IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
2024-03-18 16:30:39
262 
除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN 之前無法支持的電源系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。
2024-03-15 17:58:13819 
為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03376 
高八倍以上的功率密度。 上海2024年3月6日?/美通社/ --?德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個(gè)全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列，可幫助工程師在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)采用熱增強(qiáng)
2024-03-07 16:03:04211 應(yīng)用提供比之前高八倍以上的功率密度。 ? 中國(guó)上海（2024 年 3 月 6 日）– 德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個(gè)全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列，可幫助工程師在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功
2024-03-06 14:40:5370 
? 在處理激光光學(xué)時(shí)，功率和能量密度是需要理解的兩個(gè)重要概念。這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)經(jīng)?；Q使用，但含義不同。表1定義了與激光光學(xué)相關(guān)的功率密度、能量密度和其他相關(guān)術(shù)語(yǔ)。 表1：用于描述激光束和其他電磁輻射
2024-03-05 06:30:22167 
在高壓600V，額定電流10A的壓縮機(jī)電機(jī)控制中，IGBT經(jīng)常燒壞，主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案
2023-12-25 13:36:42235 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中，功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07276 
半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上
2023-12-18 09:40:221150 
報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
技術(shù)的產(chǎn)品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場(chǎng)價(jià)值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合，重點(diǎn)如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農(nóng)用車(CAV)
2023-12-11 17:31:13196 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
IGBT硅技術(shù)在這一功率等級(jí)應(yīng)用的的功率密度已達(dá)極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT 模塊，其應(yīng)用范圍現(xiàn)已擴(kuò)展至太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充
2023-12-05 17:03:49446 
采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例
2023-12-05 15:06:06364 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
通過GaN電機(jī)系統(tǒng)提高機(jī)器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38279 
非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)
2023-11-23 09:08:35284 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對(duì)電力運(yùn)作的需求日益攀升，這無疑對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
中，正逐漸引入 SiC 器件以及更高的母線電壓，提升充電功率。這一趨勢(shì)也對(duì)隔離式偏置供電電源的設(shè)計(jì)提出了新的要求，對(duì)此，MPS 推出 LLC 變壓器驅(qū)動(dòng)芯片以及隔離式偏置電源模塊解決方案，助力高功率密度的充電系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 演講大綱： 1. 隔離式偏置電源的挑戰(zhàn) 2. LLC 變壓器
2023-11-15 12:15:01202 
點(diǎn)的非隔離（POL）降壓穩(wěn)壓器用于驅(qū)動(dòng)各種電子負(fù)載，如微處理器，F(xiàn)PGA和ASIC的跨系統(tǒng)板。構(gòu)建POL調(diào)節(jié)器的任務(wù)是更簡(jiǎn)單的，因?yàn)楝F(xiàn)在的降壓比越小。近日，在技術(shù)展區(qū)文章“更高功率，效率和密度八分之一磚轉(zhuǎn)換器”它表明，八分之一磚
2023-11-03 16:20:24213 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:54657 
未來對(duì)電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項(xiàng)目。同時(shí)，變流器仍需具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動(dòng)或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:31395 
。
功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換、驅(qū)動(dòng)、控制等電力電子裝置的基礎(chǔ)和核心，是推動(dòng)電力電子系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率、功率密度、體積重量等方面優(yōu)化的關(guān)鍵因素之一。
下面以特斯拉來看看功率半導(dǎo)體IGBT的分布，下圖
2023-10-16 11:00:14
主體結(jié)構(gòu)采用SPM的結(jié)構(gòu)，極槽布置布置采用：12極18槽，最高轉(zhuǎn)速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁鋼型蛤采用：N50，硅鋼材料采用：Arnon 5
2023-10-08 10:48:51201 
和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成為一個(gè)有待解決的重要問題。另外，早期應(yīng)用的故障率遠(yuǎn)高于預(yù)期。高壓LED 照明面臨的主要挑戰(zhàn)是繼續(xù)提高功率密度和效率，并提升可靠性和經(jīng)濟(jì)性，以滿足未來應(yīng)用需求。本文將介紹寬帶隙 （GaN） 技術(shù)，以及該技
2023-10-03 14:26:00305 
電力電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設(shè)計(jì)涵蓋多軸驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電站和電動(dòng)汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:50
0 。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場(chǎng)對(duì)于高效高壓開關(guān)器件不斷增長(zhǎng)的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的功率密度，包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服電機(jī)）、機(jī)器人、電梯、機(jī)器操作手、工業(yè)自動(dòng)化、功率逆變
