全球知名的電子元器件授權代理商富昌電子（Future Electronics）為測試設備應用推介來自 Vishay Intertechnology, Inc. 的 T55 系列 vPolyTan 聚合物鉭電容，旨在滿足測試設備應用對高性能元件的需求。
2024-03-18 18:14:10
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英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45203 
日前，Vishay 宣布，推出適于 IrDA 應用的升級版 TFBS4xx 和 TFDU4xx 系列紅外（IR）收發(fā)器模塊，鏈路距離延長 20 %，抗 ESD 能力提高到 2 kV。器件支持
2024-03-14 18:17:56580 
蘋果新款iPad預計將在3月底或4月發(fā)布，具體時間還需等待蘋果官方確認。據(jù)多方消息透露，新款iPad將搭載最新的M3芯片，帶來更加強勁的性能和能效表現(xiàn)。同時，新款iPad還可能配備OLED顯示屏等先進技術，為用戶提供更加出色的視覺體驗。
2024-03-13 17:36:04318 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 在電子元件領域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業(yè)應用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半導體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過改良設計的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 搭載M3芯片的新款MacBook Air在北京時間2024年3月4日晚間正式發(fā)布。這次發(fā)布的新款MacBook Air在硬件配置上實現(xiàn)了全面升級，不僅搭載了蘋果自家研發(fā)的M3芯片，更在續(xù)航、網(wǎng)絡攝像頭、Wi-Fi網(wǎng)絡等方面進行了優(yōu)化。
2024-03-11 17:23:08526 科技巨頭蘋果公司再次引領行業(yè)創(chuàng)新，發(fā)布了搭載最新M3芯片的新款13英寸和15英寸MacBook Air筆記本電腦。新款機型在硬件配置上實現(xiàn)了全面升級，配備了更清晰的1080p網(wǎng)絡攝像頭，為用戶帶來更高質(zhì)量的視頻會議體驗；同時支持更快的Wi-Fi網(wǎng)絡，讓在線辦公和娛樂更加流暢。
2024-03-11 17:19:19416 日前，Vishay 推出了新系列浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻，名為PTCEL系列，專為浪涌限流設計。這一系列熱敏電阻在25°C時阻值范圍廣泛，能夠處理高電壓和高能量，有助于提升汽車和工業(yè)應用中有源充放電電路的性能。
2024-03-08 11:47:07262 Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運用Vishay領先
2024-03-08 11:45:51266 日前，Vishay 推出新系列浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻。Vishay BCcomponents PTCEL 系列器件 25 °C（R25）條件下阻值范圍寬，具有高電壓處理和高能量吸收能力，
2024-03-08 11:34:20293 
新款MacBook Air系列筆記本電腦搭載了M3芯片，這一舉措進一步提升了該系列機型的性能和續(xù)航能力，為用戶帶來了全新的使用體驗。
2024-03-07 17:18:39436 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
MOSFET，全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種半導體器件。這種晶體管利用控制輸入回路
2024-02-19 16:38:061952 
引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈市場！EV中的電機控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導體功率器件，它的普及為汽車功率半導體市場打開了增長的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 器件采用垂直腔面發(fā)射激光器和智能雙 I2C 從機地址，適用于真無線立體聲（ TWS ） 耳機、虛擬現(xiàn)實 / 增強現(xiàn)實（ VR / AR ） 頭盔等各種電池供電消費類電子應用 ? 美國 賓夕法尼亞
2024-01-26 15:45:36925 日前，Vishay 推出適合遙控、接近探測和光幕應用的升級版 TSOP18xx、TSOP58xx 和 TSSP5xx 系列紅外 ( IR ) 接收器模塊。增強型解決方案采用 Minicast 封裝
2024-01-19 16:41:23532 三星電子將于美西時間17日上午10點在美國加州圣何塞舉行全球新品發(fā)布會“三星Galaxy Unpacked 2024”。據(jù)傳聞，此次發(fā)布會將推出備受期待的新款智能手機——Galaxy S24系列。
2024-01-17 15:28:191295 全球領先的電子元器件制造商村田（Murata）近日發(fā)布了其全新的6軸MEMS慣性傳感器SCH16T-K01。這款產(chǎn)品是村田下一代6軸SCH16T系列的首款產(chǎn)品，未來該系列還將推出更多創(chuàng)新版本。
2024-01-17 14:27:50360 MOSFET即金屬氧化物半導體場效應管，是電路設計中常用的功率開關器件，為壓控器件；其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，具備驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動功率小，開關速度快，工作頻率高、熱穩(wěn)定性高于GTR等優(yōu)點
2024-01-09 10:22:43112 
AGM Micro發(fā)布了兼容STM32的MCU產(chǎn)品系列，推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產(chǎn)品系列。AGM32產(chǎn)品系列對32位MCU的廣大客戶群提供國產(chǎn)替代和新智能應用市場的開拓。
此次AGM
2023-12-29 11:18:08
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導體器件。它們在不同的應用場景中具有不同的特點和優(yōu)勢。本文將對MOSFET和IGBT進行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓撲和FREDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:56358 
工程師必看！MOSFET器件選型的3大法則
2023-12-06 15:58:49209 MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件。
2023-11-24 15:51:59682 
