近年來(lái)射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注，特別是MEMS開(kāi)關(guān)構(gòu)建的移相器與天線，是實(shí)現(xiàn)上萬(wàn)單元相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵技術(shù)，在軍事上有重要意義。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)
2013-10-09 11:41:11
933 Menlo Microsystems宣布其MEMS開(kāi)關(guān)在廣泛的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用中取得了進(jìn)展，除了GE的醫(yī)療系統(tǒng)，未來(lái)還可作為功率致動(dòng)器和繼電器，用于各種工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)以及移動(dòng)系統(tǒng)的射頻（RF）開(kāi)關(guān)。
2018-02-11 11:37:131853 其實(shí)，我們身邊不乏這樣的“黃金芯片”，ADI 發(fā)布的 RF MEMS 開(kāi)關(guān)再次將黃金的優(yōu)良金屬性能在芯片中的應(yīng)用發(fā)揮到極致。我們不妨來(lái)看看這些黃金造的芯片過(guò)人之處。
2018-04-20 08:40:528486 RF開(kāi)關(guān)用于從多個(gè)可用信號(hào)源中選擇所需信號(hào)，或?qū)⑿盘?hào)路由到所需信道，如分集天線系統(tǒng)，雷達(dá)以及測(cè)試和測(cè)量設(shè)置等應(yīng)用。開(kāi)關(guān)（有時(shí)稱為繼電器）可以使用類似于非RF開(kāi)關(guān)的機(jī)電（EM）設(shè)計(jì)構(gòu)建，但現(xiàn)在已經(jīng)被開(kāi)關(guān)IC取代，除了在IC不足的高功率應(yīng)用中，以及一些非常特殊情況或開(kāi)關(guān)需要多極（觸點(diǎn)）。
2019-03-20 08:22:003638 
什么是射頻微機(jī)電系統(tǒng)開(kāi)關(guān)？ ? 射頻微機(jī)電系統(tǒng) (RF MEMS) 開(kāi)關(guān)是低功耗小型微機(jī)械開(kāi)關(guān)，可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開(kāi)關(guān)，通過(guò)觸點(diǎn)打開(kāi)或關(guān)閉在開(kāi)關(guān)中傳輸信號(hào)
2022-05-16 16:14:203606 
模擬開(kāi)關(guān)由于其應(yīng)用的信號(hào)鏈路為電子板低壓工作環(huán)境，耐壓值一般在15v以內(nèi)，常見(jiàn)的有3.3v、5v、12v、15v等最大耐壓值。選擇時(shí)必須注意信號(hào)鏈路的最大電壓與器件最大耐壓值。
2024-03-05 09:58:53210 
鍵合技術(shù)、LIGA 技術(shù)。盡管RF開(kāi)關(guān)的出貨量巨大，但市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，價(jià)格壓力較大。Taylor說(shuō)，這些設(shè)備的平均銷售價(jià)格（ASP）為10至20美分。射頻微機(jī)電系統(tǒng)（RF MEMS） 是MEMS技術(shù)
2017-07-13 08:50:15
，F(xiàn)itzgerald，P.，Stenson，B.，McDaid，P.，Goggin，R.：“集成驅(qū)動(dòng)器電路的DC至K波段超長(zhǎng)導(dǎo)通壽命RF MEMS開(kāi)關(guān)的開(kāi)發(fā)”，歐洲微波會(huì)議(EuMC)，歐洲微波協(xié)會(huì)
2018-10-17 10:52:05
在通信領(lǐng)域上亦憑借超低損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān)。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。
2019-07-29 07:57:25
損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān)。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將
2019-07-08 08:02:54
MEMS被廣泛的利用在多個(gè)領(lǐng)域里，如下圖。這篇文章主要說(shuō)說(shuō)MEMS的幾種RF相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品SAW,BAW, FBAR filter，也是目前手機(jī)中最常用的幾種filter。SAW,BAW和FBAR中，A都
