奈梅亨，2022年4月27日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無引腳DFN封裝，配有側(cè)邊可濕焊盤 (SWF)。這些器件堅固耐用，節(jié)省
2022-04-27 18:08:53
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Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件
2011-05-13 08:44:56928 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。
2020-04-23 11:05:58799 、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤DFN3820A封裝。這四款新器件為商業(yè)、工業(yè)和車載應(yīng)用提供節(jié)省空間的高效解決方案，每種產(chǎn)品都有
2023-06-26 15:19:16373 
了一款 100V MOSFET—— AONA66916 ，該器件采用AOS創(chuàng)新型雙面散熱DFN 5 x 6 封裝。客戶系統(tǒng)研發(fā)人員一直以來把 AOS 產(chǎn)品作為其方案設(shè)計的重要組件之一，幫助客戶實現(xiàn)各種高性能應(yīng)用
2024-01-25 15:18:42617 
，智能穿戴，智能鎖觸摸按鍵等領(lǐng)域。品牌質(zhì)量，價格實惠，歡迎來電垂詢。 產(chǎn)品概述：TTP233D-SB6是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電
2019-05-16 15:57:53
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬
2018-08-28 16:07:42
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬
2018-08-06 18:16:28
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬
2018-07-27 09:58:22
廣大客戶提供產(chǎn)品解決方案及FAE技術(shù)支持。產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬
2020-08-26 16:33:25
產(chǎn)品概述：SP1108是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓范圍可由最低2V到最高24V，升壓最高可達(dá)28V可調(diào)，且內(nèi)部集成極低RDS內(nèi)阻100豪歐金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管
2021-10-26 15:56:58
DFN,QFN代工QQ67217217
2015-07-21 13:41:32
`產(chǎn)品概述：8223LC是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代
2018-11-07 16:14:17
`SOD882/DFN1006封裝DC0521P1 RCLAMP0521P采用超小型SOD882/DFN1006封裝封裝超低電容TVS/ESD保護(hù)二極管,應(yīng)用高速數(shù)據(jù)通信保護(hù)DC0521P15V雙向
2020-03-18 10:30:15
產(chǎn)品概述：8323是兩款國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代
2018-08-31 11:18:27
產(chǎn)品概述：8323是兩款國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代
2018-08-31 11:14:25
`產(chǎn)品概述：8223LD是一款國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片
2019-05-15 09:01:30
產(chǎn)品概述：8323F是兩款國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為
2021-12-13 16:38:14
凌特公司推出業(yè)界第一個采用纖巧 DFN 封裝的 1.8V 雙路和四路運(yùn)算放大器 LT6001 和 LT6002。這些微功率器件的每個放大器僅消耗 1.3uA 電流，并具有卓越的性能。在 25oC
2018-11-26 16:18:13
`產(chǎn)品概述：8323是國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代
2019-07-23 09:11:37
` 誰來闡述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06:28
誰來闡述一下mosfet是電壓型器件嗎
2019-10-25 15:58:03
mosfet的TO220封裝上的背后的鐵片接的是漏極嗎？為什么？
2015-10-25 20:56:23
、試驗器件IPZ65R019C7 最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET切換時間，比傳統(tǒng)的TO247封裝短。得益于開關(guān)損耗降低，最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET實現(xiàn)了更高效率，如圖
2018-10-08 15:19:33
大功率TVS管和小功率TVS管是有應(yīng)用區(qū)別是什么？小封裝大功率SMB30J系列TVS的應(yīng)用是什么？
2022-01-14 07:09:46
率?！ P3405提供一系列完善的保護(hù)功能，包括打嗝模式短路保護(hù)、欠壓閉鎖、超溫保護(hù)和過流保護(hù)，從而保護(hù)終端系統(tǒng)及器件本身?！ 〔捎肬-DFN2020-8封裝的AP3405以一千個為出貨批量。
2018-10-09 10:59:43
的基礎(chǔ)。MOSFET設(shè)計的改進(jìn)可使電路設(shè)計者充分發(fā)揮改進(jìn)器件的性能，比如開關(guān)性能的提高和其他幾個關(guān)鍵參數(shù)的改善，可確保轉(zhuǎn)換器能夠更高效地運(yùn)行。某些情況下，還可對設(shè)計的電路進(jìn)行修改。若不采用這些改進(jìn)
2018-12-07 10:21:41
`羅姆低門驅(qū)動電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅(qū)動類型。 這種廣泛的驅(qū)動器類型范圍支持從小信號到高功率的各種應(yīng)用。 這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。 各種大小
