ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM (總部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V)， 這些產(chǎn)品非常適合驅(qū)動(dòng)以24V 、36V 、48V級(jí)電源 供電的應(yīng)用，例如基站和服務(wù)器用的電源、工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備用的電機(jī)等。

近年來(lái)，全球電力需求量持續(xù)增長(zhǎng)，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各 種電機(jī)和基站、服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項(xiàng)主要參 數(shù)，但對(duì)于普通的MOSFET而言，由于導(dǎo)通電阻與芯片尺寸成反比，Qgd會(huì)成比例增加，因此很難同時(shí)兼 顧這兩項(xiàng)參數(shù)。針對(duì)這個(gè)課題，ROHM通過(guò)微細(xì)化工藝、采用銅夾片連接、改進(jìn)柵極結(jié)構(gòu)等措施，改善了 兩者之間的權(quán)衡關(guān)系。

新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝， 實(shí)現(xiàn)了僅2.1mQ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻(Ron) *2 ，相比以往產(chǎn)品， 導(dǎo)通電阻降低了50% 。另外， 通過(guò)改 進(jìn)柵極結(jié)構(gòu)， Qgd*3 (柵-漏電荷，通常與導(dǎo)通電阻之間存在權(quán)衡關(guān)系)也比以往產(chǎn)品減少了約40% (Ron和 Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產(chǎn)品之間的比較) 。這可以降低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，非常有助于各種應(yīng) 用產(chǎn)品的高效率工作。例如，當(dāng)在工業(yè)設(shè)備用電源評(píng)估板上比較電源效率時(shí)，新產(chǎn)品在穩(wěn)態(tài)工作時(shí)的輸出 電流范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超高的電源效率(峰值時(shí)高達(dá)約95%)。

新產(chǎn)品已于2023年1月開(kāi)始暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn) 。另外， 新產(chǎn)品也已開(kāi)始電商銷售，從 Oneyac 電商平臺(tái)均可購(gòu)買(mǎi)。

未來(lái)，ROHM將繼續(xù)開(kāi)發(fā)導(dǎo)通電阻更低的MOSFET，通過(guò)助力各種設(shè)備降低功耗和更加節(jié)能，為環(huán)境 保護(hù)等社會(huì)問(wèn)題貢獻(xiàn)力量。

＜產(chǎn)品陣容＞

＜應(yīng)用示例＞

◇通信基站和服務(wù)器用的電源

◇工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品用的電機(jī)

以及其他各種設(shè)備的電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

*1) Nch MOSFET

通過(guò)向柵極施加相對(duì)于源極為正的電壓而導(dǎo)通的MOSFET。

與Pch MOSFET相比， 由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性。

*2) 導(dǎo)通電阻(Ron)

MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏極和源極之間的電阻值。該值越小，導(dǎo)通時(shí)的功率損耗越少。

*3) Qgd (柵-漏電荷)

MOSFET開(kāi)始導(dǎo)通后， 柵極和漏極間的電容充電期間的電荷量。該值越小， 開(kāi)關(guān)速度越快， 開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗 (功率損耗)越小。

審核編輯黃宇