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標簽 > F-RAM

F-RAM

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  F-RAM芯片包含一個鋯鈦酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]的薄鐵電薄膜,通常被稱為PZT。PZT 中的Zr/Ti原子在電場中改變極性,從而產(chǎn)生一個二進制開關(guān)。與RAM器件不同,F(xiàn)-RAM在電源被關(guān)閉或中斷時,由于PZT晶體保持極性能保留其數(shù)據(jù)記憶。這種獨特的性質(zhì)讓F-RAM成為一個低功耗、非易失性存儲器。

文章: 12
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F-RAM簡介

  鐵電隨機存儲器(F-RAM),相對于其它類型的半導體技術(shù)而言,鐵電隨機存儲器(F-RAM)具有一些獨一無二的特性。已經(jīng)確定的半導體存儲器可以分為兩類:易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)以及其他類型存儲器。RAM類型存儲器易于使用,高性能,但它們有著共同的弱點:在掉電的情況下會失去所保存的數(shù)據(jù)。

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