，在復(fù)雜和嚴(yán)苛的工作環(huán)境中表現(xiàn)出色。然而，AMB基板在使用過(guò)程中可能會(huì)受到氧化的影響，導(dǎo)致性能下降甚至失效。因此，對(duì)AMB基板進(jìn)行防氧化處理至關(guān)重要。
2024-03-22 10:22:44
37 
CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
這篇文章解釋了如何使用 IC 4017 設(shè)計(jì)和構(gòu)建追逐 LED光波效應(yīng)發(fā)生器電路。基本上，該電路是 LED 追逐器電路的增強(qiáng)形式，當(dāng) LED 從高亮度到低亮度依次循環(huán)和脈沖時(shí)，它會(huì)在 LED 上產(chǎn)生類似波的模擬。
2024-02-25 14:14:1293 
株式會(huì)社村田制作所的生產(chǎn)子公司——株式會(huì)社出云村田制作所(島根縣出云市)將于2024年3月起開(kāi)始建設(shè)新廠房。本次新廠房的建設(shè)目的是構(gòu)建可應(yīng)對(duì)多層陶瓷電容器中長(zhǎng)期需求增加的生產(chǎn)體制。 新廠房位于
2024-02-21 15:11:08215 
不同的圖像。 LED顯示屏的材質(zhì)通常有以下幾種： LED芯片：LED芯片是LED顯示屏的核心部件，其材質(zhì)可以是GaN（氮化鎵）等半導(dǎo)體材料。GaN具有較高的運(yùn)動(dòng)性和較寬的能隙，可以實(shí)現(xiàn)高亮度、高效率的發(fā)光。 PCB基板：PCB基板是LED顯示屏中用來(lái)支撐和連接LED芯片的主要材料，通常
2024-02-03 14:33:02520 蝕刻時(shí)間和過(guò)氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過(guò)氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
熱電分離銅基板與普通銅基板相比有何優(yōu)勢(shì)？ 熱電分離銅基板與普通銅基板相比，在許多方面都具有顯著的優(yōu)勢(shì)。以下將詳細(xì)介紹熱電分離銅基板的優(yōu)點(diǎn)，并向您解釋其為何在許多應(yīng)用中被廣泛采用。 首先，熱電分離
2024-01-18 11:43:47126 請(qǐng)問(wèn)使用ADP150芯片datasheet所給的典型電路能否驅(qū)動(dòng)白光led（led的驅(qū)動(dòng)輸入為：3.0～3.2V20mA）
2024-01-09 06:29:04
介紹了光波干涉的原理是什么，以及該原理可以應(yīng)用于什么領(lǐng)域。
2024-01-07 15:41:19339 
事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤(pán)、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
陶瓷基板產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為陶瓷粉體制備企業(yè)，中游為陶瓷裸片及陶瓷基板生產(chǎn)企業(yè)，下游則涵蓋汽車、衛(wèi)星、光伏、軍事等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?？v觀陶瓷基板產(chǎn)業(yè)鏈，鮮有企業(yè)能夠打通垂直產(chǎn)業(yè)鏈，形成粉體、裸片、基板的一體化優(yōu)勢(shì)。
2023-12-26 11:43:29562 
尼得科株式會(huì)社的集團(tuán)公司尼得科儀器株式會(huì)社(舊日本電產(chǎn)三協(xié))開(kāi)發(fā)出了能夠在真空環(huán)境下工作的液晶基板搬運(yùn)機(jī)器人,該機(jī)器人具有與在大氣環(huán)境下工作同等的關(guān)節(jié)自由度。 在液晶面板和有機(jī)EL等顯示器的制造工藝
2023-12-22 15:27:31742 
外媒消息，韓國(guó)首爾國(guó)立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開(kāi)發(fā)了一種在石墨烯層上生長(zhǎng)柔性GaN LED陣列的方法，通過(guò)該技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)生長(zhǎng)出了LED微型陣列，并稱作微盤(pán)陣列（Microdisks arrays）。
2023-12-18 10:07:15510 Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電和其他應(yīng)用。 功率氮化鎵-用于無(wú)線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
12月11日，外媒消息，韓國(guó)首爾國(guó)立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開(kāi)發(fā)了一種在石墨烯層上生長(zhǎng)柔性GaN LED陣列的方法，通過(guò)該技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)生長(zhǎng)出了LED微型陣列
