開關(guān)器件在運(yùn)行過程中存在短路風(fēng)險(xiǎn)，配置合適的短路保護(hù)電路，可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短路耐受時(shí)間更短。
2023-02-12 15:41:12
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基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開發(fā)出了短路耐受時(shí)間長，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-20 15:18:001556 。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲。在恢復(fù)瞬態(tài)，所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷，而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個(gè)數(shù)量級。這對于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
，因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻。 (4)碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600oC的報(bào)道，而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力?！ ?6
2019-01-11 13:42:03
應(yīng)用，處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用
IGBT器件。
碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構(gòu)建類似
MOSFET的組件，使電路具有比以往
IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關(guān)注，不僅因?yàn)樗?/div>
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅相較于硅材料可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18
。 功率半導(dǎo)體就是這樣。在首度商業(yè)化時(shí)，碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴，盡管認(rèn)識到了與硅基產(chǎn)品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潛在優(yōu)勢，大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
2023-02-27 14:28:47
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出?！ ?、SiCMOSFET 對于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
通碳化硅（SiC）陶瓷基板完全符合新能源汽車要求。碳化硅（SiC）陶基板小型化的特點(diǎn)可大幅削減新能源汽車的電力損失，使其在各種惡劣的環(huán)境下仍能正常工作。碳化硅基板除了在新能源汽車節(jié)能中占有重要地位外，在
2021-01-12 11:48:45
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達(dá)偵測
2020-12-16 11:31:13
，3.3 kW CCM 圖騰柱 PFC 的效率可達(dá)到 99% 以上（圖 4），其中在雙升壓 PFC 設(shè)計(jì)中使用 CoolMOS? 的最佳效率峰值為 98.85%。而且，盡管碳化硅MOSFET的成本較高
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
?！ 』景雽?dǎo)體自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達(dá)到國際先進(jìn)水平，可廣泛應(yīng)用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
材料的兩倍以上。因此，SiC所能承受的溫度更高，一般而言，使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件所能達(dá)到的最大工作溫度可到600 C。2) 高阻斷電壓與Si材料相比，SiC的擊穿場強(qiáng)是Si的十倍多
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?！ ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項(xiàng)目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權(quán)衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。碳化硅MOSFET
2022-03-29 10:58:06
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長，新的航空航天世界在用于電源和電機(jī)控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資，創(chuàng)能動力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實(shí)現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
0.5Ω，內(nèi)部柵極電阻為0.5Ω?！ 」β誓K的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標(biāo)稱電流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表現(xiàn)出顯著較低的開關(guān)損耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24
設(shè)計(jì)CoolSiC電路時(shí)允許選擇新的驅(qū)動集成電路器，則值得考慮具有較高欠壓鎖定（約13V）的驅(qū)動集成電路，以確保CoolSiC和系統(tǒng)可以在任何異常工作條件下安全運(yùn)行。 碳化硅MOSFET的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)
2023-03-14 14:05:02
點(diǎn)左面時(shí)，變換器工作在低于諧振頻率的升壓狀態(tài)，輸出二極管實(shí)現(xiàn)零電流ZCS關(guān)斷，碳化硅MOSFET關(guān)斷瞬間主要存在勵(lì)磁電流的較小關(guān)斷損耗。但其主要缺陷原邊勵(lì)磁電流有效值增加，從而在原邊產(chǎn)生環(huán)流損耗，此
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
，工作結(jié)溫可達(dá)175℃，與傳統(tǒng)硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上替代相同封裝的IGBT模塊，從而幫助客戶有效縮短產(chǎn)品開發(fā)周期，提高工作效率?！ ‘a(chǎn)品特點(diǎn) 溝槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的工作溫度，抗輻照能力得到提升；碳化硅材料擊穿電場是硅的 10 倍，因此，其器件可設(shè)計(jì)更高的摻雜濃度及更薄的外延厚度，與相同電壓等級的硅功率器件相比
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
) 碳化硅MOSFET具有極低的體二極管反向恢復(fù)時(shí)間(trr)及反向恢復(fù)電荷(Qrr)從而降低二極管開關(guān)損耗及操聲,便于實(shí)現(xiàn)LLC諧振寬范圍工作。同一額定電流器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷
2016-08-25 14:39:53
