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從結(jié)到殼的行業(yè)領(lǐng)先的0.1°C/W熱阻。直流電流額定值為120A,最高可達(dá)144°C,脈沖電流額定值為588A,最高可達(dá)0.5毫秒。結(jié)合極低的導(dǎo)通電阻和出色的瞬態(tài)熱行為,產(chǎn)生了比相同封裝中的Si MOSFET8倍的'I2t'評(píng)級(jí),這將有助于提高魯棒性和免疫性,同時(shí)也簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。TOLL封裝 還提供了Kevin源連接以實(shí)現(xiàn)可靠的高速轉(zhuǎn)換。

這些第四代SiC FETQorvo獨(dú)特的串聯(lián)電路結(jié)構(gòu),將SiC JFETSi MOSFET共同封裝 在一起,實(shí)現(xiàn)寬禁帶開(kāi)關(guān)技術(shù)的全部效率和Sic MOSFET簡(jiǎn)化門級(jí)驅(qū)動(dòng)。

現(xiàn)在可使用Qorvo免費(fèi)在線工具計(jì)算TOLL封裝的Gen4 5.4 mΩSiC FET,該計(jì)算器可以立即評(píng)估各種交流/直流和隔離/非隔離的DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/span>連接的效率、元器件損耗和結(jié)溫上升??蓪蝹€(gè)和并聯(lián)的器件在用戶指定的散熱條件下進(jìn)行對(duì)比,以獲取最佳解決方案。

如欲了解更多Qorvo電源應(yīng)用的先進(jìn)解決方案,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)https://www.qorvo.com/innovation/power-solutions。

關(guān)于 Qorvo

Qorvo(納斯達(dá)克代碼:QRVO)提供各種創(chuàng)新半導(dǎo)體解決方案,致力于讓我們的世界更美好。我們結(jié)合產(chǎn)品和領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、以系統(tǒng)級(jí)專業(yè)知識(shí)和全球性的制造規(guī)模,快速解決客戶最復(fù)雜的技術(shù)難題。Qorvo 面向全球多個(gè)快速增長(zhǎng)的細(xì)分市場(chǎng)提供解決方案,包括消費(fèi)電子智能家居/物聯(lián)網(wǎng)、汽車、電動(dòng)汽車、電池供電設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、醫(yī)療保健和航空航天/國(guó)防。訪問(wèn) www.qorvo.com ,了解我們多元化的創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)如何連接地球萬(wàn)物,提供無(wú)微不至的保護(hù)和源源不斷的動(dòng)力。

Qorvo 是 Qorvo, Inc. 在美國(guó)和其他國(guó)家/地區(qū)的注冊(cè)商標(biāo)。


原文標(biāo)題:Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

文章出處:【微信公眾號(hào):Qorvo半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • Qorvo
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    643

    瀏覽量

    77438

原文標(biāo)題:Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

文章出處:【微信號(hào):Qorvo_Inc,微信公眾號(hào):Qorvo半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    中恒微發(fā)布Mini Z3功率模塊:750V新技術(shù)車規(guī)級(jí)芯片引領(lǐng)新能源變革

    ,以新一代750V車規(guī)級(jí)芯片為核心,再次刷新了車用IGBT模塊的性能標(biāo)準(zhǔn)。 Mini Z3功率模塊不僅繼承了中恒微半導(dǎo)體在IGBT技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累,更在性能上實(shí)現(xiàn)了顯著的提升。其采用的750V新技術(shù)車規(guī)級(jí)芯片,不僅大幅提高了模
    的頭像 發(fā)表于 12-26 13:56 ?131次閱讀

    新品 | 750V 8mΩ CoolSiC? MOSFET

    750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅(jiān)固的SiCMOSFET,具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性
    的頭像 發(fā)表于 12-20 17:04 ?152次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>750V</b> 8<b class='flag-5'>m</b>Ω CoolSiC? MOSFET

    DC1500V轉(zhuǎn)750V DC/DC直流變換器設(shè)備概述

    DC1500V轉(zhuǎn)750V DC/DC直流變換器(DCDC轉(zhuǎn)換器或DCDC隔離模塊電源)是一種電力電子設(shè)備,用于將1500V的直流電壓轉(zhuǎn)換為750V的直流電壓。以下是對(duì)該設(shè)備的詳細(xì)解析:
    的頭像 發(fā)表于 11-19 17:02 ?246次閱讀
    DC1500<b class='flag-5'>V</b>轉(zhuǎn)<b class='flag-5'>750V</b> DC/DC直流變換器設(shè)備概述