2023-12-13 16:06:03401 
作為全球兩大手機(jī)品牌蘋(píng)果與三星電子的關(guān)鍵上鏈企業(yè)，村田制作所在消費(fèi)換代周期拉長(zhǎng)之時(shí)積極應(yīng)對(duì)需求減緩的挑戰(zhàn)。研究機(jī)構(gòu)Counterpoint數(shù)據(jù)佐證了新興市場(chǎng)需求的積極影響
2023-12-13 13:50:52230 博捷芯半導(dǎo)體劃片機(jī)在LED陶瓷基板制造領(lǐng)域，晶圓劃片機(jī)作為一種先進(jìn)的切割工具，正在為提升產(chǎn)業(yè)效率和產(chǎn)品質(zhì)量發(fā)揮重要作用。通過(guò)精確的切割工藝，晶圓劃片機(jī)將LED陶瓷基板高效地切割成獨(dú)立的芯片，為LED
2023-12-08 06:57:26382 
LED燈珠鋁基板有什么用？ LED燈珠鋁基板具有多種用途和優(yōu)點(diǎn)，它在LED燈具制造過(guò)程中起到關(guān)鍵作用。在本文中，我們將詳細(xì)介紹LED燈珠鋁基板的用途、工作原理和優(yōu)勢(shì)。 一、LED燈珠的鋁基板用途
2023-12-07 09:59:32732 1開(kāi)發(fā)板上，自然也不會(huì)少了它，其在開(kāi)發(fā)板上的位置如圖1所示，共有3個(gè)，其顏色分別為紅、綠、黃3個(gè)色彩。
圖1LED燈
3個(gè)LED燈的電路見(jiàn)圖2所示，由此可知其是低電平點(diǎn)亮。
圖2LED電路
LED
2023-11-21 11:11:45
據(jù)日經(jīng)XTECH消息，來(lái)自名古屋大學(xué)的初創(chuàng)企業(yè)U-MAP開(kāi)發(fā)了一種打破常識(shí)的新型散熱材料——纖維狀氮化鋁基板及墊片，基板用于功率半導(dǎo)體和激光器等的封裝，墊片用于CPU等的散熱。
2023-11-21 10:38:55444 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講鋁基板打樣的方法有哪些？鋁基板打樣的四種方法。鋁基板一般都是led鋁基板，因?yàn)槌Ｒ?jiàn)于LED照明產(chǎn)品。有正反兩面，白色的一面是焊接LED引腳的，另一面呈現(xiàn)鋁本色
2023-11-07 09:20:06356 燈板制作的新選擇，這些基板比鋁基板更好！
2023-11-06 10:06:02255 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED小夜燈的制作和調(diào)試.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-06 08:31:29
2 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講PCB打樣鋁基板與fr4板的區(qū)別是什么？鋁基板與FR4板的區(qū)別。鋁基板和FR4板是PCB制板中常見(jiàn)的兩種板材，鋁基板常用做LED燈板，那么鋁基板與FR4板有什么區(qū)別呢?接下來(lái)深圳PCB板廠為大家介紹下。
2023-11-03 09:10:50585 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED點(diǎn)陣電子顯示屏制作.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-02 11:47:174 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED七彩變色燈的制作.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-30 11:19:550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《點(diǎn)陣LED顯示屏的原理與制作.doc》資料免費(fèi)下載
2023-10-30 10:15:092 ~采用業(yè)界先進(jìn)的納秒量級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)，助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的小型化和進(jìn)一步節(jié)能~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款超高速驅(qū)動(dòng)GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2023-10-25 15:45:02192 
