擴展 IGBT7 產品組合，實現(xiàn)bast-in-Class功率密度

我們已經介紹過關于采用標準TO-247封裝的1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7加EC7二極管續(xù)流產品的優(yōu)點。

秉承"越多越好"的宗旨，英飛凌最近拓展了 IGBT7和EC7技術的產品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場價值主張。圖1顯示了目前可用的分立產品組合，重點如下：

1.

采用TO-247 PLUS封裝可實現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農用車(CAV)的輔助和主牽引驅動等應用

2.

完整產品組合：在相同外形尺寸下，電流從8A到120A不等

3.

拓撲結構靈活，例如開關磁阻電機 (SRM)的驅動器，可以通過TO-247 PLUS不帶續(xù)流二極管的IGBT串聯(lián)外接二極管實現(xiàn)

4.

40A這一常用型號采用了TO-247-4封裝的開爾文發(fā)射極引腳，開通損耗明顯降低，滿足高開關頻率的苛刻應用要求

圖1：英飛凌1200V IGBT7 S7分立式TO系列產品組合（點擊圖片可放大查看）

讓我們重點討論一下TO-247 PLUS封裝--但首先要問幾個問題。

1.

您的功率變換系統(tǒng)是否需要滿足針對變頻驅動器（VFD）的嚴格要求？

2.

您想讓您的變頻器毫不費力地獲得更高的額定功率嗎？

3.

您的VFD設計中是否并聯(lián)了多個器件？

如果答案全部是肯定的，那么，TO-247 PLUS封裝就是為您量身打造的！

我聽起來像個推銷員，對嗎？那么，讓我們通過一些仿真和實驗室測試來揭開這些說法的神秘面紗。如果您下載了1200V IGBT7 S7 PLECS模型，并在B6兩電平三相逆變器拓撲結構中運行......結果是，使用最新發(fā)布的IKQ120N120CS7器件，您可以將輸出功率提高約120%（見圖2）！

圖2：與標準TO-247相比，1200V IGBT7 S7 PLUS 封裝的功率密度有所提高。

條件：800 VDC，散熱器溫度=100°C，cos(φ)=1，mindex=1，fout=50 Hz，RG與數(shù)據(jù)手冊值一致

芯片的不斷縮小和電流密度的不斷提高一直是功率變換器設計關注的問題。人們普遍擔憂，新一代芯片盡管具有更高的電流密度，但由于散熱設計更具挑戰(zhàn)，新器件可能無法在實際工況中實現(xiàn)期待的輸出功率。但圖3澄清了這種擔憂，與前幾代產品相比，新一代IKW75N120CS7的輸出電流性能更為出色。

因此，如果我是一名推銷員，我只需要說，測試結果表明，新型1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7和EC7二極管的損耗降低，抵消了更高電流密度導致的散熱設計的難點。此外，測試結果表明，IKW75N120CS7具有更高的輸出電流，可以輕松替代兩個40A級的競爭產品（工作在相同的 dV/dt），而英飛凌以前的產品（如 IKQ75N120CT2）則不具備這一能力。是時候更換了！

圖3：IKQ75N120CS7在三相兩電平直流-交流變換器 IGBT和二極管應用中的測試結果對比--內部和外部競爭對手。（點擊圖片可放大查看）