Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:24
1159 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封裝的600V E系列功率
2015-10-12 13:58:282340 與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001315 輸入電壓是 600V，因此減小了開關(guān)損耗，從而提高了效率。主要特色 寬輸入電壓容量（50 至 600V DC）占空比限制為 80%滿負載效率為 84%空載時功耗小于 70mW脈沖跳躍模式減小了開關(guān)損耗因采用 LM5021-1 而減少了組件數(shù)量（因為無需外部斜率補償）
2018-12-14 15:37:05
反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET主動補償輸入電壓.電感感量改變,完成高精度多形式PSR 操控提高可靠性和功率面臨將來很多不知名的應(yīng)戰(zhàn)，銀聯(lián)寶科技會不斷的去開展本身的商品，為咱們供給非常好更持久的效勞。你的每一次光臨，都是對咱們的一次必定。`
2017-07-31 14:10:19
和功率水平。這些快速恢復(fù)硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
恢復(fù)二極管兩種：采用先進的擴鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復(fù)時間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設(shè)計和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
率為一個平穩(wěn)值，意味著產(chǎn)品進入了一個穩(wěn)定的使用期。耗損失效期的失效率為遞增形式，即產(chǎn)品進入老年期，失效率呈遞增狀態(tài)，產(chǎn)品需要更新。提高可靠性的措施可以是：對元器件進行篩選;對元器件降額使用，使用容錯法
2015-08-04 11:04:27
5所示。在輸入電壓為110 Vac的滿負荷試驗條件下，相比于傳統(tǒng)的TO247封裝的試驗結(jié)果，最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET的效率提高了0.2%。在高電壓情況下，即當(dāng)輸入電壓為220
2018-10-08 15:19:33
設(shè)計。設(shè)備在使用、運輸過程中會受到各種各樣振動、沖擊的影響，從而影響其可靠性，為此應(yīng)提高設(shè)備的機械強度和剛度，并采取減振緩沖措施，以加強設(shè)備抗振動、沖擊的能力，提高設(shè)備的可靠性。 （11）采用故障指示
2018-09-21 14:49:10
可靠。 （10）抗振沖設(shè)計。設(shè)備在使用、運輸過程中會受到各種各樣振動、沖擊的影響，從而影響其可靠性，為此應(yīng)提高設(shè)備的機械強度和剛度，并采取減振緩沖措施，以加強設(shè)備抗振動、沖擊的能力，提高設(shè)備的可靠性
2014-10-20 15:09:29
、干擾電磁場對設(shè)備的干擾，確保設(shè)備工作可靠。
（10）抗振沖設(shè)計。
設(shè)備在使用、運輸過程中會受到各種各樣振動、沖擊的影響，從而影響其可靠性，為此應(yīng)提高設(shè)備的機械強度和剛度，并采取減振緩沖措施，以加強
2023-11-22 06:29:05
以防止噪聲、干擾電磁場對設(shè)備的干擾，確保設(shè)備工作可靠?！ 。ǎ保埃┛拐駴_設(shè)計。 設(shè)備在使用、運輸過程中會受到各種各樣振動、沖擊的影響，從而影響其可靠性，為此應(yīng)提高設(shè)備的機械強度和剛度，并采取減振緩沖措施，以
2018-11-23 16:50:48
為提高單片機本身的可靠性。近年來單片機的制造商在單片機設(shè)計上采取了一系列措施以期提高可靠性。這些技術(shù)主要體現(xiàn)在以下幾方面： 1.降低外時鐘頻率 外時鐘是高頻的噪聲源，除能引起對本應(yīng)用系統(tǒng)
2020-07-16 11:07:49
電源電壓，60降額時選用600V的開關(guān)管比較容易，而且不會出現(xiàn)單向偏磁飽和的問題，一般來說這三種拓撲在高壓輸入電路中得到廣泛的應(yīng)用。 電源設(shè)備可靠性熱設(shè)計技術(shù) 專家指出除電應(yīng)力之外，溫度是影響設(shè)備
2018-10-09 14:11:30
電子產(chǎn)品的質(zhì)量是技術(shù)性和可靠性兩方面的綜合。電源作為一個電子系統(tǒng)中重要的部件，其可靠性決定了整個系統(tǒng)的可靠性，開關(guān)電源由于體積小，效率高而在各個領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，如何提高它的可靠性是電力電子技術(shù)
2018-10-09 14:37:18
CoolMOS CFD2系列，具有快速的體二極管，低Coss，高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。 參考文獻：1. Gary Chang “Why choose
2018-12-05 09:56:02
的10% ~20%. ?、诎踩?，環(huán)保。大功率LED 的工作電壓為3 ~4 V 的直流電，因而沒有電磁干擾。LED 產(chǎn)生的廢棄物可回收，無污染，可以安全觸摸，屬于典型的綠色照明光源。 ?、蹓勖L，可靠性
2019-06-01 15:47:32
OB3398PJP SOP7 600V 12.8W 16.9W OB3398TJP-H SOP7 650V 16.3W 21W OB3398NAP DIP8 600V 11W 18.5W
