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RF MEMS大舉進(jìn)駐高階LTE手機(jī)

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2009-11-30 11:16:44559

高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān)

高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開關(guān) 0 引 言 RF MEMS開關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面,具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開關(guān)無法比擬的優(yōu)勢,從而獲
2009-12-12 11:35:40834

基于RF、MEMS開關(guān)的移相器設(shè)計(jì)

傳統(tǒng)電子移相器由于損耗問題難以向更高頻率發(fā)展,射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS) 技術(shù)的出現(xiàn)使其得以替代半導(dǎo)體開關(guān)來設(shè)計(jì)更高頻率的移相器. 利用具有優(yōu)異RF 性能的串聯(lián)電阻式RFMEMS 開關(guān)來
2011-12-26 18:41:0262

28nm營收翻3倍!臺積電大舉進(jìn)軍高階封測

臺積電2013年大舉跨入高階封測領(lǐng)域,封測雙雄日月光和矽品均進(jìn)入備戰(zhàn)狀況,加大力度建置產(chǎn)能,可預(yù)期高階封測將成為封測業(yè)今年主戰(zhàn)場。
2013-01-06 09:00:19755

未來LTE手機(jī)的兩大關(guān)鍵技術(shù):RF MEMS和軟件無線電

隨著LTE多頻多模時(shí)代的來臨,新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式下增加LTE模式及相應(yīng)工作頻段,頻段的快速增加必然引發(fā)內(nèi)部射頻RF天線尺寸與功耗過大問題。為此,射頻工程師加速研發(fā)創(chuàng)新RF技術(shù)解決方案,包括RF MEMS及軟件無線電等技術(shù)。
2013-07-23 15:27:351218

RF_MEMS技術(shù)對小型化雷達(dá)的作用

RF_MEMS技術(shù)對小型化雷達(dá)的作用
2017-01-11 12:54:2111

RF MEMS技術(shù)的雷達(dá)系統(tǒng)的解析

該文采用至上而下的方式,介紹了應(yīng)用RF MEMS技術(shù)的雷達(dá)系統(tǒng),將雷達(dá)子系統(tǒng)與RF MEMS 技術(shù)聯(lián)系起來,具體分析了應(yīng)用于雷達(dá)的RF MEMS 開關(guān)、移相器、濾波器和諧振器。同時(shí),文中以開關(guān)
2017-11-07 10:32:3714

低壓驅(qū)動RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬--用于MEMS開關(guān)缺陷的改進(jìn)

損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動電壓高、開關(guān)時(shí)間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對MEMS開關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。 1 RF MEMS開關(guān)
2017-11-25 12:28:56364

低壓驅(qū)動RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與模擬

損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動電壓高、開關(guān)時(shí)間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對MEMS開關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。 1 RF MEMS開關(guān)
2017-12-02 15:27:26256

RF MEMS、軟件無線電 未來LTE手機(jī)的兩大關(guān)鍵技術(shù)

隨著LTE多頻多模智能手機(jī)時(shí)代的來臨,新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應(yīng)的工作頻段,并實(shí)現(xiàn)國際漫游的工作頻段,頻段總量接近40個(gè)。頻段的快速增加引發(fā)內(nèi)部射頻(RF)天線
2017-12-06 05:05:20190

低壓驅(qū)動的RF MEMS開關(guān)模擬設(shè)計(jì)

損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動電壓高、開關(guān)時(shí)間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下 文將針對MEMS開關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。 1 RF M
2017-12-06 12:44:13275

未來LTE手機(jī)的兩大關(guān)鍵技術(shù)-RF MEMS、軟件無線電

隨著LTE多頻多模智能手機(jī)時(shí)代的來臨,新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應(yīng)的工作頻段,并實(shí)現(xiàn)國際漫游的工作頻段,頻段總量接近40個(gè)。頻段的快速增加引發(fā)內(nèi)部射頻(RF)天線
2017-12-07 01:41:01154

低壓驅(qū)動RF MEMS開關(guān)設(shè)計(jì)與改進(jìn)

損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開關(guān)普遍存在驅(qū)動電壓高、開關(guān)時(shí)間長的問題,劣于FET場效應(yīng)管開關(guān)和PIN二極管開關(guān)。相對于國外已取得的成果,國內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對MEMS開關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。
2017-12-07 04:55:02668

Qorvo? RF Fusion? 為采用 LTE Advanced 標(biāo)準(zhǔn)的Microsoft Surface Pro 提供聯(lián)網(wǎng)支持

Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)宣布,將為采用 LTE Advanced 標(biāo)準(zhǔn)的 Microsoft Surface Pro 提供整套的 RF Fusion? 模塊。RF Fusion LTE 產(chǎn)品組合包含多個(gè)高度集成模塊,能夠?qū)崿F(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的性能和全球蜂窩頻段覆蓋。
2018-03-06 16:23:576156

RF MEMS國內(nèi)外現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

基于MEMS(Micro-Electro-Mechanical System,微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的各類射頻RF( Radio Frequency)無源器件及微小型單片集成系統(tǒng)的概念與內(nèi)涵及其應(yīng)用市場
2018-03-07 11:22:3634534

國內(nèi)外RF MEMS廠商大盤點(diǎn) 5G對我國的RF MEMS廠商來說是機(jī)遇也是挑戰(zhàn)