2019-06-24 06:27:01
的應(yīng)用前景[1]。在目前的通信系統(tǒng)中使用大量射頻片外分立單元，如諧振器、濾波器、耦合器等，使系統(tǒng)的空間尺寸較大。利用MEMS技術(shù)可以同標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝兼容，制作的無(wú)源元件有利于系統(tǒng)集成度和電學(xué)性能的提高，并且成本更低。但隨之而來(lái)的是對(duì)這類RF-MEMS系統(tǒng)元件和封裝問(wèn)題的研究，這些也成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)。
2019-06-24 06:11:50
損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān)。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。
2019-07-29 08:31:54
鍵合技術(shù)、LIGA 技術(shù)。盡管RF開(kāi)關(guān)的出貨量巨大，但市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，價(jià)格壓力較大。Taylor說(shuō)，這些設(shè)備的平均銷售價(jià)格（ASP）為10至20美分。射頻微機(jī)電系統(tǒng)（RF MEMS） 是MEMS技術(shù)
2017-07-13 09:14:06
早在1979年，微電子機(jī)械開(kāi)關(guān)就被用于轉(zhuǎn)換低頻電信號(hào)。從那時(shí)開(kāi)始，開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)就采用懸臂、旋轉(zhuǎn)和隔膜的布局來(lái)實(shí)現(xiàn)RF和微波頻率下的良好性能。RF MEMS表現(xiàn)出低損耗、低功耗和沒(méi)有互調(diào)失真。對(duì)于有微秒開(kāi)關(guān)速度就足夠的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，這些器件用于取代傳統(tǒng)FET或p-i-n二極管開(kāi)關(guān)極有吸引力。
2019-10-21 07:38:31
RF MEMS振蕩器介紹Vibrating RF MEMS for Timing and Frequency ReferencesThis paper presents recent
2009-12-12 17:43:18
`標(biāo)題 ICS-40180 RF抗擾度的模擬MEMS麥克風(fēng)制造商InvenSense 型號(hào) ICS-40180描述 MIC MEMS ANALOG OMNI -38DB對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制
2018-08-21 10:58:03
`低壓燈具控制開(kāi)關(guān)，內(nèi)置有開(kāi)關(guān)電源，將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姾罂刂芁ED燈具，這種產(chǎn)品需要做EMC認(rèn)證和測(cè)試嗎？`
2015-08-24 19:08:51
題庫(kù)來(lái)源：安全生產(chǎn)模擬考試一點(diǎn)通公眾號(hào)小程序低壓電工考試題參考答案及低壓電工考試試題解析是安全生產(chǎn)模擬考試一點(diǎn)通題庫(kù)老師及低壓電工操作證已考過(guò)的學(xué)員匯總，相對(duì)有效幫助低壓電工模擬試題學(xué)員順利通過(guò)考試
2021-09-02 06:55:50
模擬和數(shù)字麥克風(fēng)輸出信號(hào)在設(shè)計(jì)中顯然有不同的考慮因素。本文要討論將
模擬和數(shù)字
MEMS麥克風(fēng)集成進(jìn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)的差別和需要考慮的因素?！?/div>
2019-08-20 07:40:51
4.5Ω 低壓單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-24 15:00:39
0.5Ω低壓2通道單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)
2023-03-27 12:18:17
