JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時(shí)序的要求。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開關(guān)。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個(gè)
2024-03-18 14:36:43
±0.50%和±10%，工作溫度范圍為-65°C至+150°C。TO-220 封裝為需要更多功率、更小封裝的客戶提供了出色的替代方案。
特征：
1.電氣隔離外殼。
2.TO-220 型電源封裝。
3.低歐姆值
2024-03-18 08:21:47
MOSFET集成在緊湊的3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3 x 3FS單體封裝中，為工業(yè)和通信應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換帶來(lái)了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:32:02
93 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用1.5mm × 2mm QFN封裝的TPS62903 3V 至 17V、高效率和低IQ降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-11 09:42:02
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用1.5mm × 2mm QFN封裝的TPS62902 3V 至 17V、高效率和低IQ降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-08 13:59:400 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用1.5mm×2mm QFN封裝的3V至17V、高效率、低IQ降壓轉(zhuǎn)換器TPS62901數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-08 13:49:340 如何區(qū)別普通電阻和保險(xiǎn)電阻？如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻好壞？ 普通電阻和保險(xiǎn)電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細(xì)介紹如何區(qū)分普通電阻和保險(xiǎn)電阻，并說(shuō)明如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險(xiǎn)電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 【米爾-瑞薩RZ/G2UL開發(fā)板】3.雜項(xiàng)測(cè)試
不知道為啥我這板子好多奇奇怪怪的調(diào)試信息蹦出來(lái)，臨時(shí)抑制辦法
echo 1 4 1 7 > /proc/sys/kernel
2024-02-28 15:25:13
“功率電感和普通電感的區(qū)別”這是一個(gè)討論度非常高的話題。功率電感是一種專門為應(yīng)對(duì)高功率應(yīng)用而被設(shè)計(jì)出來(lái)的一種電感產(chǎn)品，而普通電感則是用于一般的普通電路中。那么，它們之間究竟有哪些區(qū)別呢？本篇我們就來(lái)
2024-02-27 22:02:070 在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。
2024-02-23 09:38:53343 
“功率電感和普通電感的區(qū)別”這是一個(gè)討論度非常高的話題。功率電感是一種專門為應(yīng)對(duì)高功率應(yīng)用而被設(shè)計(jì)出來(lái)的一種電感產(chǎn)品，而普通電感則是用于一般的普通電路中。那么，它們之間究竟有哪些區(qū)別呢？本篇我們就來(lái)
2024-02-19 10:30:52156 和限制。它們通常具有較小的尺寸和較低的功率容量。低功率電阻器通常以小型電阻器的形式存在，如普通電阻器、電位器、燒線等。 低功率電阻器的主要特點(diǎn)如下： 1. 高精度：低功率電阻器通常具有高精度的阻值，能夠提供穩(wěn)定的電阻
2024-02-19 09:25:13299 【米爾-瑞薩RZ/G2UL開發(fā)板】1.開箱
開箱視頻
開箱也許會(huì)遲到，但是絕對(duì)不會(huì)缺席。今天開箱的是米爾-瑞薩 RZ/G2UL 開發(fā)板，這是目前筆者接觸到的第二款米爾開發(fā)板。那么這塊板子又會(huì)給大家
2024-02-04 23:38:07
碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價(jià)低，在普通電子產(chǎn)品中應(yīng)用非常廣泛。
2024-01-21 09:58:07136 
主要用于對(duì)電路中的浪涌電流進(jìn)行限制和抑制，以保護(hù)其他電子元件不受到電流過(guò)大的損害。普通電阻則主要用于電路分壓、限流、衰減等基本電阻功能。 2. 結(jié)構(gòu)區(qū)別: 抗浪涌電阻通常由金屬氧化物電阻體、導(dǎo)體引線和封裝材料組成。金屬氧化
2024-01-18 16:16:58559 功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
開發(fā)板簡(jiǎn)介 MYC-YG2UL核心板及開發(fā)板基于RZ/G2UL處理器，通用64位工業(yè)MPU
RZ/G2UL是瑞薩一款高性能處理器；
內(nèi)核Cortex-A55@1.0GHz CPU
2024-01-14 13:25:52
