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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子論文>電工論文網(wǎng)>一種高速集電極溝槽絕緣柵雙極晶體管

      一種高速集電極溝槽絕緣柵雙極晶體管

      2018-04-24 | rar | 0.33 MB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      　　目前，產(chǎn)業(yè)化的高電壓大功率絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）普遍采用新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制造技術(shù)，以ABB、三菱、東芝和日立等為代表的國(guó)際領(lǐng)先研發(fā)制造公司均采用了新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制造技術(shù)，如軟穿通技術(shù)、注入增強(qiáng)門(mén)極晶體管（ Injection Enhanced Gate Transistor， IEGT）技術(shù)、載流子存儲(chǔ)增強(qiáng)技術(shù)和平面注入增強(qiáng)技術(shù)等。

      　　在前期高速絕緣柵雙極晶體管（ IGBT）的基礎(chǔ)上提出一種高速集電極溝槽絕緣柵雙極晶體管（ CT-IGBT）。該器件溝槽集電極與漂移區(qū)的內(nèi)建電勢(shì)差感應(yīng)形成電子溝道而加快關(guān)斷速度，且集電極溝槽具有不同于傳統(tǒng)電場(chǎng)截止層（ FS）的電場(chǎng)截止機(jī)制，并引入低濃度N型層以降低集電極溝槽對(duì)空穴注入的抑制作用。硅基材料有限元仿真結(jié)果表明，新結(jié)構(gòu)CT-IGBT的關(guān)斷下降時(shí)間比傳統(tǒng)溝槽FS-IGBT少49%，且前者耐受的雪崩能量比后者高32%。因此，新結(jié)構(gòu)CT-IGBT具有比FS-IGBT更優(yōu)越的關(guān)斷速度和強(qiáng)度，可應(yīng)用于大功率高速電力電子系統(tǒng)。

      一種高速集電極溝槽絕緣柵雙極晶體管

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