0 引 言 RF MEMS開(kāi)關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面，具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開(kāi)關(guān)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，從而獲得了廣泛的關(guān)注，并顯示出在微波應(yīng)用領(lǐng)域的巨大潛力。自1979年
2019-06-25 06:58:35
作者：三宅 常之來(lái)源：技術(shù)在線東芝開(kāi)發(fā)成功了有望使新一代手機(jī)等多頻帶無(wú)線通信產(chǎn)品降低成本、縮小體積的RF MEMS元件。今后，將面向量產(chǎn)進(jìn)一步開(kāi)發(fā)，力爭(zhēng)2010年達(dá)到實(shí)用水平。 此次開(kāi)發(fā)的是在RF
2019-07-16 06:24:24
什么是RF MEMS？有哪些關(guān)鍵技術(shù)與器件？微電子機(jī)械系統(tǒng)(MicroElectroMechanicalSystem)，簡(jiǎn)稱MEMS，是以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)而興起發(fā)展的，以硅、砷化鎵、藍(lán)寶石等為襯底
2019-08-01 06:17:43
RF MEMS開(kāi)關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面，具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開(kāi)關(guān)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，從而獲得了廣泛的關(guān)注，并顯示出在微波應(yīng)用領(lǐng)域的巨大潛力。自1979年K.E.Petersen第一次報(bào)道RF MEMS開(kāi)關(guān)的應(yīng)用以來(lái)，業(yè)界已研制出很多不同結(jié)構(gòu)的RF MEMS開(kāi)關(guān)。
2019-09-30 08:18:13
（filter）、RF-MEMS開(kāi)關(guān)（switch），以及MEMS可變電容器的制作技術(shù)。發(fā)展經(jīng)緯寬頻化后的移動(dòng)電話面臨HSDPA（High Speed Downlink Packet Access
2019-06-25 08:07:16
如何使用LTspice?模擬工程電源解決方案的背景和指導(dǎo)。對(duì)工程電源解決方案實(shí)施優(yōu)化后，可使用LTspice研究完整的MEMS信號(hào)鏈。有些傳感器具有數(shù)字輸出，有些傳感器則包含模擬輸出。對(duì)于包含
2022-04-12 17:33:59
的產(chǎn)品線涵蓋了許多低壓 IC，包括：運(yùn)算放大器、比較器、微處理器監(jiān)控電路、接口、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、模擬開(kāi)關(guān)和復(fù)用器、電壓基準(zhǔn)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、數(shù)字電位器以及實(shí)時(shí)時(shí)鐘等時(shí)鐘芯片。本文涉及上述多個(gè)模擬
2021-03-11 06:21:04
Akustica公司發(fā)布宣稱是全球最小的麥克風(fēng)。這款僅有1-mm2大小的麥克風(fēng)采用了一個(gè)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)振膜和芯片上互補(bǔ)型CMOS模擬電路。該整合芯片占位面積據(jù)稱只有其它雙芯片MEMS麥克風(fēng)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的25%。
2019-08-16 06:37:05
裝在一起的驅(qū)動(dòng)器功耗非常低——典型值為10 mW，比RF繼電器的典型驅(qū)動(dòng)器要求低10倍。圖2. ADGM1004增強(qiáng)型ESD保護(hù)MEMS開(kāi)關(guān)。集成ESD保護(hù)借助ADGM1304 MEMS開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，ADI開(kāi)發(fā)
2018-11-01 11:02:56
易譜科技有限公司代理 Radant MEMS 公司在中國(guó)區(qū)的產(chǎn)品銷售與技術(shù)支持服務(wù)。Radant 是一家專業(yè)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)射頻/微波開(kāi)關(guān)的廠商，目前產(chǎn)品已在美國(guó)以及亞洲市場(chǎng)有了廣泛的應(yīng)用，與無(wú)線通信
2014-10-24 11:36:26
