--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Ic(A) 150
- Vce(sat) 2.3
- Ton(us) 0.31
- Toff(us) 0.95
- Rth(j-c) 0.135
- Pc(W) 1100
- 封裝 62mm
- 電路結(jié)構(gòu) 半橋
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
英飛凌IGBT模塊FF150R17KE4
FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加層被稱為電場(chǎng)終止(fieldstop),這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。該技術(shù)可使靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗減至最小,加上 IGBT3 具有更高電流密度,它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的功率范圍。硅片結(jié)溫可高達(dá)175℃,運(yùn)行溫度可達(dá)150℃。低損耗,F(xiàn)F150R12KS4 IGBT模塊具有低EMI噪聲,高可靠性,高運(yùn)行結(jié)溫等優(yōu)點(diǎn)。主要應(yīng)用在100KW光伏逆變器,電機(jī)驅(qū)動(dòng),電源等領(lǐng)域。
技術(shù)參數(shù):
? Ic(A),Tc=80℃ 150
? Vce(sat),Max(V) 2.3
? Ton(us) 0.31
? Toff(us) 0.95
? Rth(j-c),K/W 0.135
? Pc(W) 1100
? 封裝 62mm
? 電路結(jié)構(gòu) 半橋
性能概要:
? 提高工作溫度T(vj op)
? 無(wú)可比擬的耐用性
? V(CESAT)具有正溫度系數(shù)
? 低V(CESAT)
? 4KV AC 1分鐘絕緣
? CTI>400
? 高爬電距離和電氣間隙
? 隔離底板
? 標(biāo)準(zhǔn)封裝
優(yōu)點(diǎn):
? 靈活性
? 最佳的電氣性能
? 最高的可靠性
目標(biāo)應(yīng)用:
? 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)
? 風(fēng)能系統(tǒng)解決方案
高能效組件和子系統(tǒng)的系統(tǒng)的高可靠性
? 太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案
對(duì)于完整的太陽(yáng)能電力解決方案的主導(dǎo)產(chǎn)品
? 牽引
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