三星、SK海力士及美光相繼寄出存證信函給相關(guān)人士，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國(guó)大陸。
2016-12-26 14:02:42
625 為了要延長(zhǎng)DRAM這種內(nèi)存的壽命，在短時(shí)間內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。什么是3D超級(jí)DRAM （Super-DRAM）？為何我們需要這種技術(shù)？以下請(qǐng)見(jiàn)筆者的解釋。
2017-03-17 09:42:042720 
在今日舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)（CFMS）上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。
2019-09-26 05:13:003556 節(jié)中的 DRAM Storage Cell 進(jìn)行抽象，最后得到新的結(jié)構(gòu)圖，如下： 1. Memory Array DRAM 在設(shè)計(jì)上，將所有的 Cells 以特定的方式組成一個(gè) Memory Array
2020-09-22 15:01:556181 
這種組織方式的優(yōu)勢(shì)在于多個(gè) Devices 可以同時(shí)工作，DRAM Controller 可以對(duì)不同 Channel 上的 Devices 同時(shí)發(fā)起讀寫請(qǐng)求，提高了讀寫請(qǐng)求的吞吐率。
2020-09-22 16:21:072885 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
DRAM： 我們?cè)僬f(shuō)說(shuō)DRAM。DRAM全稱Dynamic Random Access Memory，翻譯過(guò)來(lái)為動(dòng)態(tài)隨機(jī)讀取存儲(chǔ)器。
2022-10-06 13:05:005136 想了解DRAM 的EFA測(cè)試，以及她的測(cè)試程序如何，學(xué)習(xí)的技巧等
2020-11-13 13:53:41
（Flash Memory）技術(shù)達(dá)到存儲(chǔ)電子信息的存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機(jī)，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存儲(chǔ)介質(zhì)，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為閃存卡。根據(jù)不同的生產(chǎn)廠
2012-08-15 17:11:45
DRAM產(chǎn)能再大，也難以滿足全球龐大的市場(chǎng)需求。因此，應(yīng)該是技術(shù)層面的原因。技術(shù)才是高科技產(chǎn)業(yè)的核心競(jìng)爭(zhēng)力。3D Flash目前技術(shù)在96層，但是技術(shù)路標(biāo)的能見(jiàn)度已至512層－3D Flash做為
2018-10-12 14:46:09
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們?cè)诒举|(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
寬帶系統(tǒng)互聯(lián)中的串行怎么選？DRAM總線的其他用途是什么？
2021-05-24 06:33:34
某16K x 4的存儲(chǔ)體由16個(gè)字長(zhǎng)為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲(chǔ)矩陣。分析：由題得，16個(gè)DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒(méi)有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。DRAMDynamic Random Access Memory隨機(jī)存取存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM
2017-07-21 13:54:03
先準(zhǔn)備在DVSDK的基礎(chǔ)上移植u-boot,由于更換了DDR，因此要修該DDR的參數(shù)，但我找不到dram_init函數(shù)在哪一個(gè)文件里：搜索了一下有下面幾個(gè)文件比較像，但我不知到時(shí)哪一個(gè)，請(qǐng)各位幫忙
2020-08-17 11:19:18
Arm架構(gòu)安全技術(shù)介紹中，安全core不能訪問(wèn)除共享memory之外的非安全memory？
2022-09-23 14:23:47
使用NI的 FPGA，開(kāi)辟了一個(gè)1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個(gè)MCK一個(gè)地址的刷新DRAM中的數(shù)據(jù)，也就是每個(gè)地址刷新時(shí)間不到17微秒，一開(kāi)始出現(xiàn)一個(gè)數(shù)據(jù)都寫不進(jìn)去，我
2018-11-07 23:57:30
控制器（Memory Controller，MC）與對(duì)應(yīng)的物理層接口（Physical Interface，PHY）設(shè)計(jì)。
2022-10-08 07:17:32