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 引腳浮動(dòng)，輸出通常會(huì)上升時(shí)間為0.4ms?？梢允褂猛獠?b class="flag-6" style="color: red">電阻器設(shè)置電流限制水平從ISET引腳到接地。內(nèi)部充電泵驅(qū)動(dòng)功率FET的柵極，允許導(dǎo)通電阻非常低，僅為28mΩ。當(dāng)輸出電流超過(guò)電流限制設(shè)置器件調(diào)節(jié)
2023-12-25 18:50:25
用萬(wàn)用表如何檢測(cè)普通電阻器？ 萬(wàn)用表是一種多功能測(cè)量工具，用于測(cè)量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測(cè)各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬(wàn)用表來(lái)檢測(cè)普通電阻器的詳細(xì)步驟
2023-12-20 10:46:24669 惠斯通電橋測(cè)電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測(cè)量工具，廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)控制領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說(shuō)明其測(cè)量電阻的優(yōu)勢(shì)和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392754 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
AO6801 (VB4290)參數(shù)說(shuō)明：2個(gè)P溝道，-20V，-4A，導(dǎo)通電阻75mΩ@4.5V，100mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，閾值電壓-1.2~-2.2V，封裝：SOT23-6
2023-12-06 12:01:38
：AO3407適用于功率開關(guān)和穩(wěn)壓應(yīng)用的P溝道MOSFET。其低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。優(yōu)勢(shì)與適用領(lǐng)域：具有低導(dǎo)通電阻，適用于要求低功率損耗和高效率的領(lǐng)域，如電
2023-12-06 11:52:49
模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
現(xiàn)代功率MOSFETs的發(fā)展趨勢(shì)是向著更高開關(guān)頻率和更低導(dǎo)通電阻發(fā)展，因此現(xiàn)代的功率MOSFETs相較于10年前的功率MOSFETs
2023-12-04 16:10:051481 
的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:56189 管理應(yīng)用的 MRigidCSP? 封裝技術(shù)。AOS首顆應(yīng)用該新型封裝技術(shù)的12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET——AOCR33105E，實(shí)現(xiàn)在降低導(dǎo)通電阻的同時(shí)提高CSP產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度。這項(xiàng)新升級(jí)
2023-11-13 18:11:28219 
的 SOT-23-5、SOT-23-6 和 TDFN-6 （2mm x 2mm） 封裝。
特征
●固定頻率1MHz電流模式PWM操作
●可調(diào)輸出電壓高達(dá)24V
●自動(dòng)切換到PSM模式以改善輕負(fù)載時(shí)的效率
●3V至
2023-11-11 11:49:32
MYC-YG2UL核心板及開發(fā)板基于RZ/G2UL處理器，通用64位工業(yè)MPURZ/G2UL是瑞薩一款高性能處理器；內(nèi)核Cortex-A55@1.0GHz CPU、Cortex-M33@200MHz
2023-11-10 11:01:36
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
型號(hào) 2SJ668絲印 VBE2610N品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 38A 導(dǎo)通電阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
2023-10-30 15:13:18
請(qǐng)教大俠們 瑞薩的集成LO芯片8V97051，8V97051 L,8V97051 A
這三款有沒(méi)有區(qū)別？？
2023-10-30 12:36:41
精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個(gè)常見的元件，它被用來(lái)控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個(gè)主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)介紹
2023-10-29 11:21:55933 瑞薩RX130在時(shí)鐘頻率32MHz時(shí)，指令最短執(zhí)行時(shí)間是多少？
2023-10-28 07:01:18
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
5mm × 5 mm，28-PinQFN 封裝，帶外露熱傳導(dǎo)墊片。該小型封裝為無(wú)鉛產(chǎn)品，引線框架采用 100%霧錫電鍍
2023-10-27 09:30:29
電力MOSFET的反向電阻工作區(qū) 電力MOSFET在很多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用，例如電源、驅(qū)動(dòng)電路、LED控制等。MOSFET是一種基于場(chǎng)效應(yīng)管的晶體管，其主要功能是根據(jù)輸入電壓控制輸出電流。然而