ST MEMS麥克風(fēng)的RF抗擾度是多少？塑料包裝如何抑制輻射干擾？以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 What is the RF immunity of the ST MEMS microphones
2018-12-05 16:15:46
請(qǐng)問(wèn)一下模擬IC轉(zhuǎn)MEMS可行嗎？
2021-06-23 07:44:46
射頻（RF）MEMS市場(chǎng)主要有兩部分。其中最大的部分是與濾波器相關(guān)，例如博通（Broudcom）、Skyworks、Qorvo等大公司提供的BAW和SAW濾波器等產(chǎn)品。另一部分與射頻開(kāi)關(guān)相關(guān)，預(yù)計(jì)
2019-09-18 08:13:32
本文介紹了高頻無(wú)線通信不可或缺的關(guān)鍵性元件，F(xiàn)BAR 濾波器（filter）、RF-MEMS 開(kāi)關(guān)（switch），以及MEMS 可變電容器的制作技術(shù)。
2009-11-14 09:38:38
20 RF-MEMS 不僅在體積上小于傳統(tǒng)射頻器件，易于單片集成，且其性能也優(yōu)于傳統(tǒng)射頻器件，此外，RF-MEMS 還可以實(shí)現(xiàn)器件多功能配置，如可重構(gòu)天線。因此，RF-MEMS近年來(lái)已成為全世
2009-11-26 15:59:3921 RF MEMS壓控振蕩器及相位噪聲特性的研究
利用RF MEMS 可變電容作為頻率調(diào)節(jié)元件,制備了中心頻率為2 GHz 的MEMS VCO 器件. RF MEMS 可變電容采用凹型結(jié)構(gòu),其控制極板與
2010-02-26 17:11:4019 對(duì)正在為iPhone 4可能斷話而感到沮喪的使用者來(lái)說(shuō)，射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)也許可以提供解決之道 ── RF MEMS 半導(dǎo)體的性能將可用于改良手機(jī)天線性能。
2010-09-09 10:33:5727 高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān)
0 引 言
RF MEMS開(kāi)關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線性度等方面，具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開(kāi)關(guān)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，從而獲
2009-12-12 11:35:40834 模擬開(kāi)關(guān),什么是模擬開(kāi)關(guān)
模擬開(kāi)關(guān)就是開(kāi)關(guān)晶體管，它在控制
2010-03-22 17:04:477719 車載電源的低壓開(kāi)關(guān) 低壓開(kāi)關(guān)表
2010-01-04 13:53:37983 近年來(lái)射頻微電子系統(tǒng)(RF MEMS)器件以其尺寸小、功耗低而受到廣泛關(guān)注，特別是MEMS開(kāi)關(guān)構(gòu)建的移相器與天線，是實(shí)現(xiàn)上萬(wàn)單元相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵技術(shù)，在軍事上有重要意義。
2010-10-29 11:30:481652 傳統(tǒng)電子移相器由于損耗問(wèn)題難以向更高頻率發(fā)展,射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS) 技術(shù)的出現(xiàn)使其得以替代半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)來(lái)設(shè)計(jì)更高頻率的移相器. 利用具有優(yōu)異RF 性能的串聯(lián)電阻式RFMEMS 開(kāi)關(guān)來(lái)
2011-12-26 18:41:0262 RF_MEMS技術(shù)對(duì)小型化雷達(dá)的作用
2017-01-11 12:54:2111 MEMS高g值復(fù)合量程開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)_李功
2017-03-19 18:58:180 該文采用至上而下的方式，介紹了應(yīng)用RF MEMS技術(shù)的雷達(dá)系統(tǒng)，將雷達(dá)子系統(tǒng)與RF MEMS 技術(shù)聯(lián)系起來(lái)，具體分析了應(yīng)用于雷達(dá)的RF MEMS 開(kāi)關(guān)、移相器、濾波器和諧振器。同時(shí)，文中以開(kāi)關(guān)