本次發(fā)布 Gowin Flash Controller IP 參考設(shè)計(jì)： 支持 FLASH128K Register interface controller； 支持 FLASH256KA
2022-10-10 10:41:38
業(yè)者猜測(cè)是DRAM技術(shù)的大革新。當(dāng)然，DRAM市場(chǎng)上還有一個(gè)不可小覷的力量——中國(guó)DRAM廠商，他們?cè)谶@幾年來(lái)的成長(zhǎng)越來(lái)越快，對(duì)全球市場(chǎng)的影響也與日俱增。據(jù)估計(jì)，中國(guó)品牌約占DRAM市場(chǎng)的40%和閃存
2018-10-18 17:05:17
/ 32當(dāng)查看CPU-Z時(shí)，當(dāng)系統(tǒng)處于空閑狀態(tài)（有效1333雙通道速度）時(shí)，DRAM頻率保持在665，然后在系統(tǒng)負(fù)載時(shí)波動(dòng)到1197（有效2400，這應(yīng)該是它應(yīng)該是）。通過(guò)我能找到的所有東西，通常
2018-10-26 14:58:08
Direct Rambus DRAM的信號(hào)連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號(hào)線是漏極開(kāi)路輸出以及時(shí)鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的?！ D Direct Rambus DRAM
2008-12-04 10:16:36
initializes system clock,UART, and DRAM controller. After initializing DRAM controller, it loads OS
2015-08-24 08:24:13
的時(shí)鐘周期傳輸?shù)刂窋?shù)據(jù)。這樣就可以節(jié)省一半的針腳實(shí)現(xiàn)和SRAM的同樣功能，這種技術(shù)即多路技術(shù)（multiplexing）?？梢酝瓿赏?6K SRAM一樣的工作。DRAM減少地址引腳的主要原因是以下幾個(gè)
2010-07-15 11:40:15
的手段僅僅避免了一些攻擊，幾乎忽略了如data-oriented的其他攻擊。在基于硬件方案中，有兩種最突出，SPARC的ADI技術(shù)和arm的MTE技術(shù)，它們都實(shí)現(xiàn)memory tagging（內(nèi)存標(biāo)簽
2022-08-18 11:24:47
較高的聲望。據(jù)了解，有技術(shù)人員指出DRAM的微細(xì)化極限是20nm，DRAM在單元中的電容器里儲(chǔ)存電荷，對(duì)有電荷狀態(tài)分配1、無(wú)電荷狀態(tài)分配0，以此記錄信息。但是，隨著微細(xì)化發(fā)展，電容器的表面積越來(lái)越小
2015-12-14 13:45:01
on the data bus to independently analyze the signal performance for both DDR chip and memory controller.
2018-10-09 18:13:04
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
`例說(shuō)FPGA連載90：多分辨率HDMI顯示驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之hdmi_controller.v模塊代碼解析特權(quán)同學(xué)，版權(quán)所有配套例程和更多資料下載鏈接：http://pan.baidu.com/s
2017-04-12 21:45:54
`例說(shuō)FPGA連載91：多分辨率HDMI顯示驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之iic_controller.v模塊代碼解析特權(quán)同學(xué)，版權(quán)所有配套例程和更多資料下載鏈接：http://pan.baidu.com/s
2017-04-16 22:50:28
合作集團(tuán)在營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能上較為顯著。除此之外，為更進(jìn)一步了解整體產(chǎn)業(yè)實(shí)質(zhì)銷售額(扣除廠商間代工業(yè)務(wù)重復(fù)計(jì)算之銷售額)，DRAMeXchange另行統(tǒng)計(jì)各家DRAM廠商自有品牌DRAM銷售額，在銷售額排行
2008-05-26 14:43:30
隨之消失，故具有易失性。 RAM又可分為靜態(tài)RAM(SRAM：StaticRandom Memroy)和動(dòng)態(tài)RAM（DRAM：Dynamic Random Access Memory）。 SRAM 中
2016-06-10 08:04:24
。下面舉一個(gè)memory controller的示例，這個(gè)memory controller接收請(qǐng)求，并對(duì)特定內(nèi)存地址執(zhí)行某些操作。一開(kāi)始斷言證明各種規(guī)格屬性時(shí)驗(yàn)證工程師會(huì)定位出各種反例
2022-08-31 14:56:02
程序員的成長(zhǎng)之路互聯(lián)網(wǎng)/程序員/技術(shù)/資料共享關(guān)注閱讀本文大概需要 2 分鐘。來(lái)自：網(wǎng)絡(luò)答案：controller默認(rèn)是單例的，不要使用非靜態(tài)的成員變量，否則會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)邏輯混亂。正因?yàn)閱?..
