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如何提高4.5 kV IGBT模塊的功率密度

三菱電機(jī)半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:三菱電機(jī)半導(dǎo)體 ? 2023-10-17 10:50 ? 次閱讀

提高4.5 kV IGBT模塊的功率密度

未來(lái)對(duì)電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項(xiàng)目。同時(shí),變流器仍需具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動(dòng)或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。

作者

Kazuto Mikami, Kenji Hatori, Victor Tolstopyatov, Nils Soltau

簡(jiǎn)介

2020 年,三菱電機(jī)宣布推出額定電壓3.3kV的HV100功率模塊[1],采用X系列芯片組。HV100封裝易于并聯(lián),換流雜散電感低,絕緣電壓為10.2kV,具有很高的靈活性。該封裝設(shè)計(jì)初衷是為了滿足未來(lái)鐵路變流器的要求[2]。最近,三菱電機(jī)又發(fā)布了一款額定電壓為4.5kV、額定電流為450A的HV100功率模塊。本文將介紹這款新器件——CM450DE-90X,對(duì)比其與傳統(tǒng)功率模塊的優(yōu)勢(shì),并展示其適用鐵路、中壓驅(qū)動(dòng)或電力系統(tǒng)等應(yīng)用的主要特性。

CM450DE-90X采用三菱電機(jī)最新一代4.5kV X系列芯片,包括CSTBT(III)和RFC二極管。這確保了低損耗、平滑的開(kāi)關(guān)波形和過(guò)流工況下的高魯棒性。

HV100的封裝結(jié)構(gòu)如圖2所示。兩個(gè)直流端子位于功率模塊的一側(cè),而兩個(gè)交流端子則位于另一側(cè)。這樣可以實(shí)現(xiàn)與直流母線電容的低電感連接和更簡(jiǎn)潔的變流器布局。中間位置為柵極驅(qū)動(dòng)板提供了空間。當(dāng)HV100功率模塊并聯(lián)時(shí),驅(qū)動(dòng)端子方便連接??稍诓⒙?lián)IGBT模塊的上面安裝一塊PCB板,來(lái)控制所有模塊。此外,這種設(shè)計(jì)還可以通過(guò)增加(或減少)并聯(lián)模塊的數(shù)量來(lái)調(diào)整輸出功率。

HV100封裝采用MCB底板(Metal Casting direct Bonding,金屬鑄造直接鍵合)。它可以降低熱導(dǎo)率,從而提高功率密度。與采用AlSiC底板的傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)相比,結(jié)到殼的熱阻降低了約30%。此外,MCB底板避免了底板焊接,而底板焊接層是傳統(tǒng)功率模塊封裝中熱循環(huán)壽命的制約因素。

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圖2:采用MCB底板結(jié)構(gòu)的HV100功率模塊截面圖

更高的功率密度

下面將比較CM450DE-90X與傳統(tǒng)190x140mm2功率模塊的輸出功率。例如,比較對(duì)象是兩個(gè)傳統(tǒng)封裝的CM1350HG-90X單管IGBT模塊和三個(gè)并聯(lián)的CM450DE-90X半橋模塊,兩者額定電流相同。盡管額定電流相同,但圖3顯示HV100功率模塊占用的散熱面積減少了約20%。

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圖3:在相同額定電流下,HV100和傳統(tǒng)封裝的半橋結(jié)構(gòu)尺寸比較

直流母線和半導(dǎo)體芯片之間的雜散電感是影響功率模塊開(kāi)關(guān)特性的因素之一,會(huì)嚴(yán)重影響其開(kāi)關(guān)動(dòng)作。高寄生電感會(huì)延長(zhǎng)開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程,并導(dǎo)致關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生更高的電壓尖峰。上述兩種情況都會(huì)增加IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗。由于HV100實(shí)現(xiàn)了更低的雜散電感,因此開(kāi)關(guān)速度更快,開(kāi)關(guān)損耗更低。與傳統(tǒng)封裝相比,4.5kV HV100在逆變模式(即圖4a中的正功率因數(shù))和制動(dòng)模式(即圖4b中的負(fù)功率因數(shù))下可將變流器總損耗分別降低17%和18%[3]。

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圖4:變流器損耗計(jì)算結(jié)果

使用MelcoSim Ver.5.4.1[4],計(jì)算三個(gè)CM450DE-90X并聯(lián)與CM1350HG-90X和CM1200HG-90R(前一代R系列)的輸出電流能力。結(jié)果如圖5所示,與之前的R系列HVIGBT模塊相比,X系列模塊降低了損耗、優(yōu)化了熱阻,允許的最高工作溫度也提高到Tj=150℃。由于上述因素,CM1350HG-90X模塊的可輸出電流比CM1200HG-90R增加了約17%。如果使用新型HV100半橋模塊CM450DE-90X(三個(gè)并聯(lián)),則可再增加12%。這是由于降低了開(kāi)關(guān)損耗以及MCB底板優(yōu)化了熱阻。

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圖5:R系列HVIGBT、X系列HVIGBT和4.5kV HV100 HVIGBT的輸出電流與載波頻率之間的關(guān)系(條件:SPWM,Vcc=2800V,PF=+0.85,M=1,TS=80℃,Tj=Tjop)