2021-02-02 09:55:16
sY7304DHC,高效33V，4A，1MHz升壓調(diào)節(jié)器，矽力杰代理供應(yīng)。1. 一般描述特征：sy7304是效率高，電流模式控制升壓穩(wěn)壓器。該器件集成了一個高Ω RDS（ON）的N溝道MOSFET
2016-05-03 20:36:24
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以實現(xiàn)相同的導(dǎo)通電阻?！ 〔粌H能夠以小封裝實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，而且能夠使門極電荷量Qg、結(jié)電容也變小?！ J-MOSFET只有900V的產(chǎn)品，但是SiC卻能夠以很低
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
，智能穿戴，智能鎖觸摸按鍵等領(lǐng)域。品牌質(zhì)量，價格實惠，歡迎來電垂詢。 產(chǎn)品概述：TTP233D-RB6是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電
2019-07-18 09:06:03
反向保護(hù)連接集成先進(jìn)功率MOSFET相當(dāng)于44米′DS(ON)·Dfn1X1x0.37-4包·低過充釋放電壓·超溫保護(hù)·過充電流保護(hù)0.4A兩步過流檢測：-過充電流0.4A-負(fù)載短路·充電器檢測功能
2021-04-10 17:15:51
`深圳市展嶸電子有限公司朱一鳴 手機(jī)號碼：***QQ：1275294458XB6091全網(wǎng)超小封裝DFN1X1封裝之一，耳機(jī)二合一保護(hù)IC專用XB6091ISC產(chǎn)品是一個高鋰的集成解決方案?離子
2019-05-05 19:42:04
MOSFET相當(dāng)于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過充釋放電壓低·過熱保護(hù)·過度充電電流保護(hù)·兩步過電流檢測:過量放電電流負(fù)載短路·充電器檢測功能·0V電池充電功能-內(nèi)部生成延遲時間·高精度
2018-11-01 19:06:21
長時間使用的信息設(shè)備?電池壽命?！る姵胤聪虮Ｗo(hù)連接·集成先進(jìn)功率MOSFET相當(dāng)于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過充釋放電壓低·過熱保護(hù)·過度充電電流保護(hù)·兩步過電流檢測:過量
2019-08-29 09:13:50
和鋰聚合物電池供電的需要長時間電池壽命的信息家電。電池反向保護(hù)無外載連接·集成先進(jìn)功率MOSFET相當(dāng)于44mΩrds(ON)·DFN1X1x0.37-4封裝·低過充電釋放
2021-05-12 17:48:35
電路應(yīng)用簡單、外圍器件少、超小封裝SOT23-6、大電流1A輸出、92%高效轉(zhuǎn)換。
2013-05-24 11:46:27
應(yīng)用。雖然3mm x 3mm功率封裝已經(jīng)使DC-DC電路使用的空間大幅減少，還是有機(jī)會能夠把所用的空間再減少一點(diǎn)，以及提高功率密度。實現(xiàn)這個目的的辦法之一是用組合了兩個器件的封裝替代分立的單片MOSFET
2013-12-23 11:55:35
功率MOSFET的高效熱管理
2019-02-03 21:16:30
，大電流，小封裝MOS，實際電壓可以達(dá)到100V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。HC510參數(shù)：100V 5A SOT-23 N溝道MOS管/場效應(yīng)管：100V 5A
2020-07-10 11:53:19
SOT23-6封裝(HT8233K)或者DFN-6 2*2(HT8323K)超小封裝 產(chǎn)品應(yīng)用：◆ 智能穿戴◆ TWS藍(lán)牙耳機(jī)◆ 指紋鎖聯(lián)系人：洪武（銷售工程）手機(jī)：***Q Q: 2926372413
2020-07-08 08:54:04
了先進(jìn)的功率管，高精度電壓檢測和延遲電路。XB6166IS為DFN2x2-6的封裝形式，并且只需要一個外圍器件，非常適合用于空間有限的電池保護(hù)板應(yīng)用。XB6166IS具有過充保護(hù)，過放保護(hù)，過流保護(hù)
2019-09-05 11:28:39
產(chǎn)品概述：8323是兩款國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代
2018-08-31 11:17:24
◆ DFN-6 2*2封裝單通道觸摸按鍵芯片8323現(xiàn)已經(jīng)批量出貨，大量庫存，歡迎選購！產(chǎn)品概述：8323是兩款國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給
2018-09-20 10:17:30
`快速充電過壓充電保護(hù)器件TVS DFN1610DFN2020P2E封裝DFN1610-2L封裝浪涌保護(hù)器件 DC0371P6 (Marking Code: 73)DC0571P6 (Marking
2019-09-24 09:16:59
SOT23-6封裝(HT8233K)或者DFN-6 2*2(HT8323K)超小封裝 產(chǎn)品應(yīng)用：◆ 智能穿戴◆ TWS藍(lán)牙耳機(jī)◆ 指紋鎖聯(lián)系人：洪武（銷售工程）手機(jī)：***座機(jī)：0755-33653783 （直線）Q Q: 2926372413
2020-07-21 17:25:37
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
產(chǎn)品概述：233DS是一款采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代傳統(tǒng)
2019-05-15 08:47:53
一個6腳芯片上印有EADURT字樣，芯片很小封裝像SOP6，除去引腳，大小就比0805的電阻大點(diǎn)。不知道是個什么芯片啊，好像是用在電源部分。
2014-10-14 09:35:15
產(chǎn)品概述：8223LC和8323是兩款款國內(nèi)首創(chuàng)采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內(nèi)建穩(wěn)壓電路,提供穩(wěn)定的電壓給觸摸感應(yīng)電路使用,穩(wěn)定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應(yīng)用的需求,此觸摸
2018-08-29 09:54:21
哪一個小封裝的單片機(jī)芯片帶ADC,DAC,UART?