2017-11-07 10:32:3714 開(kāi)關(guān)，通過(guò)改變電容金屬橋位置進(jìn)而實(shí)現(xiàn)器件相移特性的改變，易實(shí)現(xiàn)小型化、高集成度和低成本。特別適合應(yīng)用于毫米波段相控天線的要求。 RF MEMS器件加工生產(chǎn)投入較大，通過(guò)大量加工實(shí)驗(yàn)獲得器件設(shè)計(jì)規(guī)律需要
2017-11-17 16:18:524 損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān)。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。 1 RF MEMS開(kāi)關(guān)
2017-11-25 12:28:56365 
損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān)。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段。下 文將針對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。 1 RF M
2017-12-06 12:44:13277 射頻微機(jī)電(RF MEMS)今年將大舉進(jìn)駐高階LTE手機(jī)。多頻多模4G手機(jī)現(xiàn)階段最多須支援十五個(gè)以上頻段，引發(fā)內(nèi)部RF天線尺寸與功耗過(guò)大問(wèn)題；為此，一線手機(jī)廠已計(jì)劃擴(kuò)大導(dǎo)入RF MEMS元件，透過(guò)
2018-05-05 10:37:00857 損耗、高隔離度、成本低等優(yōu)勢(shì)在手機(jī)上得到應(yīng)用。然而RF MEMS開(kāi)關(guān)普遍存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)的問(wèn)題，劣于FET場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)和PIN二極管開(kāi)關(guān)。相對(duì)于國(guó)外已取得的成果，國(guó)內(nèi)的研究尚處于起步階段。下文將針對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)的缺陷做一些改進(jìn)。
2017-12-07 04:55:02668 ，重點(diǎn)介紹RF MEMS電容電感、開(kāi)關(guān)、移相器、諧振器、濾波器、微型同軸結(jié)構(gòu)、天線、片上集成微納系統(tǒng)等的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀、典型研究成果和產(chǎn)品、技術(shù)方案和微納制造工藝及性能特點(diǎn)等，最后淺析RF MEMS領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)。
2018-03-07 11:22:3634534 
p>ADI MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)，是開(kāi)關(guān)解決方案發(fā)展史上的一次革命，可以滿足RF儀器儀表和測(cè)試系統(tǒng)的需要，瞄準(zhǔn)的是繼電器替代需求。2016年國(guó)際電子展嵌入式平臺(tái)大會(huì)發(fā)言稿。
2018-06-03 01:45:005032 射頻微機(jī)電系統(tǒng)（RF MEMS）是MEMS技術(shù)的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一，也是二十世紀(jì)九十年代以來(lái)MEMS領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。RF MEMS用于射頻和微波頻率電路中的信號(hào)處理，是一項(xiàng)將能對(duì)現(xiàn)有雷達(dá)和通訊中射頻結(jié)構(gòu)產(chǎn)生重大影響的技術(shù)。
2019-02-04 16:54:004331 本文介紹ADI公司突破性的微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）開(kāi)關(guān)技術(shù)。與傳統(tǒng)機(jī)電繼電器相比，ADI公司的MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)使RF和DC開(kāi)關(guān)性能、可靠性及小型化實(shí)現(xiàn)了跨越式發(fā)展。