~采用業(yè)界先進(jìn)的納秒量級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)，助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的小型化和進(jìn)一步節(jié)能~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款超高速驅(qū)動(dòng)GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2023-10-19 15:39:38214 
陶瓷基板一簡(jiǎn)介陶瓷基板（銅箔鍵合到氧化鋁基片上的板）是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面(單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣
2023-10-16 18:04:55615 
硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開(kāi)發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:31317 
這種作方法屬于“有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）法”，通過(guò)在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料，在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現(xiàn)有的“氫化物氣相外延（HVPE）法”相比，可以制作更高頻率器件。
2023-10-12 16:53:53616 紅外二氧化碳傳感器由紅外光源、反射式氣室和紅外傳感器組成。紅外傳感器接收紅外光源發(fā)出的光波，紅外傳感器可以測(cè)量到達(dá)的紅外光的強(qiáng)度。
2023-09-29 10:28:00524 
LED（發(fā)光二極管）已經(jīng)成為了現(xiàn)代照明和電子領(lǐng)域的主力軍，因?yàn)樗鼈儾粌H具有高效能、長(zhǎng)壽命和低能耗等優(yōu)點(diǎn)，還能夠發(fā)出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類型、工作原理以及其優(yōu)點(diǎn)三個(gè)方面來(lái)探討LED能夠
2023-09-27 08:15:011261 
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)?，效率在開(kāi)關(guān)頻率超過(guò) 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
Sunic System開(kāi)發(fā)了可以在玻璃基板上實(shí)現(xiàn)高分辨率有機(jī)發(fā)光二極管（OLED ）的顯示設(shè)備。
2023-09-08 14:24:21380 本文研究金屬化的陶瓷基板，主要包括DBC陶瓷基板、DPC陶瓷基板、AMB陶瓷基板和DBA陶瓷基板等，上游是白板（氧化鋁白板、氮化鋁白板和氮化硅白板）。下游主要應(yīng)用是功率模塊、LED、制冷
2023-09-08 11:03:081052 
在消費(fèi)類應(yīng)用領(lǐng)域，由于快速充電器的快速增長(zhǎng)，GaN 技術(shù)在 2020-2021 跨越了鴻溝，目前其他交直流應(yīng)用場(chǎng)景中也采用了GaN? 帶有嵌入式驅(qū)動(dòng)程序 / 控制器（MasterGaN、VIPerGaN）的系統(tǒng)封裝 (SiP) 由于集成簡(jiǎn)單，將有助于更廣泛的使用
2023-09-07 07:20:19
捷多邦氧化鋁陶瓷基板：電子封裝材料的新選擇
2023-09-06 10:16:59331 氧化鋁陶瓷基板：5G時(shí)代的材料革命
2023-09-06 10:15:18377 ，HarmonyOS生態(tài)、元服務(wù)新應(yīng)用形態(tài)更好的未來(lái)由我們共同去創(chuàng)造。
二、演講部分內(nèi)容
1.我在HDC2023分論壇的演講《與HarmonyOS同行，全面助力開(kāi)發(fā)者成長(zhǎng)》
2.HarmonyOS應(yīng)用分類與元服務(wù)的優(yōu)勢(shì)
2023-09-05 10:23:37
本文轉(zhuǎn)載分享自華為開(kāi)發(fā)者論壇《?HarmonyOS元服務(wù)開(kāi)發(fā)實(shí)踐：桌面卡片字典?》，作者：蛟龍騰飛
一、項(xiàng)目說(shuō)明
1.DEMO創(chuàng)意為卡片字典。
2.不同卡片顯示不同內(nèi)容：微卡、小卡、中卡、大卡，根據(jù)
2023-08-24 16:55:32
激光波段分類有哪些 激光波段分類是指將激光光線按照波長(zhǎng)范圍進(jìn)行分類，通常將激光波段劃分為紅外、可見(jiàn)光和紫外三類。每種波段的激光應(yīng)用范圍不同，下面將分別介紹它們的特點(diǎn)和應(yīng)用。 一、紅外激光波段 紅外
2023-08-23 16:14:365014 陶瓷散熱基板中的“陶瓷”，并非我們通常認(rèn)知中的陶瓷，屬于電子陶瓷材料，主要用于陶瓷封裝殼體和陶瓷基板，主要成分包括氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化鈹(BeO)等。與傳統(tǒng)的陶瓷有個(gè)共性，主要化學(xué)成分都是硅、鋁、氧三種元素。
