韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種在石墨烯層上生長(zhǎng)柔性GaN LED陣列的方法

外媒消息，韓國(guó)首爾國(guó)立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開(kāi)發(fā)了一種在石墨烯層上生長(zhǎng)柔性GaN LED陣列的方法，通過(guò)該技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)生長(zhǎng)出了LED微型陣列，并稱(chēng)作微盤(pán)陣列（Microdisks arrays）。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，微盤(pán)陣列表現(xiàn)出了優(yōu)異的結(jié)晶度，并可發(fā)出平面內(nèi)方向一致且亮度較強(qiáng)的藍(lán)光。

據(jù)悉，研究人員使用金屬有機(jī)氣相外延技術(shù)在覆蓋有微圖案SiO2掩模的石墨烯層上生長(zhǎng)GaN微盤(pán)。然后將微盤(pán)加工成Micro LED，并成功轉(zhuǎn)移到可彎曲基板上。這項(xiàng)研究表明，可通過(guò)石墨烯上生長(zhǎng)出高質(zhì)量LED，并將其集成到靈活的Micro LED設(shè)備中。

值得注意的是，首爾國(guó)立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近年正在深入進(jìn)行Micro LED技術(shù)的研究，并通過(guò)與韓國(guó)知名顯示企業(yè)之間的合作，陸續(xù)開(kāi)發(fā)出先進(jìn)的Micro LED制造技術(shù)。

就在今年的7月，首爾國(guó)立大學(xué)與LG電子的科學(xué)團(tuán)隊(duì)在《自然》（nature）雜志上發(fā)表了一種稱(chēng)作流體自組裝(FSA)的巨量轉(zhuǎn)移新技術(shù)，通過(guò)搖晃運(yùn)動(dòng)的方式將Micro LED芯片定位并粘合在基板上。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，通過(guò)應(yīng)用FSA技術(shù)，可在60秒的時(shí)間內(nèi)組裝一個(gè)具有超19,000 個(gè)Micro LED芯片的兩英寸藍(lán)光面板。若仔細(xì)控制液體的粘度，該轉(zhuǎn)移技術(shù)還可實(shí)現(xiàn)高達(dá)99.9%的Micro LED組裝良率。

這項(xiàng)巨量轉(zhuǎn)移新技術(shù)可大幅縮減Micro LED顯示產(chǎn)品的制作時(shí)間與成本。該技術(shù)有望在未來(lái)5年應(yīng)用在Micro LED智能手機(jī)、平板電腦、智能手表和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)設(shè)備等顯示產(chǎn)品的生產(chǎn)中。

除此之外，在2020年，首爾國(guó)立大學(xué)團(tuán)隊(duì)還成功在100nm的藍(lán)寶石納米薄膜上生長(zhǎng)出Micro LED陣列。研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)出一種藍(lán)寶石納米薄膜陣列，用于生長(zhǎng)尺寸為4μm×16μm的Micro LED陣列。這種方法無(wú)需經(jīng)過(guò)等離子蝕刻工藝就能夠?qū)崿F(xiàn)Micro LED芯片的單片化，提供更高的外量子效率（EQE）。

來(lái)源：LEDinside

審核編輯：劉清