2019-03-04 15:34:529777 高壓模擬與混合信號(hào)集成電路領(lǐng)域的公認(rèn)領(lǐng)先廠商超科公司（Supertex）（納斯達(dá)克股票代碼：SUPX）推出兩款32通道高壓模擬開(kāi)關(guān)----HV2802和HV2902。這兩款集成電路面向醫(yī)療診斷超聲成像、金屬無(wú)損探傷、噴墨打印頭、壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)器和光MEMS模塊等需要用低壓控制信號(hào)控制高壓開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。
2019-03-08 15:15:413022 了解ADI公司具有超低插入損耗、精密DC性能，且工作帶寬高達(dá)34GHz的MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)，該技術(shù)可在儀器儀表、國(guó)防和ATE領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)RF繼電器替代解決方案。
2019-05-21 06:29:002581 即將到來(lái)的5G應(yīng)用促進(jìn)全光網(wǎng)(AON)的升級(jí)，作為全光網(wǎng)中的關(guān)鍵部分，ROADM市場(chǎng)有望迎來(lái)快速增長(zhǎng)，特別是在城域網(wǎng)中的應(yīng)用。 MEMS光開(kāi)關(guān)是ROADM中的核心器件之一。 光開(kāi)關(guān)是一種光路控制裝置
2019-12-13 13:45:071092 
微鏡陣列、光開(kāi)關(guān)、可變衰減器、無(wú)源互連耦合器、光交叉連接器、光分插復(fù)用器和波分復(fù)用器等，MEMS與光信號(hào)有著天然的親和力；RF-MEMS包括射頻開(kāi)關(guān)、可調(diào)電容器、電感器、諧振器、濾波器、移相器、天線等關(guān)鍵元器件；微流體系統(tǒng)包括微泵、微閥、微混合器、微流體傳感器
2020-04-03 14:52:491662 衛(wèi)星通信領(lǐng)域具有重要的意義。近年來(lái)，隨著RF MEMS開(kāi)關(guān)的研究不斷取得進(jìn)展，使MEMS開(kāi)關(guān)替代傳統(tǒng)的鐵氧體開(kāi)關(guān)、p-i-n二極管、FET，設(shè)計(jì)制造寬帶、低插損RF MEMS移相器成為可能。因此采用MEMS微波開(kāi)關(guān)技術(shù)的單片集成RF MEMS移相器，具有較低的
2020-08-07 18:52:001 Sofant將RF MEMS（射頻微機(jī)電系統(tǒng)）用于其取得專利的高效MEMS天線平臺(tái)，可解決無(wú)線通信系統(tǒng)面臨的若干挑戰(zhàn)。其最初目標(biāo)是用于衛(wèi)星通信和5G，利用MEMS天線技術(shù)降低電子掃描天線陣列70%以上的功耗。
2020-08-31 14:50:561539 來(lái)源：RF技術(shù)社區(qū) 本文來(lái)自射頻半導(dǎo)體 RF器件和制造工藝市場(chǎng)正在升溫，這種態(tài)勢(shì)對(duì)于智能手機(jī)中使用的兩個(gè)關(guān)鍵組件 - 射頻開(kāi)關(guān)器件和天線調(diào)諧器尤為明顯。 射頻器件制造商及其代工合作伙伴繼續(xù)推出
2022-12-08 10:46:201424 光開(kāi)關(guān)具有一個(gè)或多個(gè)可選擇的傳輸窗口，可分為2×2，1×N，M×N多種端口配置形式。光開(kāi)關(guān)在光纖通信系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，其實(shí)現(xiàn)技術(shù)多種多樣，包括：機(jī)械光開(kāi)關(guān)、熱光開(kāi)關(guān)、聲光開(kāi)關(guān)、電光開(kāi)關(guān)、磁光開(kāi)關(guān)、液晶光開(kāi)關(guān)和MEMS光開(kāi)關(guān)，等等。其中機(jī)械光開(kāi)關(guān)和MEMS光開(kāi)關(guān)是目前應(yīng)用較為廣泛的兩種光開(kāi)關(guān)。
2020-10-28 18:50:176134 低壓開(kāi)關(guān)柜的主要組成部分如下：柜體：開(kāi)關(guān)柜的外殼骨架及內(nèi)部的安裝、支撐件
2021-02-02 16:13:438811 
ADGM1304: 0 Hz/DC 至14 GHz、集成驅(qū)動(dòng)器的單刀四擲MEMS開(kāi)關(guān)
2021-03-19 10:36:571 多種多樣，包括：機(jī)械光開(kāi)關(guān)、熱光開(kāi)關(guān)、聲光開(kāi)關(guān)、電光開(kāi)關(guān)、磁光開(kāi)關(guān)、液晶光開(kāi)關(guān)和MEMS光開(kāi)關(guān)等。傳統(tǒng)的以電為核心的開(kāi)關(guān)逐漸的不能滿足高速大容量光通信的需求， 慢慢的市場(chǎng)上出現(xiàn)了全光開(kāi)關(guān)。其中MEMS光開(kāi)關(guān)具有尺寸小、功耗