2022-02-23 06:24:32
您好，我需要在 DRAM 中的絕對(duì)地址中創(chuàng)建變量。我使用了一種骯臟的方法來(lái)做到這一點(diǎn)。sections.ld代碼：全選config :{. = ALIGN(4);KEEP (*(.config
2023-03-01 08:08:14
memory controller? When I modified example design by replacing DRAM controller with BRAM controller
2019-04-04 15:10:55
Flash存儲(chǔ)芯片?，F(xiàn)急招Memory IC Designer，有Nand Flash / NOR/NOR SPI / EEPROM, DRAM等存儲(chǔ)IC模擬或者數(shù)字設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)人員。公司剛剛成立，上升
2015-01-09 16:37:07
本文介紹了怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎(chǔ)上，利用CPLD技術(shù)和80C196XL的時(shí)序特征設(shè)計(jì)一個(gè)低價(jià)格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語(yǔ)言編程實(shí)現(xiàn)。
2021-04-28 07:10:38
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
: Read Only Memory只讀存儲(chǔ)器，掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)。只能從中讀取數(shù)據(jù)，不能向里面寫數(shù)據(jù)。在單片機(jī)中主要用來(lái)存儲(chǔ)代碼和常量。2、RAM：Random Accsess Memory可讀可寫，掉電丟失數(shù)據(jù)?？勺x可寫分為SRAM 和 DRAM讀寫速度：ROM
2022-01-11 06:25:18
C6748 上電時(shí)默認(rèn)L1DRAM全部為cache，1、那么如果我在程序中沒(méi)有對(duì) L1DRAM進(jìn)行操作或配置，程序運(yùn)行時(shí)L1DRAM中的數(shù)據(jù)是否會(huì)有變化？2、L1DRAM作為 cache是如何工作的？
2018-07-25 07:46:25
memory controller(EMC)模塊的作用和工作方式?搞不懂這個(gè)模塊的作用,作為軟件開(kāi)發(fā)人員,在自己的程序中什么情況下需要特別關(guān)注這個(gè)模塊的相關(guān)寄存器嗎?3 在該文檔中還有單獨(dú)的一個(gè)章節(jié)叫
2018-12-29 11:39:51
//25MHz時(shí)鐘進(jìn)行分頻閃爍，計(jì)數(shù)器為26位led_controller#(26) uut_led_controller_clk100m( .clk(clk_100m), //時(shí)鐘信號(hào)
2019-04-09 02:23:10
第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存
2008-08-05 11:41:30
0 an overview of the MPC106 PCI bridge/memory controller(PCIB/MC). It includes the following:• An overview of MPC106 feat
2009-04-01 21:21:5331 the memory standard in many designs. They provide substantial advances in DRAM performance. They synchronously burst data at clock
2009-05-14 11:03:4228 SDR SDRAM Controller
Synchronous DRAM (SDRAM) has become a mainstream memory of choice in embedded
2009-05-14 11:04:5846 ) synchronous dynamic random access memory (SDRAM) controller provides a simplified interface to industry standard SDR SDRAM. The SDR SDR
2009-06-14 08:51:4395 the memory standard in many designs. They provide substantial advances in DRAM performance. They synchronously burst data at clock
2009-06-14 08:55:3124 The CMOS bq2205 SRAM non-volatile controller with reset provides all the necessary functions
2010-10-23 23:43:2417 The UCD9224 is a multi-rail, multi-phase synchronous buck digital PWM controller designed
2010-11-10 15:47:3929 DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過(guò)技術(shù)門檻
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research指出，2007年以來(lái)，全球DRAM廠商在過(guò)度樂(lè)觀的預(yù)期下，相繼投入產(chǎn)能擴(kuò)充競(jìng)賽，這也使得DRAM供過(guò)于求
2009-11-17 10:10:49590 什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很
2010-01-07 10:00:451224 什么是AM (Associated Memory)
英文縮寫: AM (Associated Memory)
中文譯名: 聯(lián)想存儲(chǔ)器
2010-02-22 10:16:51961 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機(jī)存貯器)是指通過(guò)指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問(wèn)、訪問(wèn)所需時(shí)間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3313084 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器"。。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，
2010-03-24 16:17:211587 什么是Flash Memory Flash Memory即快擦型存儲(chǔ)器，在
2010-01-07 10:00:211433 關(guān)于新一代LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù),三星電子表示,這是繼去年12月在電子行業(yè)首次開(kāi)發(fā)30納米級(jí)4Gb LPDDR2移動(dòng)DRAM之后，不到九個(gè)月又成功開(kāi)發(fā)出使用30納米級(jí)工藝的4Gb LPDDR3移動(dòng)DRAM技術(shù)的新一代產(chǎn)
