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電子發(fā)燒友網(wǎng)>業(yè)界新聞>廠商新聞>Ramtron和ROHM簽署F-RAM產(chǎn)品制造協(xié)定

Ramtron和ROHM簽署F-RAM產(chǎn)品制造協(xié)定

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非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導體制造ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT
2023-05-25 00:25:01322

ROHM具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導體制造ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn),這兩款產(chǎn)品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:34447

ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導體制造ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23463

RAM是如何工作的?為什么RAM被稱為隨機存???

計算機關閉時,RAM 中存儲的信息會丟失,而長期存儲設備(SSD 或HDD)中的數(shù)據(jù)會保留。
2023-05-05 15:35:541733

服務器RAM模塊-可靠性和穩(wěn)定性至關重要

和消費者RAM之間的主要區(qū)別在于芯片的質(zhì)量和數(shù)量。服務器RAM需要一天24小時運行,因此產(chǎn)品中使用的芯片必須是高質(zhì)量的,并且在預制造時經(jīng)過精心挑選。有不同的服務器RAM模塊 - ECC UDIMM模塊(無緩沖ECC),注冊RDIMM模塊和LRDIMM或負載降低DIMM模塊。
2023-05-04 11:15:081348

ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET

ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372

ROHM Solution Simulator工具欄的功能和基本操作

ROHM Solution Simulator的用戶界面和電路圖工具欄圖標都采用常見圖標形式,直觀易操作。如果您想快速了解操作方法等,請使用“用戶操作手冊(PDF)”。
2023-04-28 14:11:22485

FPGA雙端口RAM的使用簡述

RAM :隨機存取存儲器(random access memory,RAM)又稱作“隨機存儲器”。
2023-04-25 15:58:205062

ROHM關于MOSFET管的研討會

也將達到飛躍式增長。 如果您想更進一步了解MOSFET的相關信息, 4月26日(周三)上午10點 由全球知名半導體品牌ROHM組織的這場直播研討會千萬不要錯過啦!本次研討會將從 MOSFET的基礎知識、特性講解、選型要點,到產(chǎn)品介紹和實際電路案例 等各方面開展介紹,
2023-04-18 08:57:11295

ROHM業(yè)界超小短波紅外(SWIR) 器件

全球知名半導體制造ROHM (總部位于日本京都市) 針對需要進行物質(zhì)檢測的便攜設備、可穿戴和 可聽戴設備, 確立了 1608 尺寸( 1.6mm×0.8mm ) 業(yè)界超小的短波紅外*1 (以下簡稱SWIR: Short Wavelength Infrared)器件量產(chǎn)技術。
2023-04-13 09:12:14433

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于APEX Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列

ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483

ROHM 業(yè)界超小短波紅外(SWIR) 器件

全球知名半導體制造ROHM? (總部位于日本京都市) 針對需要進行物質(zhì)檢測的便攜設備、可穿戴和 可聽戴設備, 確立了 1608 尺寸( 1.6mm×0.8mm?) 業(yè)界超小的短波紅外
2023-04-07 15:38:496181

ROHM | R60xxRNx系列概述

全球知名半導體制造ROHM? (總部位于日本京都市)在其600V耐壓Super?Junction? MOSFET*1?“PrestoMOSm”產(chǎn)品陣容中,又新增“R60xxRNx系列”3款新產(chǎn)品
2023-04-07 15:36:36831

新聞 | ROHM開發(fā)出12W級額定功率的0.85mm業(yè)界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”

非常適用于車載和工業(yè)設備的雙面散熱功率模塊! 即將推出15W級額定功率業(yè)界超小“PSR330”和“PSR100”的0.2mΩ產(chǎn)品 全球知名半導體制造ROHM(總部位于日本京都市)面向車載和工業(yè)設備
2023-04-04 12:40:05411

iMXRT1172處理器是否支持ISSI制造的SDRAM IS42S16320F-6BLI?

在我們的項目中,我們使用 ISSI 的 SDRAM IS42S16320F-6BLI 為 iMXRT1172 處理器制造,而在 imxRT1176 評估套件中使用 WINBOND 的 SDRAM
2023-04-03 08:41:30

RAM-MOUNT-09E

CLAMPBASE,RAM-202U,ANDSOCKET
2023-03-30 17:27:26

手機上的ROM和RAM技術原理

ROM和RAM的區(qū)別是什么?ROM和RAM都是一種存儲技術,只是兩者原理不同,RAM為隨機存儲,掉電不會保存數(shù)據(jù),而ROM可以在掉電的情況下,依然保存原有的數(shù)據(jù)。ROM和RAM指的都是半導體存儲器
2023-03-30 14:53:271938

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列

全球知名半導體制造ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13

有沒有在S23K148上運行的PTP(Precision Time Protocol) 協(xié)定代號?

有沒有在S23K148上運行的PTP(Precision Time Protocol) 協(xié)定代號?
2023-03-28 07:06:53

FM24CL16B-GTR

4-Kbit(512×8)串行(I2C)F-RAM
2023-03-27 13:53:15

FM25040B-GTR

4 Kbit (512 × 8) 串行 (SPI) F-RAM
2023-03-27 13:53:11

FM24CL64B-G

64 Kbit(8K×8)串行(I2C)F-RAM
2023-03-27 13:52:43

FM24V02A-GTR

256 Kbit (32K × 8) 串行 (I2C) F-RAM
2023-03-27 13:45:21

FM24W256-GTR

256 K位 (32 K × 8) 串行 (I2C) F-RAM
2023-03-27 12:55:59

FM25V10-GTR

1 Mbit(128 K × 8) 串行 (SPI) F-RAM
2023-03-27 11:55:16

FM25V20A-GTR

2-Mbit(256 K × 8) 串行 (SPI) F-RAM
2023-03-27 11:55:14

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