長鑫研發(fā)DRAM技術(shù)基礎 授權(quán)自曾經(jīng)叱咤全球的德系存儲大廠奇夢達

從福建晉華被美國宣布列為禁止出口的制裁名單后，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展氣氛轉(zhuǎn)為低調(diào)，業(yè)界更擔心另一家 DRAM 自主研發(fā)大廠合肥長鑫會踩到前人地雷，然合肥長鑫首席執(zhí)行官朱一明 5 月 15 日在 GSA MEMORY+ 論壇中首次揭露，正在研發(fā)的 DRAM 技術(shù)基礎是授權(quán)自曾經(jīng)叱咤全球的德系存儲大廠奇夢達（ Qimonda ），此番宣言恐讓手舉專利大刀準備砍下去的美光（ Micron ）、三星電子（ Samsung Elecgtronics ）十分錯愕。

近兩年來對于公開曝光十分低調(diào)的朱一明，15 日現(xiàn)身 GSA MEMORY+ 論壇引發(fā)業(yè)內(nèi)人士轟動，他更是有備而來，帶著 “解答” 和“解藥”公開現(xiàn)身。

朱一明宣布，合肥長鑫的技術(shù)基礎來源是奇夢達，“解答”外界擔心長鑫侵權(quán)美光 DRAM 技術(shù)和專利的疑慮，同時也破除前陣子傳出長鑫 “求救” 三星技轉(zhuǎn)技術(shù)的消息，此番宣言對于國內(nèi)自主存儲產(chǎn)業(yè)而言，更是一帖絕對合法合規(guī)的“解藥”。

朱一明表示，首先是通過與奇夢達的合作，并且結(jié)合長鑫自主技術(shù)團隊的研發(fā)，目前已經(jīng)有 1000 多件 DRAM 相關技術(shù)，再者是與設備***大廠 ASML 合作論文，并采用其試產(chǎn)線進行前期研發(fā)。

合肥長鑫僅花了 14 個月即完成晶圓廠房，已經(jīng)生產(chǎn) 1.5 萬片測試晶圓，資本支出為 25 億美元。

要解讀合肥長鑫這個信息發(fā)布，對于國內(nèi)自主開發(fā)存儲芯片技術(shù)的重要意義，要先從三大面向來探討：

1. 為什么合肥長鑫會被美光盯上？

2. 當年奇夢達在倒閉之前，其實研發(fā)出一項 DRAM 界的“蓋世武功”，可惜卡在沒錢量產(chǎn)，這究竟是一段如何未竟之功的歷史？

3. 授權(quán)自奇夢達 DRAM 技術(shù)的業(yè)者有無成功的前例，可供合肥長鑫借鑒？

為什么合肥長鑫會被美光盯上？

2017 年，美系存儲大廠美光祭出兩大殺手锏，意圖斬斷國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)的技術(shù)自主。首先，是大動作對***存儲大廠華亞科到合肥長鑫任職的上百名員工發(fā)出存證信函，采取法律手段和國際施壓，阻止人才的轉(zhuǎn)移，此舉引發(fā)國際半導體產(chǎn)業(yè)的震撼。

再者，控告福建晉華和其技術(shù)研發(fā)伙伴聯(lián)電侵權(quán)，并在 2018 年底對福建晉華發(fā)出禁止設備出口的制裁，導致福建晉華幾乎要量產(chǎn)的 DRAM 技術(shù)終止開發(fā)和生產(chǎn)。

由于傳出上百名華亞科員工到合肥長鑫任職，因此，在福建晉華被美方盯上后，業(yè)界非常擔心合肥長鑫的處境。

另一個原因也是，合肥長鑫一直沒有明確公開其自主開發(fā)的 DRAM 技術(shù)來源，究竟 “火種” 源自何方？僅知悉該陣營幾乎是網(wǎng)羅全球存儲產(chǎn)業(yè)的人才，如火如荼投入 DRAM 技術(shù)開發(fā)。

因此，合肥長鑫正式公布技術(shù)的 “火種” 來自于奇夢達，讓大家如釋重負，同時，也認為這真是高招。

此前，業(yè)界曾流傳合肥長鑫向三星求助，希望能說服三星授權(quán)轉(zhuǎn)移 DRAM 技術(shù)。然而，眾人疑惑 DRAM 技術(shù)和專利幾乎是三星的“寶藏”，三星怎么可能答應放出？

但當時還傳出合肥長鑫已在評估現(xiàn)有的產(chǎn)線設備轉(zhuǎn)換至三星體系的設備，還需要投入多少資金。這導致整個業(yè)界傳言鼎沸。

不過，現(xiàn)在回頭看，“求助”三星的傳言應該是一個煙霧彈，因為當時國際局勢險峻，業(yè)界各種不利國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的傳言滿天飛，合肥長鑫也只能保持：隱忍、低調(diào)，等到一切準備就緒，才能對外公布真正的答案。

奇夢達倒閉前研發(fā)出的 “蓋世武功” 落到長鑫手上？

當年全球 DRAM 技術(shù)架構(gòu)分為兩大陣營，一種是溝槽式技術(shù)（Trench），以奇夢達為代表，另一種是堆疊式技術(shù)（Stacking），包括三星、SK 海力士、美光等都是代表。