2021-04-15 16:00:174728 
在過(guò)去的幾十年里，幾種MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)不斷發(fā)展，了解其工作原理對(duì)開(kāi)發(fā)新型器件至關(guān)重要。雖然沒(méi)有既定的MEMS開(kāi)關(guān)分類，但可以根據(jù)不同特征（如對(duì)外部電源的要求）進(jìn)行分類。當(dāng)前的MEMS開(kāi)關(guān)可分為有源和無(wú)源。
2021-04-12 10:56:482729 
圖1所示的電路使用RF MEMS開(kāi)關(guān)在兩臺(tái)表貼RF衰減器和兩條直通路徑之間路由RF信號(hào)。 圖1. 射頻開(kāi)關(guān)衰減器的簡(jiǎn)化電路圖?衰減RF信號(hào)通常在RF測(cè)試儀器儀表和接收器前端完成，以保護(hù)
2021-05-29 11:50:552 在 2019 年，Qorvo 宣布收購(gòu)高性能 RF MEMS 天線調(diào)諧應(yīng)用技術(shù)供應(yīng)商 Cavendish Kinetics， Inc.（簡(jiǎn)稱：CK）。 在 Qorvo 看來(lái)，Cavendish
2021-08-23 11:09:502682 PM404F開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用于低壓推挽電路(長(zhǎng)城電源技術(shù)(山西有限公司)-PM404F開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)器 應(yīng)用于低壓推挽電路? ? ? ? ? ? ? ? ?
2021-08-31 10:05:079 什么是射頻微機(jī)電系統(tǒng)開(kāi)關(guān)？ 射頻微機(jī)電系統(tǒng) （RF MEMS） 開(kāi)關(guān)是低功耗小型微機(jī)械開(kāi)關(guān)，可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開(kāi)關(guān)，通過(guò)觸點(diǎn)打開(kāi)或關(guān)閉在開(kāi)關(guān)中傳輸信號(hào)。在RF
2022-05-12 17:19:151832 
射頻微機(jī)電系統(tǒng) (RF MEMS) 開(kāi)關(guān)是低功耗小型微機(jī)械開(kāi)關(guān)，可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開(kāi)關(guān)，通過(guò)觸點(diǎn)打開(kāi)或關(guān)閉在開(kāi)關(guān)中傳輸信號(hào)。在RF MEMS器件中，開(kāi)關(guān)的機(jī)械組件大小只在微米級(jí)別。與電燈開(kāi)關(guān)不同的是，RF MEMS開(kāi)關(guān)傳輸?shù)氖巧漕l信號(hào)。
2022-05-18 10:22:071866 
四擲 (SP4T) RF MEMS開(kāi)關(guān)按背靠 背方式配置，在輸入和輸出端之間產(chǎn)生了四條獨(dú)立可切換 路徑。前兩條路徑是直通傳輸線，第三條包含一個(gè)6 dB衰 減器，第四條包含一個(gè)9 dB衰減器。
2022-07-11 09:46:591 ADI MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)的核心是靜電驅(qū)動(dòng)、微加工、金懸臂梁開(kāi)關(guān)元件的概念。MEMS開(kāi)關(guān)可以被認(rèn)為是微米級(jí)的機(jī)械繼電器，具有金屬對(duì)金屬觸點(diǎn)，通過(guò)高直流電壓驅(qū)動(dòng)的靜電驅(qū)動(dòng)。清晰可見(jiàn)的是平行的五個(gè)觸點(diǎn)
2023-01-04 14:23:17751 
本文介紹ADI公司在微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）開(kāi)關(guān)技術(shù)方面的突破。與傳統(tǒng)的機(jī)電繼電器相比，ADI公司的MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)在RF和DC開(kāi)關(guān)性能、可靠性和小型化方面實(shí)現(xiàn)了巨大的飛躍。
2023-01-05 14:29:241215 