小于5ns； · 選用低傳輸延時(shí)，上升下降時(shí)間短的推挽芯片?！ 】傊?，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系統(tǒng)效率、功率密度和工作溫度的同時(shí)，對于驅(qū)動器也提出了更高要求，為了讓碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了，它的特點(diǎn)是：化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應(yīng)用的功率級提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
碳化硅MOSFET橋臂電路串?dāng)_抑制方法_鐘志遠(yuǎn)
2017-01-04 16:32:50
17 對于大功率應(yīng)用，如電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車或家用電器，碳化硅（MOSFET）MOSFET比硅IGBT具有許多優(yōu)點(diǎn)，包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密度和更低的通態(tài)電阻。
2017-11-01 11:47:5142 相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開關(guān)頻率場合時(shí)其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長。 為進(jìn)一步提升碳化硅 MOSFET
2018-10-08 08:00:0029 支持電動和混合動力汽車、數(shù)據(jù)中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應(yīng)用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:414694 硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號延遲和抗干擾幾個(gè)方面
2019-12-09 13:58:0223531 
該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。
2020-10-19 16:11:223530 
基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072 關(guān)于硅基 IGBT，碳化硅 MOSFET 在此應(yīng)用中也提供更好的性能：效率提高 2% 以上，功率密度增加 33%，系統(tǒng)成本更低，組件更少。
2022-08-09 10:06:00595 
SiC MOSFET 較 IGBT 可同時(shí)具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢。1）碳化硅擊穿電場強(qiáng)度是硅的十余倍，使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。
2022-08-23 09:46:342918 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件，主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短路保護(hù)、信號延遲和抗干擾**幾個(gè)方面。
2023-02-03 14:54:471076 碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù)，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)包括結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料選擇、工藝制程、測試技術(shù)等。
2023-02-15 16:19:007598 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
和碳化硅MOSFET。第三代半導(dǎo)體涵蓋SiC碳化硅二極管，SiC碳化硅MOSFET,SiC碳化硅模塊，SiC碳化硅裸芯片這四類
2023-02-21 10:16:472090 通常是可互換的，盡管MOSFET通常適用于較低的電壓和功率，而IGBT則很好地適應(yīng)更高的電壓和功率。隨著碳化硅的引入，MOSFET比以往任何時(shí)候都更有效，與傳統(tǒng)硅元件相比具有獨(dú)特的優(yōu)勢。
2023-05-24 11:25:281214 MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:151182 SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件，以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性，已經(jīng)越來越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么，如何用最有效的方式驅(qū)動碳化硅MOSFET，發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢，盡可能
2022-11-30 15:28:282648 
來源：碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201221 
隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:49855 
柵雙極晶體管）和碳化硅器件所使用的半導(dǎo)體材料不同。IGBT主要使用的是硅材料，而碳化硅使用的則是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半導(dǎo)體材料，具有一定的電性能和可靠性，但是它的熱穩(wěn)定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的熱穩(wěn)定性非常好，具有更高的耐溫性能，能夠承受更高的工作溫度和電壓。
2023-08-25 14:50:049049 的硅基MOSFET相比，碳化硅基MOSFET的尺寸可以顯著減小到原來的1/10，導(dǎo)通電阻也至少可以減小到原來尺寸的1/100。與硅基IGBT相比，同等規(guī)格的碳化硅基MOSFET的總能量損耗可大大降低70%。
2023-09-25 17:31:33233 碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
2023-09-28 18:19:571220 MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)簡單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02269 
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26322 
碳化硅和igbt的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）都是在電子領(lǐng)域中常見的器件。雖然它們都用于功率電子應(yīng)用，但在結(jié)構(gòu)、材料、性能和應(yīng)用方面存在一些顯著差異。本文將詳細(xì)介紹碳化硅
2023-12-08 11:35:531791 ，從而具有較高的導(dǎo)電能力和熱導(dǎo)率。相比傳統(tǒng)的硅MOSFET，在高溫環(huán)境下，碳化硅MOSFET表現(xiàn)更加出色。這意味著碳化硅MOSFET能夠在高溫條件下提供更高的功率密度和更高的效率。高溫特性使得碳化硅MOSFET成為高頻開關(guān)電路的理想選擇。 2. 快速開關(guān)速度： 碳化硅MOSFET具有極
2023-12-21 10:51:03357 碳化硅逆變器是一種基于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料的功率電子設(shè)備，主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能，如更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通損耗、更高的工作
2024-01-10 13:55:54272 共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15412 
在全球范圍內(nèi)，有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊，以下是一些知名的企業(yè)。
2024-01-25 14:01:22372 
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