2023-10-26 11:38:19435 STC89C52的直插封裝和貼片封裝為什么引腳數(shù)會(huì)不一樣，有什么新的功能嗎
2023-10-25 07:03:15
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說(shuō)具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 穩(wěn)壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線性電阻 對(duì)運(yùn)放狀態(tài)的影響。
2023-10-10 23:32:52
? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
鉆孔主軸在鋁鑄件微小孔加工中具有高效性、高精度性、高穩(wěn)定性和長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn)。使用SycoTec高速電主軸4060ER-S，可實(shí)現(xiàn)高精度鋁鑄件微小孔φ2mm鉆孔加工。
2023-09-25 13:33:32410 
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:24
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:09:45
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:47:35
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:08:07
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 07:55:12
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 06:17:30
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 06:09:58
波動(dòng)，起到開關(guān)作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權(quán)衡關(guān)系的導(dǎo)通電阻也會(huì)提高，效率會(huì)變差，因此，如何同時(shí)兼顧更高耐壓和更低導(dǎo)通電阻，是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。風(fēng)扇電機(jī)通常會(huì)使用多個(gè)MOSFET進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，為了節(jié)
2023-09-14 19:12:41305 
和功率水平。這些快速恢復(fù)硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用，提供廣泛的封裝選項(xiàng)，包括長(zhǎng)引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進(jìn)步和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，射頻技術(shù)在越來(lái)越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
2023-08-29 11:47:48302 
。超結(jié)MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性，對(duì)于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關(guān)應(yīng)用中。封裝特性美浦森S
2023-08-18 08:32:56513 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
貼片電阻10種封裝表示法以及對(duì)應(yīng)功率我們?cè)诠ぷ鞯臅r(shí)候，經(jīng)常會(huì)把貼片電阻這些型號(hào)尺寸弄錯(cuò)，我們?yōu)榱俗尶蛻舾涌焖俦憬莸牟樵?。為此我們將貼片電阻封裝英制和公制的關(guān)系及詳細(xì)的尺寸和對(duì)應(yīng)功率制定成表格以便查詢。
2023-08-08 14:29:251104 
呢? 1、0402封裝 0402封裝是目前最小的塑封貼片壓敏電阻封裝之一，其尺寸僅為1.0mm*0.5mm。由于0402封裝尺寸小，因此適用于電子產(chǎn)品中空間有限的場(chǎng)景，如手機(jī)、平板電腦等電子產(chǎn)品的電路板上。 2、0603封裝 0603封裝是目前應(yīng)用最為廣泛的塑
2023-07-31 11:02:31927 解一下米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板的核心板：
MYC-YG2LX核心板采用高密度高速電路板設(shè)計(jì)，在大小為43mm*45mm的板卡上集成了RZ/G2L、DDR4、eMMC、E2PROM、PMIC電源管理等電路
2023-07-29 00:21:11
。功率MOSFET的漏極之間有一個(gè)寄生二極管，當(dāng)漏極與反向電壓連接時(shí)，器件連接。功率MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)，有利于并聯(lián)器件時(shí)的均流。
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來(lái)的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來(lái)的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448 
收到的米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板上電測(cè)試一下SSH登錄方式和其它測(cè)試！
SSH登錄
