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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠什么去存儲(chǔ)信息的呢

靜態(tài)ram是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的;動(dòng)態(tài)RAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的

2022-11-17 標(biāo)簽：CMOS DRAM 晶體管 5611 0

如何辨別SRAM是否屬于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器呢

SRAM是一種具有靜止存取功能內(nèi)存的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

2022-11-17 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器微處理器 706 0

談?wù)劗?dāng)靜態(tài)SRAM芯片存儲(chǔ)字節(jié)的過程是怎樣的

對(duì)于X86處理器，它通過地址總線發(fā)出一個(gè)具有22位二進(jìn)制數(shù)字的地址編碼－－其中11位是行地址，11位是列地址，這是通過RAM地址接口進(jìn)行分離的。

2022-11-17 標(biāo)簽：處理器解碼器 DRAM 833 0

SONY的堆疊式CMOS傳感器元件介紹

目前有多種基于 3D 堆疊方法, 主要包括: 芯片與芯片的堆疊( D2D) 、芯片與圓片的堆疊( D2W ) 以及圓片與圓片的堆疊( W2W) 。

2022-11-01 標(biāo)簽：DRAM 片上系統(tǒng)ISP 1891 0

談?wù)勑滦痛鎯?chǔ)

存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體的重要市場(chǎng)之一，其約占據(jù)了半導(dǎo)體近1/3的市場(chǎng)份額。其中，從存儲(chǔ)芯片細(xì)分產(chǎn)品來看，DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲(chǔ)芯片95%以上的...

2022-10-25 標(biāo)簽：DRAM NAND FlaSh 1225 0

研華推出全新的超寬溫SQRAM DDR4 3200耐用型內(nèi)存解決方案

研華SQRAM支持研華自主研發(fā)的SQ Manager軟件，可以實(shí)時(shí)監(jiān)控DRAM，提供有用的信息，包括動(dòng)態(tài)內(nèi)存速度、溫度和高級(jí)過熱警報(bào)，以告知用戶內(nèi)存系統(tǒng)...

2022-10-25 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存研華 685 0

SRAM和DRAM的區(qū)別在哪

RAM(Random Access Memory)中文是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。為什么要強(qiáng)調(diào)隨機(jī)存儲(chǔ)呢？因?yàn)樵诖酥?，一些的存?chǔ)器都是順序存儲(chǔ)（Direct-A...

2022-10-24 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 2807 0

基于CXL技術(shù)的大內(nèi)存池化方案解析

如果 FaceBoo k平臺(tái)創(chuàng)建的TPP協(xié)議是正確的，那么它將有一個(gè)不同的內(nèi)存分頁系統(tǒng)，可以更好地解決由于在服務(wù)器主板之外有大量池化內(nèi)存而帶來的稍高的延遲。

2022-10-20 標(biāo)簽：DRAM cpu 人工智能 2098 0

隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM的工作過程及類型

　　隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM是指存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入。

2022-10-18 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 4554 0

存儲(chǔ)器的常見種類

存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能?；镜拇鎯?chǔ)器種類見圖基本存儲(chǔ)器種類。

2022-10-18 標(biāo)簽：DRAM SDRAM FlaSh 8294 0

DRAM和NAND閃存和其它存儲(chǔ)器技術(shù)的區(qū)別

相變存儲(chǔ)器或 PCM 使用材料的一些主要物理轉(zhuǎn)變——例如結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的轉(zhuǎn)變——以及相關(guān)的電氣特性變化——來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

2022-10-18 標(biāo)簽：相變存儲(chǔ)器 DRAM Nand flash 3439 0

非易失性存儲(chǔ)器是如何發(fā)展起來的？

DRAM屬于易失性存儲(chǔ)器，也就是大家常說的內(nèi)存。今天，我們?cè)賮砜纯窗雽?dǎo)體存儲(chǔ)的另一個(gè)重要領(lǐng)域，也就是非易失性存儲(chǔ)器（也就是大家熟悉的閃存卡、U盤、SSD...

2022-10-13 標(biāo)簽：DRAM SSD 易失性存儲(chǔ)器 1891 0

內(nèi)存芯片的發(fā)展史 DRAM技術(shù)的現(xiàn)狀

當(dāng)時(shí)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)被分為ROM和RAM兩個(gè)方向。ROM是只讀存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失，也稱外存。而RAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)運(yùn)算數(shù)據(jù)，...

2022-10-09 標(biāo)簽：集成電路 DRAM 德州儀器 4773 0

關(guān)于DDR4信號(hào)質(zhì)量測(cè)試 DDR4-DRAM的工作原理分析

DRAM：我們?cè)僬f說DRAM。DRAM全稱Dynamic Random Access Memory，翻譯過來為動(dòng)態(tài)隨機(jī)讀取存儲(chǔ)器。

2022-10-06 標(biāo)簽：DRAM DDR3 DDR 7015 0

各種MRAM的技術(shù)路徑，MRAM的挑戰(zhàn)和前景

本文旨在討論各種MRAM的技術(shù)路徑，其中包括磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型、自旋轉(zhuǎn)移扭矩（spin-transfer torque：STT）、自旋軌道扭矩（spin-orb...

2022-09-29 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 MRAM 4253 0

全新沉積技術(shù)SPARC實(shí)現(xiàn)先進(jìn)邏輯和DRAM集成設(shè)計(jì)

使用 SPARC 或單個(gè)前驅(qū)體活化自由基腔室技術(shù)制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅(jiān)固耐用、介電常數(shù)低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚...

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半導(dǎo)體存儲(chǔ)的基礎(chǔ)知識(shí)

上周，我給大家仔細(xì)介紹了HDD硬盤、軟盤和光盤的發(fā)展史(鏈接)。

2022-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 存儲(chǔ)器 1099 0

新興存儲(chǔ)將改變行業(yè)，對(duì)不同新興存儲(chǔ)的看法

當(dāng)前的存儲(chǔ)器技術(shù)，包括閃存（NAND 和 NOR）、DRAM 和 SRAM，在其持續(xù)改進(jìn)方面面臨潛在的技術(shù)限制。因此，人們努力開發(fā)新的存儲(chǔ)技術(shù)。這些新技...

2022-09-14 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 RAM 612 0

對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的...

2022-08-01 標(biāo)簽：DRAM 3D 晶體管 1098 0

DRAM技術(shù)之Memory Controller

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2022-07-14 標(biāo)簽：DRAM Host 4628 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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