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種現(xiàn)代電子器件，常用于電子電路中的開關和放大器。它的工作原理與JFET（結(jié)型場效應晶體管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設計更綠色、更小的電源.pdf》資料免費下載
2023-11-13 15:11:29
0 磁性器件VPT系列和VPE系列有什么區(qū)別？ 磁性器件是電子器件中的重要組成部分，常用于變壓器、電感器、磁芯等設備中，能夠?qū)崿F(xiàn)電能的傳輸、轉(zhuǎn)換和存儲。VPT系列和VPE系列是兩個不同類型的磁性器件系列
2023-11-10 14:29:07267 這次發(fā)布會持續(xù)了大約30分鐘，蘋果高層在大部分時間里討論了M3系列芯片的性能優(yōu)勢。新款的14英寸和16英寸MacBook Pro以及24英寸iMac似乎都成為了展示M3系列芯片的亮點。
2023-10-31 17:27:47798 1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像
2023-10-18 16:05:02328 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
中壓MOSFET，是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產(chǎn)品組合。 在大功率設備中，能源效率對于降低功耗和確保穩(wěn)定性至關重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術，這些新發(fā)布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 想入手一款示波器使用頻率很少 ，一個月可嫩只用一兩次。
但是還是挺需要的就看了一款二手的 ，示波器覺得可以用。
但是看了一些新款的感覺功能更多 有必要選擇新款的嗎 ？
沒用過所有需要請教一下
看了ds5000系列現(xiàn)在用過時嗎
組要用于看看一些簡單的模擬電路
和一些小的嵌入式 esp32 stm32等
2023-10-10 23:38:04
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設備中開關和放大電子信號的半導體器件。
MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類似于場效應晶體管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791 
E5071C特性:新款 20 GHz 選件可將 E5071C ENA 系列網(wǎng)絡分析儀的頻率范圍擴展至 20 GHz。新款 20 GHz 選件支持雙端口（選件 2K5）和四端口（選件
2023-09-18 15:57:05
降低MOSFET 1/f噪聲的三種辦法是什么？? MOSFET是一種重要的半導體器件，廣泛應用于各種電子設備中。然而，MOSFET存在著一種非常特殊的噪聲，即1/f噪聲。這種噪聲影響了MOSFET
2023-09-17 17:17:361208 、SiC951?和?SiC967采用 10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm 封裝，占位面積和高度均小于市場上此類器件，輸入電壓范圍 4.5 V 至 60 V。? ? ? ? ? 日前發(fā)布的穩(wěn)壓器模塊比其他解決方案小 69 %，每款模塊集成兩個高性能 MOSFET，一個電感器
2023-09-15 10:41:09545 
最新的iPhone系列手機，2023年蘋果手機最新款iPhone15系列手機。根據(jù)最新消息，iPhone 15的價格和規(guī)格已經(jīng)曝光，引起了消費者的熱議和關注。 根據(jù)蘋果公司的慣例，新款iPhone的預訂將在幾天后的9月15日開始，一周后的9月22日發(fā)布。 應該如何選擇iPhone 15系列呢？
2023-09-05 09:32:253182 model 3新款什么時候出 今日特斯拉發(fā)布新款Model 3煥新版25.99萬 很多人都在關注model 3新款什么時候出？心心念念的Model 3煥新版今天終于來了。 今日特斯拉發(fā)布新款
2023-09-01 17:06:47808 
據(jù)消息透露，9月13日凌晨1點，蘋果將舉行2023年秋季發(fā)布會，正式推出新款iPhone 15系列。據(jù)悉，這次新品仍然有四款機型， 分別是iPhone 15、iPhone 15 Plus、iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max。
2023-09-01 11:44:13808 9月1日，特斯拉中國宣布，新款Model 3上市，售價259900元起
2023-09-01 11:28:26846 2023年8月，品英Pickering——用于電子測試和驗證的模塊化信號開關和仿真解決方案的全球供應商，于近日發(fā)布新款基于PXI/PXIe的微波開關產(chǎn)品（40/42-890系列），為PXI產(chǎn)品家族
2023-08-31 14:14:07351 2023 年8 月18 日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 供應多款Vishay針對汽車應用設計的產(chǎn)品
2023-08-18 14:56:07372 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
2023年8月1日，九峰山實驗室6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術服務能力。
2023-08-11 17:00:54226 對于SiC功率MOSFET技術，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:57428 MOSFET，也稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的電子器件。它是一種半導體器件
2023-08-04 15:24:152047 ，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）
2023-07-28 15:05:301065 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出五款新系列60 V、100 V和150 V表面貼裝溝槽式MOS勢壘肖特基（TMBS?）整流器
2023-07-07 15:24:35641 
Vishay 推出五款新系列 60V、100V 和 150V 表面貼裝溝槽式 MOS 勢壘肖特基（TMBS）整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤 DFN3820A 封裝。VxNL63
2023-07-07 10:24:59653 
在現(xiàn)今電力電子領域，高壓（HV）分立功率半導體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
日前發(fā)布的Vishay General Semiconductor整流器首度采用Vishay新型Power DFN系列DFN3820A封裝，占位面積3.8 mm x 2.0 mm，典型厚度僅為
2023-07-07 10:00:39447 
光亮度檢測和防起霧監(jiān)測；在ADAS的應用場景為疲勞駕駛、乘員監(jiān)控以及激光雷達Lidar使用；在空氣質(zhì)量檢測的應用為PM2.5、紫外線殺菌、溫濕度控制等。 在吉利2023智能汽車技術論壇上，Vishay 光電產(chǎn)品資深市場部技術支持經(jīng)理陸驍表示，未來將有更多