射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一,也是二十世紀(jì)九十年代以來MEMS領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。RF MEMS用于射頻和微波頻率電路中的信號處理,是一項(xiàng)將能對現(xiàn)有雷達(dá)和通訊中射頻結(jié)構(gòu)產(chǎn)生重大影響的技術(shù)。
2019-02-04 16:54:004331

多頻多模LTE掀革命 SDR進(jìn)駐手機(jī)RF設(shè)計(jì)

射頻微機(jī)電(RF MEMS)、互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)RF方案將大舉進(jìn)駐行動裝置。多頻多模4G手機(jī)現(xiàn)階段最多須支持十五個(gè)以上頻段,引發(fā)內(nèi)部RF天線尺寸與功耗過大問題;為此,一線手機(jī)廠已計(jì)劃
2019-03-12 13:59:491580

未來LTE手機(jī)的兩大關(guān)鍵技術(shù),RF MEMS和軟件無線電

隨著LTE多頻多模智能手機(jī)時(shí)代的來臨,新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應(yīng)的工作頻段,并實(shí)現(xiàn)國際漫游的工作頻段,頻段總量接近40個(gè)。
2020-01-28 09:42:00874

Sofant將RF MEMS用于其取得專利的高效MEMS天線平臺

Sofant將RF MEMS(射頻微機(jī)電系統(tǒng))用于其取得專利的高效MEMS天線平臺,可解決無線通信系統(tǒng)面臨的若干挑戰(zhàn)。其最初目標(biāo)是用于衛(wèi)星通信和5G,利用MEMS天線技術(shù)降低電子掃描天線陣列70%以上的功耗。
2020-08-31 14:50:561539

CN0377 使用RF MEMS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的DC至2.5 GHz可切換RF衰減器

圖1所示的電路使用RF MEMS開關(guān)在兩臺表貼RF衰減器和兩條直通路徑之間路由RF信號。 圖1. 射頻開關(guān)衰減器的簡化電路圖?衰減RF信號通常在RF測試儀器儀表和接收器前端完成,以保護(hù)
2021-05-29 11:50:552

跟大家聊聊RF MEMS

Kinetics 的加入,讓公司能夠在天線調(diào)諧領(lǐng)域確立市場領(lǐng)先地位。多家全球領(lǐng)先的智能手機(jī)供應(yīng)商也通過采用 CK 的 RF MEMS 技術(shù)降低損耗并提高線性度,實(shí)現(xiàn)了天線性能的顯著提升。CK 優(yōu)化了該技術(shù)
2021-08-23 11:09:502682

高新興物聯(lián)兩款LTE Cat.1模組正式進(jìn)駐天翼產(chǎn)品庫

近日,高新興物聯(lián)兩款LTE Cat.1模組產(chǎn)品GM190、GM196完成了中國電信入庫測試認(rèn)證,正式進(jìn)駐天翼產(chǎn)品庫。憑借優(yōu)異的性能和極具競爭力的產(chǎn)品配置,GM190、GM196模組攜手中國電信持續(xù)
2022-01-18 17:13:342252

RF MEMS開關(guān)技術(shù)分析

從驅(qū)動方式和機(jī)械結(jié)構(gòu)的角度介紹了不同的RF MEMS開關(guān)類型,分析了各類MEMS開關(guān)的性能及優(yōu)缺點(diǎn),分析了MEMS開關(guān)在制作和發(fā)展中面臨的犧牲層技術(shù)、封裝技術(shù)、可靠性問題等關(guān)鍵技術(shù)和問題,介紹了MEMS開關(guān)的發(fā)展現(xiàn)狀及其在組件級和系統(tǒng)級的應(yīng)用,以及對MEMS開關(guān)技術(shù)的展望
2023-05-23 14:29:05517

RF MEMS 開關(guān)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的一大重要應(yīng)用領(lǐng)域,也是20世紀(jì)90年代至今研究MEMS技術(shù)各領(lǐng)域中飛速發(fā)展的熱點(diǎn)。射頻微機(jī)械開關(guān)體積小,功耗低,且插入損耗、隔離度等微波性能均遠(yuǎn)優(yōu)于
2023-05-23 14:35:50610

RF MEMS開關(guān)的運(yùn)作、優(yōu)勢

RF MEMS開關(guān)是一種小型微機(jī)械開關(guān),具有低功耗,可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間里的開關(guān),通過打開或關(guān)閉接觸點(diǎn)來傳導(dǎo)信號。 在RF MEMS設(shè)備的情況下,開關(guān)的機(jī)械部件僅有幾微米大小。與普通開關(guān)不同的是,RF MEMS開關(guān)傳導(dǎo)的信號處于射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 14:58:51862

一文讀懂RF MEMS 開關(guān)

所謂,RF MEMS 開關(guān),是一種是小型的微機(jī)械開關(guān),功耗低,可以使用傳統(tǒng)的 MEMS 制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開關(guān),其中觸點(diǎn)打開或關(guān)閉以通過開關(guān)傳導(dǎo)信號。在 RF MEMS 器件的情況下,開關(guān)的機(jī)械組件只有微米級尺寸。與電燈開關(guān)不同,在 RF MEMS 開關(guān)中傳導(dǎo)的信號在射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 15:09:18776

RF MEMS、軟件無線電 未來LTE手機(jī)的兩大關(guān)鍵技術(shù)

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2023-11-10 15:16:570

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