中國(guó) 北京,2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布,率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅(SiC)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護(hù)應(yīng)用而設(shè)計(jì),UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)在上述應(yīng)用中至關(guān)重要。
UJ4N075004L8S 的導(dǎo)通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ,是業(yè)內(nèi)采用標(biāo)準(zhǔn)分立封裝的 650V 至 750V 等級(jí)功率器件中導(dǎo)通電阻最低的器件。較低的導(dǎo)通電阻使發(fā)熱量顯著降低,加之緊湊的 TOLL 封裝,使解決方案的尺寸比 TO-263 封裝的同類產(chǎn)品小 40%。新品可應(yīng)對(duì)目前電磁式斷路器對(duì)有限空間尺寸的所有要求,且無(wú)需復(fù)雜的冷卻系統(tǒng)即可運(yùn)行,加速?gòu)碾姶攀綌嗦菲飨蚧?a target="_blank">半導(dǎo)體的固態(tài)斷路器(SSCB)的轉(zhuǎn)型。
“隨著 UJ4N075004L8S 的推出,Qorvo 將繼續(xù)領(lǐng)導(dǎo) SiC 電源產(chǎn)品的創(chuàng)新,以超小型元件封裝的超低導(dǎo)通電阻 FET 器件助力電路保護(hù)等應(yīng)用的發(fā)展。”Qorvo SiC 電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示,“SSCB 市場(chǎng)正迅速增長(zhǎng),Qorvo 的最新產(chǎn)品是這一技術(shù)演進(jìn)中的重要里程碑?!?/p>
Qorvo 的 JFET 器件堅(jiān)固耐用,能夠在電路故障時(shí)承受極高的浪涌電流并實(shí)現(xiàn)關(guān)斷,非常適合應(yīng)對(duì)電路保護(hù)領(lǐng)域的挑戰(zhàn)。其最新款 JFET 還能承受高瞬時(shí)結(jié)溫而不發(fā)生性能劣化或參數(shù)漂移。JFET 的常開(kāi)特性使其能無(wú)縫集成到默認(rèn)導(dǎo)通狀態(tài)的系統(tǒng)中,并在故障條件下轉(zhuǎn)為關(guān)斷狀態(tài)。
UJ4N075004L8S 現(xiàn)已提供樣品,并將于 2024 年第四季度投入量產(chǎn);屆時(shí),Qorvo 還將推出更多 JFET 產(chǎn)品,包括額定電壓為 750V 的 5mΩ 產(chǎn)品和額定電壓 1200V 的 8mΩ 產(chǎn)品,均采用 TO-247 封裝。獲取有關(guān)這一變革性電源技術(shù)的更多詳情及詳細(xì)產(chǎn)品規(guī)格,請(qǐng)?jiān)L問(wèn) Qorvo 電源解決方案網(wǎng)站。
審核編輯 黃宇
-
電源
+關(guān)注
關(guān)注
184文章
17718瀏覽量
250170 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
126文章
7901瀏覽量
142959 -
導(dǎo)通電阻
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
349瀏覽量
19798
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論