并聯(lián)運(yùn)行

如前所述,HV100封裝是專為更簡(jiǎn)單的并聯(lián)連接而設(shè)計(jì)的,并聯(lián)時(shí),優(yōu)化的端子布局方便連接母線電容和交流輸出。下面將測(cè)量?jī)蓚€(gè)并聯(lián)CM450DE-90X之間的均流情況。圖6展示了測(cè)試裝置,通過(guò)它可以測(cè)量N側(cè)IGBT的單獨(dú)電流。測(cè)試在室溫、Vcc=2800V、總電流IC,total=900A(每個(gè)功率模塊450A)和柵極電壓VGE=±15V的條件下進(jìn)行。

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圖6:測(cè)量?jī)蓚€(gè)并聯(lián)CM450DE-90X之間均流的測(cè)試裝置

圖7(a)和(b)分別顯示了兩個(gè)功率模塊在關(guān)斷和開(kāi)通時(shí)的均流情況。測(cè)試結(jié)果表明,電流在兩個(gè)功率模塊之間均勻分布,從而很好地利用了芯片面積。

需要注意的是,評(píng)估中使用的兩個(gè)模塊在特性上差異較小。關(guān)于功率模塊參數(shù)變化對(duì)并聯(lián)的影響,請(qǐng)參閱[5]。

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(a)關(guān)斷

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(b)開(kāi)通

圖7:兩個(gè)并聯(lián)CM450DE-90X的均流(條件:Vcc=2800V,IC,total=900A,VGE=±15V,Tj=25℃,N-side)

高雜散電感下的開(kāi)關(guān)

建議使用低雜散電感Ls的直流母線,以減少開(kāi)關(guān)損耗和關(guān)斷時(shí)的過(guò)電壓。然而,并不是所有的變流器設(shè)計(jì)都能實(shí)現(xiàn)低Ls值。在某些情況下,例如在多電平變流器中,存在較高的Ls,應(yīng)保證功率模塊也能安全可靠運(yùn)行。圖8顯示了4.5kV HV100在Ls=100nH和400nH條件下關(guān)斷時(shí)的開(kāi)關(guān)波形??梢钥闯?,即使Ls高達(dá)400nH,最大VCE電壓也僅達(dá)到3600V左右。有關(guān)高雜散電感的進(jìn)一步測(cè)量結(jié)果,請(qǐng)參見(jiàn)[3]??傊珻M450DE-90X即使在雜散電感較高的情況下也能正常工作,其VCES有足夠的余量,并且不會(huì)產(chǎn)生振蕩。

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圖8:分別在Ls=100nH和Ls=400nH情況下,比較4.5kV HV100的開(kāi)關(guān)波形(條件:Vcc=2800V,Ic=450A,VGE=15V,Tj =150℃)

過(guò)電流時(shí)的魯棒性

功率模塊的魯棒性是變流器主要要求之一,尤其是在鐵路或電力系統(tǒng)等責(zé)任重大的應(yīng)用場(chǎng)合。RBSOA(反偏安全工作區(qū))是評(píng)估IGBT模塊魯棒性的典型方法。該特性顯示了功率模塊在IGBT關(guān)斷時(shí)承受一定電壓和電流的能力。圖9中用黑色曲線顯示了CM450DE-90X規(guī)格書(shū)限定的RBSOA。該圖中,實(shí)際型式試驗(yàn)測(cè)量結(jié)果以橙色曲線顯示。經(jīng)證實(shí),CM450DE-90X樣品即使在2700A(6倍額定電流)的情況下也未發(fā)生故障。這證明了CM450DE-90X的魯棒性,在可能發(fā)生的意外過(guò)流工況時(shí),為變流器制造商和終端用戶提供更大的安全裕量。

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圖9:規(guī)定的RBSOA和評(píng)估結(jié)果(Vcc=3400V,Tj=150℃)

總結(jié)

本文介紹了采用HV100封裝的新型4.5kV/450A功率模塊CM450DE-90X。該功率模塊采用MCB底板和最新一代芯片,具有10.2kV絕緣電壓和卓越性能。特別是在增加功率密度、方便并聯(lián)和過(guò)流工況下的魯棒性等方面進(jìn)行了討論。事實(shí)證明,CM450DE-90X能夠滿足未來(lái)變流器的要求。

新型CM450DE-90X擴(kuò)展了LV100/HV100產(chǎn)品陣容。除CM450DE-90X外,還有額定電壓為1.7kV和3.3kV的其他功率模塊可供選擇。表1列出了LV100/HV100完整產(chǎn)品系列。

表1:HV100和LV100功率模塊陣容

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關(guān)于三菱電機(jī)

三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年,是全球知名的綜合性企業(yè)。截止2023年3月31日的財(cái)年,集團(tuán)營(yíng)收50036億日元(約合美元373億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè),三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)專利技術(shù),并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場(chǎng),三菱電機(jī)從事開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有60余年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車(chē)、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無(wú)線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:【論文】提高4.5kV IGBT模塊的功率密度

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