2020-04-08 11:25:29
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發(fā)生這類問題）ROHM通過開發(fā)不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
分析與可靠性檢測均可按國際標(biāo)準(zhǔn)如:ISO/IEC EN/DIN ASTM/EPA 等以及中國國家標(biāo)準(zhǔn)進行。 我們的服務(wù)的兩個主要特征：一是提高了客戶對產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性的技術(shù)把握能力和研發(fā)技術(shù)水平；二是
2009-03-30 15:38:19
`疊層電感磁珠可靠性實驗項目有哪些？`
2011-10-16 19:34:50
工藝和可靠性。在傳感器的開發(fā)過程中，嚴格按汽車電子產(chǎn)品質(zhì)量要求，對傳感器的封裝及組裝過程進行了系統(tǒng)的分析和測試，并通過工藝優(yōu)化極大地提高了傳感器的可靠性能。
2019-07-16 08:00:59
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計包括使用容錯設(shè)計方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進和新的安全功能怎樣簡化了設(shè)計，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
操作時存儲陣列中單元之間的串?dāng)_，提高了可靠性。 圖1 脈沖產(chǎn)生電路波形圖 在sram芯片存儲陣列的設(shè)計中，經(jīng)常會出現(xiàn)串?dāng)_問題發(fā)生，只需要利用行地址的變化來生成充電脈沖的電路。仿真結(jié)果表明，該電路功能
2020-05-20 15:24:34
`請問如何提高PCB設(shè)計焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
射頻電路PCB設(shè)計的關(guān)鍵在于如何減少輻射能力以及如何提高抗干擾能力，合理的布局與布線是設(shè)計時頻電路PCB的保證。文中所述方法有利于提高射頻電路PCB設(shè)計的可靠性，解決好電磁干擾問題，進而達到電磁兼容的目的。
2021-04-25 06:16:26
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
PMU的原理是什么？如何提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的實時性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
總裝工藝和與線纜的端接工藝等也都十分重要。以前鍍金接觸件大多都是采用手工鍍金，很容易出現(xiàn)個別插孔內(nèi)壁局部沒有膜層，呈現(xiàn)氧化色，為了解決這一問題，采用了超聲波鍍金，提高了其接觸的可靠性?！ ∪?、生產(chǎn)工藝
2017-08-01 17:14:15
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計包括使用容錯設(shè)計方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進和新的安全功能怎樣簡化了設(shè)計，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
`請問如何通過PCB設(shè)計提高焊接的可靠性？`
2020-03-30 16:02:37
如何提高和保證該產(chǎn)品的固有可靠性和使用可靠性。隨著時間的推移、科技的不斷發(fā)展，經(jīng)實踐的檢驗和經(jīng)驗積累，設(shè)計理論、測量技術(shù)也在不斷更新完善，早期設(shè)計的缺陷和局限性也會逐漸暴露出來，因此，需要采用新概念
2019-07-10 08:04:30
。因此，硬件可靠性設(shè)計在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計，更要考慮整個控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計。
2021-01-25 07:13:16
，只有當(dāng)任一輸入變?yōu)榈碗娖剑敵霾艜謴?fù)至跟隨輸入的正常狀態(tài)。NSD1224的互鎖功能，有效避免了因輸入信號干擾造成的橋臂直通問題，提高了系統(tǒng)可靠性。
NSD1224互鎖功能測試波形
輸入耐負壓能力
2023-06-27 15:14:07
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
各位大大，最近在做雙向逆變，想問一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時候可以從300V升壓超過600V嗎，有人說高頻變壓器可以升壓超過原來高壓側(cè)輸入的電壓，請問有懂這個的能說一下能實現(xiàn)升壓超過2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
，封裝也是影響產(chǎn)品可靠性的重要因素?；景雽?dǎo)體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進行測試。目前碳化硅二級管產(chǎn)品已通過AEC-Q101測試，工業(yè)級1200V碳化硅MOSFET也在進行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
，其U6773S IC特點：1.原邊反饋/內(nèi)置650V 功率MOSFET2.自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度3.多模式PSR 控制提高可靠性和效率4.內(nèi)置軟啟動，超低啟動電流，管腳浮空保護銀