2023-08-23 15:07:30638 
降低了產(chǎn)品成本。搭載GaN的充電器具有元件數(shù)量少、調(diào)試方便、高頻工作實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)點(diǎn)，可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，降低GaN快充的開(kāi)發(fā)難度，有助于實(shí)現(xiàn)小體積、高效氮化鎵快充設(shè)計(jì)。 Keep Tops氮化鎵內(nèi)置多種
2023-08-21 17:06:18
基于NTC熱敏電阻的LED閃光基板的溫度檢測(cè)
2023-08-17 14:34:13294 
氧化鋁陶瓷基材 機(jī)械強(qiáng)度高，絕緣性好，和耐光性.它已廣泛應(yīng)用于多層布線陶瓷基板、 電子封裝 和 高密度封裝基板 。 1. 氧化鋁陶瓷基板的晶體結(jié)構(gòu)、分類及性能 氧化鋁有許多均勻的晶體
2023-08-02 17:02:46752 
隨著科技的進(jìn)步，電影制作技術(shù)也在不斷提升，其中一個(gè)具有革命性的技術(shù)改變就是LED虛擬制作的使用。LED虛擬制作的使用已經(jīng)在革新電影制作過(guò)程，它不僅減少了制作成本，也提高了視覺(jué)效果，甚至改變了電影拍攝
2023-08-01 17:43:30283 陶瓷基板DPC（Direct Plating Copper）工藝和DBC（Direct Bond Copper）工藝是兩種常用的陶瓷基板制作工藝。盡管它們都是用于制作陶瓷基板的方法，但它們之間存在一些重要的區(qū)別，導(dǎo)致DPC工藝比DBC工藝更貴。
2023-07-28 10:57:27928 
株式會(huì)社村田制作所已開(kāi)發(fā)出檢測(cè)距離為15～550cm的ADAS（先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)）用防水型超聲波傳感器“MA48CF15-7N”，現(xiàn)已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)。
2023-07-27 11:15:16343 隨著科技的不斷進(jìn)步，LED虛擬制作技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代娛樂(lè)產(chǎn)業(yè)的重要組成部分。LED虛擬制作以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)在全球范圍內(nèi)改變了影視、直播和舞臺(tái)表演的制作方式。本文將探討LED虛擬制作的優(yōu)勢(shì)，以及
2023-07-21 17:28:52260 問(wèn)題是Micro LED很難量產(chǎn)。像以往制作顯示元件的方式一樣，使用機(jī)械臂將零件一個(gè)接一個(gè)地組裝在基板上的方式，Micro LED零件的數(shù)量太小，導(dǎo)致良率下降。
2023-07-14 12:47:46173 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用螺栓模塊制作的LED玩具.zip》資料免費(fèi)下載
2023-07-11 16:23:300 在本文中，工程師展示了如何使用Arduino Uno開(kāi)發(fā)板和三個(gè)LED制作簡(jiǎn)單的電子蠟燭，你可以根據(jù)需要增加LED的數(shù)量。
2023-07-11 09:49:03994 
GaN基Micro LED與其驅(qū)動(dòng)（如HEMT、MOSFET等）的同質(zhì)集成能充分發(fā)揮出GaN材料的優(yōu)勢(shì)，獲得更快開(kāi)關(guān)速度、更高耐溫耐壓能力以及更高效率的Micro LED集成單元，其在Micro LED透明顯示、柔性顯示以及可見(jiàn)光通訊中都展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景。
2023-07-07 12:41:19332 
氧化鋁陶瓷通常以基體中氧化鋁的含量來(lái)分類，例如一般把氧化鋁含量在99%、95%、90%左右的依次稱為“99瓷”、“95瓷”和“90瓷”。按顏色可分為白色、紫色、黑色氧化鋁等。
2023-07-04 10:01:15852 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用LED和紙巾管制作萬(wàn)圣節(jié)項(xiàng)目.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-29 10:23:340 電機(jī)集團(tuán)近日（2023年6月8日）宣布，該公司已開(kāi)發(fā)出首款使用單個(gè)放大器即可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器。該技術(shù)已被證明可用于在單個(gè)基站中以不同頻率運(yùn)行的4G、5G和Beyond