2023-09-19 02:43:54232 了該封裝的功率密度上限。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域：1200VP7模塊首發(fā)型號(hào)有以下兩個(gè)：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進(jìn)一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:10430 IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對(duì)新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23906 
，比如近幾年，單電機(jī)的功率越來越大，功率密度越來越高，每一次性能上的提升都是材料、散熱、電路控制方面的進(jìn)步。 ? 此前《中國(guó)制造2025重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖》中的目標(biāo)是，到2025年和2030年，國(guó)內(nèi)乘用車驅(qū)動(dòng)電機(jī)20s有效比功率分別要達(dá)到≥
2023-08-19 02:26:001870 
依靠簡(jiǎn)單的經(jīng)驗(yàn)法則來評(píng)估電源模塊密度的關(guān)鍵因素是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，例如電源解決方案開關(guān)頻率與整體尺寸和密度成反比；與驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)密度的負(fù)載相比，功率密度往往以不同的速率變化；因此合理的做法是將子系統(tǒng)和相關(guān)器
2023-08-18 11:36:27264 。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場(chǎng)對(duì)于高效高壓開關(guān)器件不斷增長(zhǎng)的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的功率密度，包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)（例如
2023-08-14 16:00:49283 器 件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR 飽和壓降低，載 流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET 驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密 度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流 電壓為 600V 及以上的
2023-08-08 10:14:122 供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:10:05
RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-14 09:37:470 RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-14 09:26:090 RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160 RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:17:310 RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-07-12 20:22:020 RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:430 RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:320 RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450 RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:310 RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:170 幾乎每個(gè)應(yīng)用中的半導(dǎo)體數(shù)量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)都?xì)w結(jié)于需要更高的功率密度。
2023-07-11 11:21:34220 
針對(duì)所有的應(yīng)用，人們?cè)絹碓阶⒁怆妱?dòng)馬達(dá)的運(yùn)作效率；因此，對(duì)高效率驅(qū)動(dòng)器的需求變得日益重要。此外，使用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)馬達(dá)、泵和風(fēng)扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動(dòng)馬達(dá)應(yīng)用中的能耗；因此
2023-07-05 12:00:33299 
V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場(chǎng)，而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場(chǎng)的第一炮。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場(chǎng)對(duì)于高效高壓開關(guān)器件不斷增長(zhǎng)的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的功率密度，包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)
2023-07-05 09:20:27459 
針對(duì)所有的應(yīng)用，人們?cè)絹碓阶⒁怆妱?dòng)馬達(dá)的運(yùn)作效率；因此，對(duì)高效率驅(qū)動(dòng)器的需求變得日益重要。此外，使用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)馬達(dá)、泵和風(fēng)扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動(dòng)馬達(dá)應(yīng)用中的能耗；因此，為電動(dòng)馬達(dá)及其的驅(qū)動(dòng)指定高效率的設(shè)計(jì)，以適合每項(xiàng)特定應(yīng)用變得更加重要。
2023-07-01 16:09:02380 
單片GaN器件集成驅(qū)動(dòng)功率轉(zhuǎn)換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計(jì)
2023-06-21 07:35:15
功率密度本設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標(biāo)準(zhǔn)足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
90vac時(shí)效率為94.5%，在230vac時(shí)效率為95.8%與之前最先進(jìn)的設(shè)計(jì)相比，效率至少提高1%，節(jié)能高達(dá)20%。估計(jì)外殼尺寸為100cc，功率密度為1.4 W/cc。
2023-06-16 08:06:45
目前市面上的各種電器大多需要進(jìn)行AC-DC電源轉(zhuǎn)換，因此若能提升AC-DC電源轉(zhuǎn)換效率，將有助于降低家庭的電力消耗與企業(yè)的運(yùn)營(yíng)成本，也有利于提升像是儲(chǔ)能系統(tǒng)、電池充電等應(yīng)用的運(yùn)作效率。本文將為您介紹功率因數(shù)校正技術(shù)的特性，以及由安森美（onsemi）推出的NCP1681 PFC控制器的產(chǎn)品特性與優(yōu)勢(shì)。
2023-06-14 10:08:10598 
線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET 驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT
2023-06-09 09:45:30583 800 V 架構(gòu)降低了損耗，該行業(yè)還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超硅（Si）基技術(shù)（如 IGBT）能力的功率密度。
2023-05-20 16:00:231161 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì)，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET 驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為 600V