2018-06-22 09:52:32
提高了50V，達到650V。圖1圖1 全新650V IGBT4的截面圖。相對于600V IGBT3的改進：芯片厚度增加 （y）、溝道寬度降低（z）、背部P射極能效提高。650V IGBT4動態(tài)特性
2018-12-07 10:16:11
的改進，新器件的可靠性也在不斷增強。例如，先進的封裝設(shè)備和材料與近期改進的塑封注入技術(shù)相結(jié)合，有助于降低器件的潮濕敏感度，并改善塑封對裸片的連接，這是采用無鉛焊接材料增加峰值焊接溫度所要考慮的重要因素
2018-08-31 11:23:15
，AH8696還具有多重保護功能，如過壓保護、欠壓保護、過流保護、短路保護等，能夠及時切斷電源，確保設(shè)備和電源的安全。這些保護功能有效提高了設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性，延長了設(shè)備的使用壽命。
芯片參數(shù)：
?集成
2024-03-12 14:25:14
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
（800V）【低噪聲SJ MOSFET：EN系列】R60xxENx系列（600V）R65xxENx系列（650V）*開發(fā)中【高速SJ MOSFET：KN系列】R60xxKN系列（600V）R65xxKNx
2018-12-03 14:27:05
600V MOSFET繼續(xù)擴展Super Junction FET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串級整流器。
2011-04-01 09:36:43782 里首款MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗優(yōu)點。
2014-10-09 12:59:191468 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件
2016-05-12 14:01:14746 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 作的新系列HI-TMP? 鉭殼密封液鉭電容器---T34。T34系列軸向引線通孔器件具有更高的可靠性，提高了耐機械沖擊和耐振動的能力，使用壽命更長，可用于工業(yè)和石油勘探應(yīng)用。
2018-01-12 22:32:01670 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列繞線噪聲抑制電阻--- NSR-HP。該電阻提高了電壓性能和可靠性，可用于往復(fù)式發(fā)動機中的汽車點火系統(tǒng)。
2018-01-25 10:04:078513 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 在高溫下，溫度系數(shù)會顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的，在接近最高結(jié)溫時，溫度系數(shù)會讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:583725 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
高精度(±1°C)溫度傳感器提高了系統(tǒng)性能和可靠性
2021-05-27 09:56:09
2 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導(dǎo)通和開關(guān)損耗特性，能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開關(guān)或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11944 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12817 Wolfspeed 新款車規(guī)級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計人員滿足 EV 車載充電機應(yīng)用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:21917 帶抽頭電感的離線降壓轉(zhuǎn)換器提高了性能
2022-11-14 21:08:211 650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢復(fù)SJ功率MOSFET提高了效率和穩(wěn)健性.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:09:541 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 MOS管在直流充電樁上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結(jié)MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規(guī)級可靠性認證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:24770 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場景。
2024-02-01 10:50:02365 3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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