2023-06-27 15:10:27499 
6 月 26 日消息，日本電容器（MLCC）大廠村田制作所近日宣布，計(jì)劃到 2028 年，對(duì)日本國(guó)內(nèi)的金澤村田制作所、仙臺(tái)村田制作所和芬蘭子公司合計(jì)投資約 100 億日元，將硅電容器產(chǎn)能提高兩倍
2023-06-27 08:44:49279 地被開(kāi)發(fā)出來(lái)。GaN器件的低導(dǎo)通內(nèi)阻、低寄生電容和高開(kāi)關(guān)速度等特性，使得對(duì)應(yīng)的Class D功放系統(tǒng)能夠具有更高的效率，更高的功率密度，同時(shí)因?yàn)楦俚姆答佇枨?b class="flag-6" style="color: red">所帶來(lái)的非線性失真度將更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
開(kāi)發(fā)基于物理的模型，從而可用準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)到氮化鎵產(chǎn)品在通用操作條件下的安全使用壽命，讓設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)其設(shè)計(jì)要求，對(duì)氮化鎵器件進(jìn)行評(píng)估。
“測(cè)試器件至失效”的測(cè)試報(bào)告結(jié)果可瀏覽GaN 可靠性。
誤解3
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開(kāi)關(guān)性能，有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
陶瓷基板以其優(yōu)良的導(dǎo)熱性和氣密性，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子和多芯片模塊等領(lǐng)域。
2023-06-19 17:39:58872 
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體帶來(lái)AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過(guò)800V
2023-06-15 15:53:16
200℃。
1972年，基于氮化鎵材質(zhì)的 LED 發(fā)光二極管才被發(fā)明出來(lái)（使用摻有鎂的氮化鎵），。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類第一次制備出能夠發(fā)出藍(lán)
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場(chǎng)。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
時(shí)間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時(shí)的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運(yùn)輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
直接覆銅技術(shù)（DBC）是一種基于氧化鋁陶瓷基板金屬化的技術(shù)，最早出現(xiàn)于20世紀(jì)70年代。DBC技術(shù)是利用銅的含氧共晶液將銅直接與陶瓷進(jìn)行敷接的一項(xiàng)技術(shù)，其基本原理是先通過(guò)預(yù)氧化的方法在銅箔中引入
2023-06-14 16:18:31964 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《制作Hexabitz RGB LED項(xiàng)鏈.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-12 14:42:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《為架子鼓制作動(dòng)畫(huà)燈/LED.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-09 10:48:090 供應(yīng)LXES15AAA1-153 靜電保護(hù)二極管 ESD-MURATA/村田TVS二極管，提供LXES15AAA1-153 關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-08 10:24:43
賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)基于先進(jìn)的TCAD仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)開(kāi)發(fā)出了晶格匹配的AlInN/GaN DBR模型數(shù)據(jù)庫(kù)，并系統(tǒng)地研究了晶格匹配的AlInN/GaN底部DBR結(jié)構(gòu)對(duì)GaN基垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL）電學(xué)和熱學(xué)特性的影響。
