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標(biāo)簽 > MOS晶體管
MOS晶體管一般指N溝MOS晶體管,N溝MOS晶體管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)的一種,結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分。
MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作n溝道MOS管,該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓,且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍海旁措妷簽榱悖r(shí),就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。
運(yùn)算放大器的Data sheet一般分為兩大類:直流參數(shù)和交流參數(shù)。DC參數(shù)決定了輸出與理想運(yùn)算放大器匹配的精確程度。
2023-10-30 標(biāo)簽:模擬電路運(yùn)算放大器MOS晶體管 1279 0
這個(gè)噪聲可以通過一個(gè)級(jí)聯(lián)電壓源,或者并聯(lián)的電流源來模擬。電壓源和電流源的功率譜密度(PSD,power spectral density), 如下圖所示...
無論什么電子設(shè)備,運(yùn)行時(shí)間長了都會(huì)使得溫度升高,當(dāng)溫度過高的時(shí)候不免對(duì)設(shè)備功能造成影響,電源適配器也是如此,當(dāng)溫度過高的時(shí)候,其內(nèi)部的元器件功能就會(huì)受到...
P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管BSH201數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-03-22 標(biāo)簽:封裝MOS晶體管
類別:電子管資料手冊(cè)下載 2014-10-13 標(biāo)簽:MOS晶體管SOI技術(shù)
類別:電子元器件應(yīng)用 2010-12-17 標(biāo)簽:MOS晶體管
MOS晶體管中各種類型的泄漏電流的原因? MOS晶體管是一種廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子技術(shù)中的晶體管,它具有低功耗、小尺寸、高密度等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于集成電路中...
杭州士蘭集成電路有限公司是由杭州士蘭微電子股份有限公司(滬市600460)出資設(shè)立的專業(yè)從事硅集成電路和分立器件的制造企業(yè),與母公司士蘭微電子有限公司一...
2021-04-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS晶體管驅(qū)動(dòng)芯片 1456 0
mos晶體管,金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管,有MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS...
晶體管模型“HiSIM_SOI”已成國際標(biāo)準(zhǔn)
近日,廣島大學(xué)開發(fā)的晶體管模型“HiSIM_SOI”已成為國際標(biāo)準(zhǔn)。本文就該晶體管模型進(jìn)行了詳細(xì)介紹。
什么是耗盡型MOS晶體管 據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。耗盡型是指,當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道,加上正確的VGS時(shí),能使多數(shù)載流子流出溝
增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思
增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思 根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指:當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上
MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分...
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