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標簽 > 鐵電存儲器
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣,如只讀存儲器和閃存)結(jié)合起來。
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣,如只讀存儲器和閃存)結(jié)合起來。由于鐵電存儲器不像動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)一樣密集(即在同樣的空間中不能存儲像它們一樣多的數(shù)據(jù)),它很可能不能取代這些技術(shù)。然而,由于它能在非常低的電能需求下快速地存儲,它有望在消費者的小型設(shè)備中得到廣泛地應(yīng)用,比如個人數(shù)字助理(PDA)、手機、功率表、智能卡以及安全系統(tǒng)。鐵電存儲器(FRAM)比閃存更快。在一些應(yīng)用上,它也有可能替代電可擦除只讀存儲器(EEPROM)和靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM),并成為未來的無線產(chǎn)品的關(guān)鍵元件 。
新一代鐵電存儲器的發(fā)展勢頭正在形成,這將改變下一代存儲格局
不過,就研發(fā)階段而論,F(xiàn)eFET本身并不是一個新器件。對于FeFET,其主要原理是在現(xiàn)有的邏輯晶體管上采用基于氧化鉿基的High-K(高K)柵電介質(zhì)+M...
2018-01-10 標簽:內(nèi)存場效應(yīng)晶體管鐵電存儲器 2.3萬 0
鐵電存儲器在多MCU系統(tǒng)中應(yīng)用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)
1、鐵電存儲器技術(shù)原理、特性及應(yīng)用 美國Ramtron公司鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體...
兩種最常見的商業(yè)存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續(xù)供電來維持其信息。閃存是非易失性的,對于長期大容量存儲來說足夠穩(wěn)定,但速度不是特別快...
什么是FRAM?關(guān)于鐵電存儲器FRAM的特性介紹
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是:“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
如圖1所示,電子電能表的基本架構(gòu)包括下列各主要功能模塊:電壓電流取樣電路;16位以上分辨率的ADC;計量與控制單元;通信接口;操作界面;顯示器;存儲器。...
2010-10-18 標簽:鐵電存儲器 2024 0
類別:存儲器技術(shù) 2011-07-18 標簽:儀表鐵電存儲器
類別:電子元器件應(yīng)用 2011-06-23 標簽:無線鐵電存儲器
4.4用鐵電存儲器擴展外部數(shù)據(jù)存儲器立即下載
類別:C語言|源代碼 2016-12-16 標簽:數(shù)據(jù)鐵電存儲器數(shù)據(jù)存儲器
FM18L08在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用立即下載
類別:DSP 2017-10-26 標簽:dsp系統(tǒng)鐵電存儲器fm18l08
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存...
鐵電存儲器是美國Ramtran公司推出的一種非易失性存儲器件,簡稱FRAM。與普通EEPROM、Flash-ROM相比,它具有不需寫入時間、讀寫次數(shù)無限...
鐵電存儲器FM24C16的頁面寫和任意字節(jié)讀匯編程序
下面給出FM24C16的頁面寫和任意字節(jié)讀匯編子程序。程序經(jīng)過應(yīng)用驗證,效果良好(為保證穩(wěn)定性,可以在相應(yīng)地方加入空語句以延時)。
FRAM是一種新型存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點,與EEPROM、FLASH相比,F(xiàn)RAM的讀寫更快、壽命更長,F(xiàn)RAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡...
富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX
鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數(shù)據(jù)的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點,具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周...
Ramtron推出最新鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) FM24C64C
Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布,現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器...
Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預(yù)認證樣片,新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲器...
富士通型號MB85RC04V是一款FRAM芯片,位寬為512字×8位,采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元。與SRAM不同,MB85R...
新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)
拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用于便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)
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