本文介紹低壓IC的本文討論了多種類型的低壓IC，包括穩(wěn)壓器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、運(yùn)算放大器和電流監(jiān)視器、比較器、微處理器監(jiān)控器、基準(zhǔn)電壓源、模擬開(kāi)關(guān)和接口收發(fā)器。它還提供了有關(guān)節(jié)能以及如何管理與低壓操作相關(guān)的問(wèn)題的信息。
2023-02-27 15:16:58931 
從驅(qū)動(dòng)方式和機(jī)械結(jié)構(gòu)的角度介紹了不同的RF MEMS開(kāi)關(guān)類型，分析了各類MEMS開(kāi)關(guān)的性能及優(yōu)缺點(diǎn)，分析了MEMS開(kāi)關(guān)在制作和發(fā)展中面臨的犧牲層技術(shù)、封裝技術(shù)、可靠性問(wèn)題等關(guān)鍵技術(shù)和問(wèn)題，介紹了MEMS開(kāi)關(guān)的發(fā)展現(xiàn)狀及其在組件級(jí)和系統(tǒng)級(jí)的應(yīng)用，以及對(duì)MEMS開(kāi)關(guān)技術(shù)的展望
2023-05-23 14:29:05517 
射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的一大重要應(yīng)用領(lǐng)域，也是20世紀(jì)90年代至今研究MEMS技術(shù)各領(lǐng)域中飛速發(fā)展的熱點(diǎn)。射頻微機(jī)械開(kāi)關(guān)體積小，功耗低，且插入損耗、隔離度等微波性能均遠(yuǎn)優(yōu)于
2023-05-23 14:35:50610 
RF MEMS開(kāi)關(guān)是一種小型微機(jī)械開(kāi)關(guān)，具有低功耗，可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間里的開(kāi)關(guān)，通過(guò)打開(kāi)或關(guān)閉接觸點(diǎn)來(lái)傳導(dǎo)信號(hào)。
在RF MEMS設(shè)備的情況下，開(kāi)關(guān)的機(jī)械部件僅有幾微米大小。與普通開(kāi)關(guān)不同的是，RF MEMS開(kāi)關(guān)傳導(dǎo)的信號(hào)處于射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 14:58:51862 
所謂，RF MEMS 開(kāi)關(guān)，是一種是小型的微機(jī)械開(kāi)關(guān)，功耗低，可以使用傳統(tǒng)的 MEMS 制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開(kāi)關(guān)，其中觸點(diǎn)打開(kāi)或關(guān)閉以通過(guò)開(kāi)關(guān)傳導(dǎo)信號(hào)。在 RF MEMS 器件的情況下，開(kāi)關(guān)的機(jī)械組件只有微米級(jí)尺寸。與電燈開(kāi)關(guān)不同，在 RF MEMS 開(kāi)關(guān)中傳導(dǎo)的信號(hào)在射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 15:09:18776 
HS101型低壓高速單刀單擲(SPST)模擬開(kāi)關(guān)是深圳市乾鴻微電子有限公司自主設(shè)計(jì)，并基于國(guó)內(nèi)代工廠工藝流片的模擬集成電路產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于CMOS工藝設(shè)計(jì)，可在2.5V~5.5V的電源范圍內(nèi)工作
2023-04-26 14:39:20482 
，以解決早期RF MEMS開(kāi)關(guān)解決方案的可靠性問(wèn)題。ADI的ADGM1001（SPDT）聲稱致動(dòng)壽命為100億次循環(huán)，而Menlo的理想開(kāi)關(guān)解決方案的額定驅(qū)動(dòng)壽命為3億次循環(huán)。
2023-09-29 16:44:00558 
圣邦微電子推出 SGM42403，一款四路低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器。器件可應(yīng)用于低壓側(cè)開(kāi)關(guān)、單極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、繼電器驅(qū)動(dòng)器和電磁閥驅(qū)動(dòng)器。
2023-09-28 10:06:15536 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《低壓模擬開(kāi)關(guān)/多路選通器常見(jiàn)問(wèn)題解答.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-28 11:27:250 
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