    Qorvo SiC JFET推動(dòng)固態(tài)斷路器革新

    Qorvo推出了一款750V、4毫歐(mΩ)碳化硅(SiC)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)產(chǎn)品;其采用緊湊型無(wú)引腳表面貼裝(TOLL
    的頭像 發(fā)表于 11-15 16:04 ?233次閱讀

    Navitas推出新一代650V SiC MOSFET,采用高效TOLL封裝

    Navitas半導(dǎo)體公司日前宣布擴(kuò)展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET,新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無(wú)引腳晶體管外形)封裝。這種新型
    的頭像 發(fā)表于 08-05 11:25 ?410次閱讀
    Navitas推出新一代650<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET,采用高效<b class='flag-5'>TOLL</b><b class='flag-5'>封裝</b>

    Qorvo? 推出采用 TOLL 封裝750V 4mΩ SiC JFET,推動(dòng)斷路器技術(shù)的革命性變革

    至關(guān)重要。 UJ4N075004L8S 的導(dǎo)通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ,是業(yè)內(nèi)采用標(biāo)準(zhǔn)分立封裝的 650V750V 等級(jí)功率
    發(fā)表于 06-14 15:29 ?773次閱讀
    <b class='flag-5'>Qorvo</b>? 推出采用 <b class='flag-5'>TOLL</b> <b class='flag-5'>封裝</b>的 <b class='flag-5'>750V</b> 4<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>SiC</b> JFET,推動(dòng)斷路器技術(shù)的革命性變革

    Qorvo?推出采用TOLL封裝750V4mΩSiC JFET

    至關(guān)重要。 UJ4N075004L8S 的導(dǎo)通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ,是業(yè)內(nèi)采用標(biāo)準(zhǔn)分立封裝的 650V750V 等級(jí)功率
    的頭像 發(fā)表于 06-12 14:04 ?430次閱讀

    ROHM開(kāi)發(fā)出新型二合一 SiC封裝模塊“TRCDRIVE pack?”

    出二合一SiC封裝型模塊“TRCDRIVE pack?”,共4款產(chǎn)品(750V 2個(gè)型號(hào):BSTxxxD08P4A1x4,1,200V 2個(gè)型號(hào):BSTxxxD12P4A1x1)。TR
    的頭像 發(fā)表于 06-11 14:19 ?423次閱讀
    ROHM開(kāi)發(fā)出新型二合一 <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>封裝</b>模塊“TRCDRIVE pack?”

    如何實(shí)現(xiàn)功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)呢?

    為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A
    的頭像 發(fā)表于 03-13 10:34 ?1903次閱讀
    如何實(shí)現(xiàn)<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b>密度三相全橋<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b>模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)呢?

    Qorvo發(fā)布緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊

    全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩
    的頭像 發(fā)表于 03-03 16:02 ?922次閱讀

    Qorvo推出創(chuàng)新緊湊型E1B封裝1200V SiC模塊

    Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示:“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式 SiC FET,從而簡(jiǎn)化熱機(jī)械設(shè)計(jì)和裝配。
    發(fā)表于 02-29 12:50 ?408次閱讀

    Qorvo借助SiC FET獨(dú)特優(yōu)勢(shì),穩(wěn)固行業(yè)領(lǐng)先地位

    在產(chǎn)品研發(fā)方面,2023年,Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)(5.4mΩ)的TOLL封裝750V FET,這是任何其它
    發(fā)表于 02-21 14:40 ?303次閱讀

    Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET

    Qorvo,全球領(lǐng)先的綜合連接和電源解決方案供應(yīng)商,近日發(fā)布了其全新車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品。這款產(chǎn)品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的9
    的頭像 發(fā)表于 02-01 10:18 ?777次閱讀

    Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET,提升 750V 電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)性能

    D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容
    發(fā)表于 01-31 15:19 ?2595次閱讀
    <b class='flag-5'>Qorvo</b>? 推出D2PAK <b class='flag-5'>封裝</b> <b class='flag-5'>SiC</b> FET,提升 <b class='flag-5'>750V</b> 電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)性能

    至信微發(fā)布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

    深圳市至信微電子有限公司(簡(jiǎn)稱:至信微)在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會(huì)。此次大會(huì)上,至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片,其中包括1200V/7
    的頭像 發(fā)表于 01-16 15:45 ?966次閱讀