2023-07-06 17:14:10483 
及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設及第三代半導體功率器件研發(fā)項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設及第三代半導體功率器件研發(fā)項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
Q A 問： Vishay熱敏電阻的計算工具 (阻值-溫度表) Vishay 熱敏電阻的計算工具為Vishay 的許多 ? NTC 熱敏電 ? 提供了一個電阻-溫度表。此免費工具可下載到任何一臺
2023-07-05 20:05:09295 
據(jù)麥姆斯咨詢報道，近日，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型固定增益紅外（IR）傳感器
2023-06-29 09:37:12404 在設計基于 MOSFET 的電路時，您可能想知道打開 MOSFET
的正確方法是什么？或者簡單地說，應該在器件的柵極/源極上施加什么最小電壓才能完美地打開？
2023-06-28 18:09:331237 
Vishay 推出四款新系列200 V FRED Pt 超快恢復整流器，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤 DFN3820A封裝。1 A VS-1EAH02xM3
2023-06-21 17:25:00523 
Vishay?Draloric RCS0805 e3 器件通過 AEC-Q200 認證 節(jié)省電路板空間的同時 減少元器件數(shù)量 降低加工成本 Vishay? 推出加強版 0805 封裝抗浪涌厚膜電阻器
2023-06-21 11:56:03631 
Vishay?Techno CDMA 系列電阻 節(jié)省空間型器件采用小型 2512 封裝 工作電壓達 1415 V 適用于汽車和工業(yè)應用 Vishay? 推出新系列小型 2512 封裝汽車級厚膜片
2023-06-21 07:40:00525 Vishay 新型 Power DFN 系列?DFN3820A 封裝 汽車級 200V、400V 和 600V 器件高度僅為 0.88 mm 采用可潤濕側(cè)翼封裝 改善熱性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00509 
Vishay Polytech T51 系列電容器? 器件符合 AEC-Q200 認證標準 具有 D 和 V 兩種小型封裝版本 ESR 低至 40 mΩ 可在 +125?C 高溫下工作 Vishay
2023-06-21 06:10:00529 
（VLSI）設備采用的設計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體加工工藝。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應晶體管發(fā)展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結(jié)型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
Vishay 的 WSL 系列采樣電阻采用全合金設計，功率可達 15W，同時具有低于 20ppm 的溫漂系數(shù)，以及低于 3 微伏每攝氏度的熱電動勢系數(shù)，此外我們還提供四端子設計以幫助客戶提高電流檢測精度和長期可靠性。
2023-06-14 14:39:01361 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業(yè)內(nèi)先進水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進的新型汽車級光電壓輸出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業(yè)內(nèi)先進水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進的新型汽車級光伏 MOSFET 驅(qū)動器
2023-06-08 19:55:02374 
最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
PRISEMI芯導產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關。在低壓側(cè)開關中，應采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:54:02518 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動器件。
2023-05-22 09:52:08747 
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現(xiàn)在集成電路的設計似乎是不可能的。
2023-05-08 09:43:17304 
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點，因此被廣泛的應用于開關電源、電機控制、電動工具
2023-05-04 09:43:01735 
我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動 MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
Vishay 推出三款新系列汽車級表面貼裝標準整流器，皆為業(yè)內(nèi)先進的薄型可潤濕側(cè)翼 DFN3820A 封裝器件。
2023-04-28 09:09:53390 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動態(tài)性能相關的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關時間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
MOSFET作為功率開關管，已經(jīng)是開關電源領域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件，其驅(qū)動表面上看來是非常簡單，但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間，一點點來解析MOSFET的驅(qū)動技術，以及在不同的應用，應該采用什么樣的驅(qū)動電路。
2023-04-18 09:19:31600 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 是一種場效應晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當壓控電流源，并主要用作開關或用于放大電信號。MOSFET的控制是通過向柵極施加特定的電壓來進行
2023-04-06 10:06:381381 SMD SLR系列表面貼裝PTC器件
2023-03-28 12:55:58
SMD SLR系列表面貼裝PTC器件
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RLD 30V UF系列PTC器件
2023-03-28 12:55:54
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