2023-06-25 06:19:41
MOSFET，高精度電壓檢測電路和延遲電路。Xbr6096系列是放在一個超超。..小的Dfn2X2-6封裝和只有一個外部組件使其成為理想的解決在有限的空間的電池組。Xbr6096系列具有所有的保護(hù)功能電池
2021-05-12 16:59:37
車載吸塵器MOS DFN3333小封裝 低內(nèi)阻 原廠直銷東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)銷售高品質(zhì)價格有優(yōu)勢的低結(jié)電容、低內(nèi)阻MOS管 。HC3039D中壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝
2020-06-08 15:02:21
北京 - 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 2A、36V 降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT1912,該器件采用 3mm x 3mm DFN (或
2018-11-26 16:59:46
LTC3216采用小型DFN封裝的低噪聲高效電荷泵，以及4個0603電容和2個0402電阻。這款LXCL-PWF1 luxeon閃光燈驅(qū)動器非常小巧
2019-03-11 07:26:25
`SOD882/DFN1006封裝DC0521P1 RCLAMP0521P采用超小型SOD882/DFN1006封裝封裝超低電容TVS/ESD保護(hù)二極管,應(yīng)用高速數(shù)據(jù)通信保護(hù)DL0521P1雙向
2019-11-12 14:11:12
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 編輯
針對快充應(yīng)用設(shè)計需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封裝的MOSFET，推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
（1）XM5021功能特點(diǎn)：2.5V-5.5V降到1.V-3.3V，輸出電流0.2A，超低功耗0.29uA；搭配藍(lán)牙主控芯片；小封裝DFN2*2-8（2）ETA3425 功能特點(diǎn)：2.6V-7V降到
2021-09-28 19:08:31
No−Lead package (DFN/QFN). The DFN/QFN platform represents the latestin surface mount packaging technology, it is important that the des
2009-04-27 16:27:32
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Altera器件高密度BGA封裝設(shè)計:隨著可編程器件(PLD) 密度和I/O 引腳數(shù)量的增加，對小封裝和各種封裝形式的需求在不斷增長。球柵陣列(BGA) 封裝在器件內(nèi)部進(jìn)行I/O 互聯(lián)，
提
2009-06-16 22:39:5382 FA-238/238V 超小封裝尺寸的SMD晶振
產(chǎn)品規(guī)格 ‧超小封裝尺寸
2010-01-08 16:41:222135 EPSON-FC-135 超小封裝尺寸的SMD(3.2X1.5 X0.8mm)
產(chǎn)品規(guī)格 ‧超小封裝尺寸的SMD (3.2 × 1，5 × 0.8 mm) ‧標(biāo)準(zhǔn)時鐘頻率32.768KHZ. 產(chǎn)品
2010-01-08 16:42:202828 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網(wǎng)絡(luò)通信和高端臺式機(jī)及筆記本電
2010-11-24 09:14:351506 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183330 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線
2011-06-01 08:54:01452 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:401838 Diodes公司近日推出一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類
2012-05-04 11:34:53926 日前，集設(shè)計，開發(fā)和全球銷售的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商AOS半導(dǎo)體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:242463 AK4183 小封裝觸摸屏控制器
2012-06-05 15:03:431229 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出全球首批采用DFN0606封裝的NPN晶體管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶體管MMBT3906FZ和BC857BFZ。
2015-01-28 14:07:571385 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝，分別
2015-12-16 16:57:431160 的尺寸為5mm x 6mm，占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半。而且，與無引線DFN封裝的MOSFET相比，在整機(jī)設(shè)備的使用壽命內(nèi)碰到溫度循環(huán)情況時，PowerPAK SO-8L的鷗翼引線結(jié)構(gòu)能有效提高板級的可靠性。
