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簡(jiǎn)要回顧MOS晶體管一些具有代表性的技術(shù)進(jìn)展，分析了其在將來(lái)超大規(guī)模集成電路（ULSI）應(yīng)用中的主要限制。從材料以及器件結(jié)構(gòu)兩個(gè)方向分別闡述了突破現(xiàn)有MOS技術(shù)而最有希望被將來(lái)ULSI工業(yè)所采用的新型晶體管技術(shù)。
- Abstract:
- ?This paper briefly reviewed some of the MOS transistors representative of the technical progress. The main constraints of its applications in the future ultra-large-scale integrated circuits (ULSI) are analyzed. New transistor technology, separately elaborated the breakthrough in the current MOS technology from the materials and the devices structure, are introduced. Three-dimensional transistor structure may be the most promising technology in the future ultra-large-scale integrated circuits (ULSI).
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