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標(biāo)簽 > MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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關(guān)于SoC組成部分之一的嵌入式存儲器,這些技術(shù)原理您都知道嗎?
隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展,人類已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規(guī)模...
MRAM,ReRAM,Xpoint這三個技術(shù)是目前市場的焦點(diǎn)
ReRAM之前曾經(jīng)因?yàn)镠PE的“The Machine”熱過一陣,記得在2016年的NVM Summit上,Sandisk的人信心滿滿的談和HPE的合作...
NVM,即Non-Volatile Memory,非易失性存儲器。
2023-08-29 標(biāo)簽:FlaSh嵌入式系統(tǒng)ROM 7306 0
各種MRAM的技術(shù)路徑,MRAM的挑戰(zhàn)和前景
本文旨在討論各種MRAM的技術(shù)路徑,其中包括磁場驅(qū)動型、自旋轉(zhuǎn)移扭矩(spin-transfer torque:STT)、自旋軌道扭矩(spin-orb...
在5nm節(jié)點(diǎn)上, STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果
IMEC進(jìn)行了設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO),以確定5nm節(jié)點(diǎn)上STT-MRAM單元的要求和規(guī)格,并得出了一個結(jié)論,高性能STT-MRAM位單元的MRAM...
IBM推出新一代FlashSystem 19TB NVMe SSD強(qiáng)勢登場
在IBM新一代的FlashSystem存儲設(shè)備中,將利用磁阻RAM(MRAM)來做寫緩存,而不再使用傳統(tǒng)的DRAM。 MRAM是目前可用的、速度最快的、...
2018-12-02 標(biāo)簽:IBMMRAMFlashSystem 3892 0
MRAM會取代DDR嗎?簡單比較下MRAM、SRAM和DRAM之間的區(qū)別
在當(dāng)前我們比較熟悉的存儲產(chǎn)品就是DRAM和NAND,DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發(fā)展。
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRA...
數(shù)據(jù)存儲技術(shù)發(fā)展歷程簡述
數(shù)據(jù)存儲技術(shù)的發(fā)展,可以說是一段漫長而又充滿神奇色彩的歷程,承載著人類智慧與技術(shù)創(chuàng)新。從最早的打孔卡開始,它逐漸經(jīng)歷了磁存儲、硬盤、閃存,以及現(xiàn)在的云存...
2023-09-22 標(biāo)簽:PCM存儲器數(shù)據(jù)存儲 3465 0
類別:存儲器技術(shù) 2010-11-16 標(biāo)簽:MRAMeverspin 889 0
隨機(jī)存儲器VDMR1M08xS44xx1V35用戶手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-06-07 標(biāo)簽:存儲器SiPMRAM 472 0
MRAM實(shí)現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代立即下載
類別:單片機(jī) 2021-12-07 標(biāo)簽:MRAMMCU產(chǎn)品 397 0
為什么數(shù)據(jù)沒有保存,掉電就丟失了呢?因?yàn)槲覀兙庉嬑臋n等操作,都是在內(nèi)存中進(jìn)行的。內(nèi)存是揮發(fā)性介質(zhì),掉電后數(shù)據(jù)就丟失。而硬盤是非揮發(fā)性介質(zhì),數(shù)據(jù)一旦保存,...
電子存儲器迎來革新,RRAM和MRAM的優(yōu)勢是什么
在最近的一年,固態(tài)硬盤和內(nèi)存的漲勢卻是讓很多廠商都掙得盆滿缽滿的,就連美光也一反頹勢,取得了相當(dāng)不錯的成績。
內(nèi)存市場轉(zhuǎn)向成效浮現(xiàn) 三星、Intel促嵌入式MRAM普及
在內(nèi)存市場,業(yè)界普遍認(rèn)為,在前沿SoC(片上系統(tǒng))和大規(guī)模微控制器(MCU)中的邏輯嵌入式非易失性存儲器的開發(fā)可謂非?;钴S。到目前為止,處理器內(nèi)核的程序...
未來五年預(yù)計(jì)上漲40倍的MRAM,正在收割下一代非易失性存儲市場?
8月5日,在美國舉行的MRAM開發(fā)者日活動上,Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術(shù)和市場的最新趨勢...
2021國內(nèi)新能源汽車銷量近300萬輛,同比增長169.1%;三星宣布發(fā)布全球首個MRAM存內(nèi)計(jì)算設(shè)計(jì)……
2021國內(nèi)新能源汽車銷量近300萬輛,同比增長169.1%。近日,乘聯(lián)會現(xiàn)公布了 2021 年 12 月及全年銷量排名快報(bào)。從全年數(shù)據(jù)來看,比亞迪汽車...
人工智能與大數(shù)據(jù)對芯片的處理能力提出了越來越嚴(yán)苛的要求,芯片的運(yùn)算能力和存儲能力正在成為瓶頸,這也是各家半導(dǎo)體公司競相開發(fā)新的硬件平臺、計(jì)算架構(gòu)與設(shè)計(jì)路...
28nm節(jié)點(diǎn)可能是eFlash最后一個經(jīng)濟(jì)高效的節(jié)點(diǎn) 格芯欲用22FDXeMRAM技術(shù)取代
格芯的戰(zhàn)略是為快速增長市場中的客戶提供高度差異化、高附加值的解決方案,而踐行這一承諾的實(shí)際成果就是我們的22nmFD-SOI(22FDX)嵌入式MRAM...
三星開始大規(guī)模生產(chǎn)MRAM記憶體,結(jié)合DRAM和NAND閃存特性
三星已將下一代嵌入式半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品MRAM納入生產(chǎn)制造范疇,并在韓國器興廠區(qū)率先進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM號稱是次世代記憶體,是繼半導(dǎo)體存儲器DRAM和...
MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)(MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cS...
依據(jù)von Neumann架構(gòu),計(jì)算機(jī)中記憶體和控制單元是分離的,這也是目前計(jì)算機(jī)及相關(guān)的半導(dǎo)體零件制造的指導(dǎo)方針。但是在目前海量資料的處理與儲存上,這...
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