2016-07-18 16:19:591555 關(guān)鍵詞：邏輯器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款采用了全球最小封裝形式DFN0808的單門邏輯器件系列74AUP1G及74LVC1G。兩款微型邏輯器件的占位
2018-09-23 12:38:02221 視頻簡介：目前，市場對低能耗和節(jié)能型電子產(chǎn)品的需求極大，從而符合及超越政府及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織的節(jié)能要求。功率MOSFET由于開關(guān)損耗低，已經(jīng)成為主要開關(guān)器件的標(biāo)準(zhǔn)選擇。功率MOSFET在高速開關(guān)、高擊穿
2019-03-06 06:05:003591 
的功率MOSFET管腳直接插到根部，高度的限制不能使用TO247的封裝。有些超薄設(shè)計直接將器件管腳折彎平放，這種設(shè)計生產(chǎn)工序會變復(fù)雜。
2020-01-28 15:17:006671 
DN466 - 熱插拔控制器、MOSFET 和檢測電阻器集成在一個 5mm x 3mm DFN 封裝中，以在緊湊狹小的空間提供 準(zhǔn)確的電流限制和負(fù)載電流監(jiān)視
2021-03-18 21:25:585 采用 3mm x 3mm DFN 封裝的 500mA 低噪聲、高效率雙模式充電泵
2021-03-18 23:01:307 DFN封裝，相對來說，是一種比較新的表面貼裝封裝工藝。在ESD二極管產(chǎn)品中，DFN封裝很常見，具體封裝有：DFN-2L、DFN-3L、DFN-6L、DFN-8L、DFN-10L、DFN
2021-08-16 17:12:352684 ZLG致遠(yuǎn)電子新推出的電源隔離芯片采用成熟的SiP工藝與DFN封裝，相比傳統(tǒng)SIP封裝體積縮小75%，性能和生產(chǎn)效能也有所提升。本文為大家分享傳統(tǒng)SIP封裝和采用SiP工藝的DFN封裝有何區(qū)別
2021-09-22 15:12:537172 Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET ? DFN0603封裝提高性能并顯著減少空間需求 奈梅亨，2022年7月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用
2022-07-06 16:13:22586 
PRISEMI芯導(dǎo)低電容、小封裝成為ESD保護(hù)器件未來發(fā)展趨勢
2022-07-20 17:12:421052 
雖然尺寸至關(guān)重要，但在許多方面，Nexperia的DFN0603 MOSFET的真正優(yōu)勢在于其RDSon。提供額定 VGS 為 4.5 V 的選項，典型 RDSon 低至 122 mΩ。在某些
2023-02-03 10:39:55298 
盡管DFN封裝的尺寸非常緊湊，但它具有出色的功耗能力。然而， 使用具有低熱阻和足夠?qū)嵝缘?PCB 是強(qiáng)制性的，以允許適當(dāng)?shù)臋M向散熱.圖2中的紅外圖片顯示了高功率密度，顯示了SOT23
2023-02-08 09:45:381926 
DFN 封裝的熱性能-AN90023_ZH
2023-02-16 21:17:480 DFN 封裝的熱性能-AN90023
2023-02-17 19:10:101 N0606N 數(shù)據(jù)表
2023-03-14 19:34:260 Vishay 推出三款新系列汽車級表面貼裝標(biāo)準(zhǔn)整流器，皆為業(yè)內(nèi)先進(jìn)的薄型可潤濕側(cè)翼 DFN3820A 封裝器件。
2023-04-28 09:09:53390 
隨著新一代5G網(wǎng)絡(luò)、IoT物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)和AI人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，小型化已成為筆電服務(wù)器、智能穿戴、智能家居等各種電子產(chǎn)品最重要的發(fā)展趨勢之一。中微愛芯可提供采用XSON、QFN、SOT等小封裝的邏輯芯片，可最大程度地減少外部元器件尺寸，節(jié)省PCB的寶貴空間。
2023-05-31 09:34:23642 
點(diǎn)擊上方藍(lán)字關(guān)注我們~DFN0603封裝簡稱0201封裝，貼片時容易料袋粘料，雷卯教您如何解決有客戶反應(yīng)在使用防靜電元器件ESD，超小封裝0201(DFN0603)時，料帶有沾料的現(xiàn)象，這一
2022-01-17 10:26:361160 
管理好各個耗電環(huán)節(jié)。矽力杰新一代DC/DC降壓芯片SY80004，適用于小型移動互聯(lián)產(chǎn)品，在DFN1.5x1.5mm的超小封裝下為設(shè)備提供4A輸出電流，靜態(tài)電流僅為
2022-05-21 09:29:44859 
N0606N 數(shù)據(jù)表
2023-07-05 20:00:180 RQK0606KGDQA 數(shù)據(jù)表
2023-07-13 19:05:590 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:36:081 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓?fù)浜虵REDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:56359 
DFN封裝是一種先進(jìn)的電子元件封裝工藝，與SMD封裝相比，DFN封裝提供了更高的靈活性和穩(wěn)定性。
2024-01-28 17:24:551396 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用DFN封裝的 TPS63802 2A、高效率、低IQ降壓/升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 10:11:320
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