2023-06-07 13:49:03271 
工藝區(qū)別傳統(tǒng)方法，以磁控濺射新技術(shù)在完成金屬化制作的陶瓷線路板上生長(zhǎng)一層陶瓷介質(zhì)，再在這層介質(zhì)上重新金屬化制作第二層線路。
2、陶瓷基板性能和應(yīng)用不同。 陶瓷基板的導(dǎo)熱率遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)普通PCB板，氧化鋁陶瓷
2023-06-06 14:41:30
PCBA基板是PCBA主板的主要載體，制作PCBA基板的材料質(zhì)量對(duì)整個(gè)產(chǎn)品的整體性能有非常大的影響。
2023-06-02 14:33:17541 氮化鋁為大功率半導(dǎo)體優(yōu)選基板材料。氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、 氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4）4 種材料是已經(jīng)投入生產(chǎn)應(yīng)用的主要陶瓷基板 材料，其中氧化鋁技術(shù)成熟度最高、綜合性能好、性價(jià)比高，是功率器件最為常用 的陶瓷基板，市占率達(dá) 80%以上。
2023-05-31 15:58:35876 
株式會(huì)社村田制作所創(chuàng)新開(kāi)發(fā)出一款在0603M尺寸(0.6 x 0.3mm)中具有超大靜電容量10μF的多層陶瓷電容器，。該產(chǎn)品在以智能手機(jī)為主的各種電子設(shè)備中被越來(lái)越多的使用。
2023-05-31 14:35:37519 
直接鍍銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復(fù)合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。
2023-05-31 10:32:021587 
使用DBC基板作為芯片的承載體，可有效的將芯片與模塊散熱底板隔離開(kāi)，DBC基板中間的Al2O3陶瓷層或者AlN陶瓷層可有效提高模塊的絕緣能力(陶瓷層絕緣耐壓>2.5KV)。
2023-05-26 15:04:022075 
在簡(jiǎn)述電光效應(yīng)和熱光效應(yīng)的基礎(chǔ)上綜述了國(guó)內(nèi)外光波導(dǎo)相控陣技術(shù)研究進(jìn)展，包括一維和二維光波導(dǎo)相控陣的技術(shù)途徑、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能指標(biāo)，給出了光波導(dǎo)相控陣的優(yōu)勢(shì)以及在激光雷達(dá)、成像等領(lǐng)域的應(yīng)用前景。 結(jié)果表明，光波導(dǎo)相控陣技術(shù)正向著大掃描角度、高掃描精度、高響應(yīng)速率、低控制電壓、高集成度的方向發(fā)展。
2023-04-23 09:55:501538 
電路的作用問(wèn)題：這種“田”字電容電路有什么作用？檢測(cè)嗎？
2023-04-19 17:35:04
氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料，有望成為下一代功率半導(dǎo)體，日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。
2023-04-14 15:42:06363 田村路555號(hào)）（報(bào)名請(qǐng)?zhí)砑庸ぷ魅藛T微信查詢：elecfans123）議程安排主論壇 9:30-12:20重磅發(fā)布OpenHarmony 3.2 Release 版本特性及最佳實(shí)踐分享分論壇：14
2023-04-13 17:22:19
摘要：文章簡(jiǎn)要介紹大功率LED導(dǎo)熱原理，著重分析金屬基板導(dǎo)熱的研究進(jìn)展，綜述金屬基板導(dǎo)熱在大功率LED導(dǎo)熱領(lǐng)域的應(yīng)用現(xiàn)狀，展望大功率LED導(dǎo)熱的未來(lái)。關(guān)鍵詞：導(dǎo)熱；大功率LED；金屬基板1、前言
2023-04-12 14:31:47887 
陶瓷基板是指銅箔下直接鍵合到氧化鋁（AI2O3）或氧化鋁（ALN）陶瓷基片表面（單面/雙面）上的特殊工藝板。所制成的超薄符合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并能
2023-04-12 10:42:42708 N32G430C8L7_STB開(kāi)發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開(kāi)發(fā)
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開(kāi)發(fā)，開(kāi)發(fā)板主MCU芯片型號(hào)N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論