在使用之前，需要事先連接網(wǎng)絡(luò)，筆者這里使用的是以太網(wǎng)，事先需要使用串口的登錄，然后輸入以下命令查看IP地址
2023-06-11 21:47:39
最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無(wú)引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
【瑞薩RA MCU創(chuàng)意氛圍賽】1. PWM驅(qū)動(dòng)LED以及STLINK下載配置【瑞薩RA MCU創(chuàng)意氛圍賽】2. KEIL下串口重定向printf和scanf
前言
OLED是單片機(jī)開發(fā)中會(huì)
2023-05-26 14:06:17
今天剛剛收到米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板，拆開包裹后給人的感覺(jué)是驚艷，板卡設(shè)計(jì)真的很棒，來(lái)看看視頻做個(gè)簡(jiǎn)單了解吧。
更多板卡可以登錄官網(wǎng)了解哦。https://www.myir.cn/
2023-05-22 21:58:13
剛收到米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板打開包裝后看到的很大的一塊黑色PCB，做工精美的開發(fā)板，給人眼前一亮的感覺(jué)。
首先來(lái)介紹以下這家公司：
深圳市米爾電子有限公司，是一家專注于嵌入式處理器模組設(shè)計(jì)研發(fā)
2023-05-22 21:53:44
實(shí)驗(yàn)器材
1、米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板
2、MY-TFT070-K顯示屏
實(shí)現(xiàn)步驟
1、連接開發(fā)板與顯示屏，這次配的數(shù)據(jù)線有點(diǎn)特殊，大家一定要按我這樣的接，還有就是線接上以后一定要用萬(wàn)用表量一下
2023-05-22 19:26:15
引言
很高興能有機(jī)會(huì)參加【瑞薩RA MCU創(chuàng)意氛圍賽】，在以前學(xué)習(xí)stm32的時(shí)候，就是野火的開發(fā)板、文檔以及視頻帶我入門的?，F(xiàn)在有空體驗(yàn)一下野火的產(chǎn)品——瑞薩系統(tǒng)的 啟明4M2 ，主控
2023-05-21 17:02:36
感謝
感謝電子發(fā)燒友論壇、感謝米爾電子，把米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板試用話動(dòng)的機(jī)會(huì)給了我。最近事情比較多，趕在這個(gè)空擋時(shí)間完成開箱報(bào)告。
開箱
第一次拿到米爾電子的試用機(jī)會(huì)，簡(jiǎn)約的包裝盒透著電子行業(yè)
2023-05-18 19:33:10
?！皩?dǎo)通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項(xiàng)主要參數(shù)，但對(duì)于普通的MOSFET而言，由于導(dǎo)通電阻與芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開通過(guò)程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
感謝
感謝電子發(fā)燒友論壇、感謝米爾電子，把米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板試用話動(dòng)的機(jī)會(huì)給了我。雖然周五就收到了開發(fā)板，但是由于復(fù)陽(yáng)了，為了能及時(shí)的完成試用活動(dòng)，所以今天努力的爬起來(lái)完成開箱報(bào)告。
開箱
2023-05-14 19:41:46
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn)，已經(jīng)在電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
、靈活性較差。為此，RT-Thread 聯(lián)合 瑞薩 推出了全新的 HMI Board 開發(fā)模式，取代傳統(tǒng)的 HMI + 主控板 硬件，一套硬件即可實(shí)現(xiàn) HMI + IoT + 控制 的全套能力。依托于瑞薩
2023-05-08 08:22:12
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
香蕉派 BPI-W3采用瑞芯微RK3588開源硬件開發(fā)板公開發(fā)售
香蕉派BPI-W3 開發(fā)板[]()
香蕉派BPI-W3 開發(fā)板是由bananapi開源社區(qū)最新設(shè)計(jì)的一款開源硬件開發(fā)板，采用瑞芯芯片
2023-04-24 09:29:06
瑞薩RH850 R7F7010693 誰(shuí)能破解？可以的加我V：13520223020
2023-04-22 14:29:33
并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來(lái)取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 
1 比賽歷程總結(jié)我是在RA4M2測(cè)評(píng)活動(dòng)第一次深入接觸瑞薩，瑞薩的產(chǎn)品真的是非常豐富，而且生態(tài)也做得非常好，有專業(yè)的開發(fā)工具，比如e2Studio，Renesas RA Smart
2023-04-02 21:56:47
感言有幸參加瑞薩舉辦的RA4M2網(wǎng)關(guān)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)賽，了解了瑞薩RA系列單片機(jī)布局，工具鏈支持等。因?yàn)楣ぞ哝湹耐昝乐С?，RA4M2作品開發(fā)起來(lái)事半功倍，用戶可以只專注于功能邏輯的開發(fā)而不需要了解底層硬件
2023-03-31 16:07:32
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