2011-09-30 09:30:132176 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產(chǎn)品線，各產(chǎn)品線主要終端應(yīng)用產(chǎn)品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產(chǎn)品總市場(chǎng)需求，DIGITIMES預(yù)估
2011-10-28 09:39:003382 AMD日前表示，該公司已經(jīng)推出了家用電腦專用的自有品牌記憶體模組。超微的新AMD Memory品牌DRAM模組將會(huì)提供2GB、4GB與8GB等版本。
2011-11-30 09:15:47526 Abstract: The DS1877 SFP controller allows various programming options to configure the alarms
2011-12-21 17:34:470 全為公司開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)用的IC資料，memory選型
2016-12-13 23:14:588 全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長(zhǎng)鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國(guó)大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國(guó)大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:48800 
在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個(gè) Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
2017-03-17 16:12:144417 
什么是DRAM？ DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電
2017-10-13 20:02:4610 FPGA中的存儲(chǔ)塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)塊（DRAM），這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問(wèn)，速率非常高。 DRAM可以用來(lái)緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
3.2.1 memory文件匯總
2018-04-10 10:07:1110 MEMORY+ 論壇中首次揭露，正在研發(fā)的 DRAM 技術(shù)基礎(chǔ)是授權(quán)自曾經(jīng)叱咤全球的德系存儲(chǔ)大廠奇夢(mèng)達(dá)（ Qimonda ），此番宣言恐讓手舉專利大刀準(zhǔn)備砍下去的美光（ Micron ）、三星電子（ Samsung Elecgtronics ）十分錯(cuò)愕。
2019-05-17 17:00:388697 DRAM廠商在面對(duì)DRAM價(jià)格不斷下跌的困境下，已經(jīng)在考慮導(dǎo)入EUV技術(shù)用于制造DRAM，主要目的是為了降低成本。
2019-06-21 09:10:012047 作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 昨日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:077051 DRAM是Dynamic random access memory 的縮寫，稱為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。主要運(yùn)用在對(duì)功耗要求不太高、系統(tǒng)緩存要求容量比較大速度要求比較快的系統(tǒng)。
2020-07-16 10:39:174628 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見(jiàn)形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:191537 DRAM作為PC必備器件之一，大家自然對(duì)DRAM較為熟悉。但是，大家知道DRAM存儲(chǔ)具有哪些分類嗎？大家了解DRAM控制器是如何設(shè)計(jì)出來(lái)的嗎？如果你對(duì)DRAM以及本文即將要闡述的內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:193766 
那么，像Spin Memory這樣的MRAM公司在DRAM領(lǐng)域能做什么呢？事實(shí)證明，開(kāi)發(fā)超高密度、高性能MRAM存儲(chǔ)與垂直外延晶體管有很大關(guān)系，這在DRAM設(shè)計(jì)中非常有用。特別是，它們可以消除行錘攻擊，這些攻擊在較新的DRAM設(shè)計(jì)中可能是慢性的。
2020-11-02 10:15:352576 ，Memory故障仿真與測(cè)試生成， Memory參數(shù)測(cè)試， Memory冗余和repair機(jī)制 ， Memory DFT技術(shù)， Memory測(cè)試機(jī)
2020-11-30 08:00:000 EE-418: ADSP-2156x Board Design Guidelines for Dynamic Memory Controller
2021-01-30 13:53:231 本篇，我們繼續(xù)對(duì)Intel的第三大技術(shù)支柱——Memory進(jìn)行回顧。 Intel認(rèn)為存儲(chǔ)器性能的增長(zhǎng)在過(guò)去的40年中一直保持線性增長(zhǎng)，因此無(wú)法跟上指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的算力發(fā)展。 Memory指的是短期存儲(chǔ)
2021-05-11 15:01:473202 
英特爾已經(jīng)公開(kāi)討論了一年多的Optane DC Persistent Memory Module（PMM），體現(xiàn)了一種新的以數(shù)據(jù)為中心的體系結(jié)構(gòu)，在這個(gè)體系結(jié)構(gòu)中，PMM位于DRAM和Optane
2021-11-09 18:35:598 Cortex-M4 存儲(chǔ)模型（Memory Model）與MPU（Memory Protection Unit）
2021-12-04 13:21:0912 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Brocade Fabric技術(shù)與Violin Memory FSP 7300閃存陣列.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-28 11:54:150 DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過(guò)去五年了。過(guò)去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
2023-11-25 14:30:15538 
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921
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