所謂 “溝槽式”，顧名思義是“往下挖”，而堆疊式技術(shù)就是往上堆疊，可以很輕易明白，“往下挖” 的技術(shù)遇到瓶頸的時間會比向上堆疊還得快很多，這也是奇夢達當初撐不下去的原因之一。

不過，奇夢達在宣布破產(chǎn)之前，其實已經(jīng)成功研發(fā)出堆疊式技術(shù) Buried Wordline (埋入式閘極字元線連結(jié))。2008 年底，奇夢達的 Buried Wordline 技術(shù)已經(jīng)成功以 65 nm 工藝試產(chǎn)，生產(chǎn) 1Gb 的 DDR2 產(chǎn)品。

更重要的是，46 nm 產(chǎn)品已在實驗室進行研發(fā)完成，其 46 nm 的 Buried Wordline 技術(shù)與上一代 58 nm 技術(shù)相較，晶圓數(shù)量增加達到 1 倍，當時業(yè)界認為奇夢達雖然剛從溝槽式，成功轉(zhuǎn)至堆疊式，但 Buried Wordline 技術(shù)非常具有競爭力。

可惜的是，奇夢達已經(jīng)撐不下去了，沒有錢投入全新的 Buried Wordline 技術(shù)，公司后來宣布破產(chǎn)收場，成為 DRAM 產(chǎn)業(yè)史上徒留遺憾的一頁。

業(yè)界表示，奇夢達 2009 年破產(chǎn)后，從此歐洲最后一家存儲大廠也結(jié)束了，但奇夢達手上有眾多專利，尤其是 Buried Wordline 技術(shù)，還是持續(xù)向許多半導體公司收取授權(quán)費用，有點像是一家專利公司的角色。

技轉(zhuǎn)自奇夢達的 DRAM 技術(shù)有無成功的前例？

奇夢達在宣告破產(chǎn)后，***有兩家存儲公司是授權(quán)自奇夢達的存儲廠：南亞科和華邦，兩家都甚是錯愕，因為當場陷入技術(shù)斷炊的窘境。

兩家公司善后處理的方式也不一樣。南亞科決定轉(zhuǎn)向美光合作，而華邦則是選擇買下奇夢達 46 nm 的 Buried Wordline 技術(shù)，并且做了兩個重大決定，一是走上 DRAM 技術(shù)自主，以該技術(shù)作為研發(fā)基礎，自己來發(fā)展。

第二，華邦也下定決心退出標準型 DRAM 產(chǎn)業(yè)的競爭，自己開發(fā)的 46 nm 技術(shù)主要是用于消費型、網(wǎng)通用等利基型 SDRAM 產(chǎn)品，但這一條技術(shù)自主之路，華邦整整用了快十年，才走出屬于自己的格局和模式。

總之，這條路是有成功的前車之鑒，但非常辛苦且困難，合肥長鑫也必須有 “板凳要坐十年冷” 的決心。

合肥長鑫最后使出奇夢達的技術(shù)專利這一招，確實非常厲害，成功規(guī)避美光、三星、SK 海力士的技術(shù)專利問題，而且，是花錢就可以買到的技術(shù)。

或許有些人會問，難道有了奇夢達的技術(shù)基礎，就可以完全避掉國際大廠的專利和技術(shù)陷阱？這個答案或許不是肯定的，但對解決眼前的問題，是最快見效的一帖良藥，至少其他存儲大廠不敢輕舉妄動找合肥長鑫的麻煩。

長江存儲的 Xtacking 技術(shù)也是 “保平安” 護身符

還有一個類似的例子是長江存儲的 Xtacking 技術(shù)， 2018 年在美國國際性的 Flash Memory Summit 技術(shù)大會中宣布，對于國際大廠而言是驚艷萬分，對于國內(nèi)業(yè)界而言，直言是 “橫空出世” 的一個技術(shù)。

業(yè)界透露，長江存儲在研發(fā) 3D NAND 技術(shù)初期，就非常重視專利問題，不能有任何侵權(quán)的嫌疑，但因為長江存儲的 3D NAND 進展太順利，據(jù)傳還是引來三星的緊盯，一直在找 “破綻”，但是自從 Xtacking 技術(shù)問世后，沒有人敢再懷疑長江存儲的 3D NAND 技術(shù)的“清白” 問題了。

有時候，關鍵技術(shù)或是專利不用多，但只要有這么一兩個，就可以為企業(yè)遮風避雨。

合肥長鑫的奇夢達技術(shù)、長江存儲的 Xtacking 技術(shù)，某種程度都是在詭譎的國際情勢下，非常關鍵的保護傘，你可以說這種布局隱含某種 “政治” 意味，避免國際大廠懷疑技術(shù)上的“清白”，但不可否認，在當前的氣氛下，確實是有效的策略，讓國內(nèi) DRAM 和 3D NAND 存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，可以得到庇護，安心地進行技術(shù)開發(fā)。