2023-05-17 15:10:46956 RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590 RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:390 RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:270 又是逆變器實(shí)現(xiàn)高傳輸效率、高功率密度的關(guān)鍵器件，目前電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)逆變器絕大部分是基于傳統(tǒng)Si(硅)器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊的設(shè)計(jì)，存在開關(guān)頻率低、損耗大的缺點(diǎn)，外圍配套濾波器體積大，質(zhì)量重，制約了逆變控制器功率密度的提高。
2023-05-11 14:04:531486 
能量轉(zhuǎn)換效率是一個(gè)重要的指標(biāo)，各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎(chǔ)上再有所提升。為了實(shí)現(xiàn)這一提升，開始逐漸采用越來越復(fù)雜的轉(zhuǎn)換拓?fù)?，如移相全橋（PSFB）和LLC變換器。而且二極管將逐漸被功耗更低的MOSFET所取代，寬帶隙（WBG）器件更是以其驚人的開關(guān)速度被譽(yù)為未來的半導(dǎo)體業(yè)明珠。
2023-05-08 09:39:17735 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 隨著科技發(fā)展和環(huán)境保護(hù)的要求，電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率變得越來越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓?fù)湟彩艿搅嗽S多人的關(guān)注。那么利用圖騰柱PFC如何在
2023-04-13 00:30:04635 
作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個(gè)令人興奮的機(jī)會(huì)，以實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢(shì)為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實(shí)現(xiàn)，如今能滿足世界日益增長(zhǎng)的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實(shí)現(xiàn)。
2023-04-07 09:16:45575 
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
2023-04-06 11:45:301042 供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:39:344 供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:24:105 供應(yīng)50A、600V SGTP50V60FD2PU電機(jī)逆變器igbt，是士蘭微igbt一級(jí)代理商，提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:22:26
供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:15:592 供應(yīng)IGBT 50A 600V 型號(hào)SGTP50V60FD2PF-士蘭微驅(qū)動(dòng)電機(jī)igbt，提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域， 更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:14:31
供應(yīng)SGT30T60SD3PU伺服電機(jī)控制igbt 600V、30A規(guī)格參數(shù)，提供SGT30T60SD3PU關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:09:042 供應(yīng)igbt伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)管SGT30T60SD3PU 600V、30A，是士蘭微IGBT代理商，提供SGT30T60SD3PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:07:50
供應(yīng)STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機(jī)igbt管600V、30A參數(shù)，提供SGT30T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:59:562 供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:02:491 供應(yīng)士蘭微焊機(jī)IGBT單管 驅(qū)動(dòng)SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數(shù)，提供SGT20T60SDM1P7 關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:01:10
供應(yīng)SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開關(guān)逆變器，提供SGT20T60SD1F關(guān)鍵參數(shù) ，是士蘭微IGBT代理商，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:40:25
供應(yīng)士蘭微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的igbt晶體管，提供SGT20T60SD1S關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:27:47
供應(yīng)士蘭微igbt SGT15T60SD1S 600v 15a單相半橋逆變，提供SGT15T60SD1S igbt關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:22:02
供應(yīng)5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 14:48:131 RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:480 RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:15:310 RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000 RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:09:070 RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-03-30 18:47:000 RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470 RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340 交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
2023-03-30 17:37:53914 ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片，可兼容代換IR2104，應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動(dòng)
2023-03-29 09:24:35930 
IGBT驅(qū)動(dòng)芯片IR2104的使用?！ ⊥ㄟ^用arduino來控制IR2104芯片驅(qū)動(dòng)半橋IGBT功率管，通過上位機(jī)串口控制實(shí)現(xiàn)輸出不同占空比的偽模擬電壓信號(hào)。主要知識(shí)點(diǎn)是電路板設(shè)計(jì)和上位機(jī)編程實(shí)現(xiàn)
2023-03-27 14:57:37
功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià)需要在一定的前提條件下進(jìn)行，與指標(biāo)定義、評(píng)價(jià)對(duì)象、運(yùn)行電壓、工作溫度及其冷卻條件、持續(xù)時(shí)間、恒功率調(diào)速范圍等因素密切相關(guān)，不同前提下功率密度量化指標(biāo)差異巨大。
2023-03-27 14:12:002004 對(duì)于電源管理應(yīng)用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡(jiǎn)單：它指的是轉(zhuǎn)換器的額定（或標(biāo)稱）輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:49710 
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