一.Fujitsu鐵電存儲器(FRAM)技術(shù)原理
Fujitsu是全球最大的鐵電存儲器(FRAM)供貨商,F(xiàn)ujitsu公司鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵晶體管材料,這一特殊材料使得鐵電存儲產(chǎn)品同時擁有隨機存取內(nèi)存(RAM)和非揮發(fā)性存貯產(chǎn)品(ROM)的特性。
鐵電存儲器(FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度,像工業(yè)標(biāo)準的串行和并行接口,工業(yè)標(biāo)準的封裝類型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。
鐵晶體管材料的工作原理是:當(dāng)我們把電場加載到鐵晶體管材料上,晶陣中的中心原子會沿著電場方向運動,到達穩(wěn)定狀態(tài),晶陣中的每個自由浮動的中心原子只有兩個穩(wěn)定狀態(tài),一個我們拿來記憶邏輯中的0、另一個記億1,中心原子能在常溫,沒有電場的情況下停留在此狀態(tài)達一百年以上。鐵電存儲器不需要定時刷新,能在斷電情況下保存資料。
二、Fujitsu鐵電存儲器(FRAM)技術(shù)優(yōu)點
傳統(tǒng)半導(dǎo)體內(nèi)存有兩大體系:揮發(fā)性內(nèi)存(VolatileMemory),和非揮發(fā)性內(nèi)存
(Non-volatileMemory)。
揮發(fā)性內(nèi)存如SRAM和DRAM在沒有電源的情況下都不能保存資料,但這種內(nèi)存擁有高性能、易用等優(yōu)點。
非揮發(fā)性內(nèi)存像EPROM、EEPROM和FLASH能在斷電后仍保存資料,但由于所有這些內(nèi)存均起源自只讀存儲器(ROM)技術(shù),所以您不難想象得到它們都有不易寫入的缺點,確切的來說,這些缺點包括寫入緩慢、有限次寫入次數(shù)、寫入時需要特大功耗等等。
FRAM第一個最明顯的優(yōu)點是FRAM可跟隨總線(BusSpeed)速度寫入,若比較起EEPROM/Flash的最大不同的是FRAM在寫入后無須任何等待時間(NoDelayTMWrite),而EEPROM/Flash須要等3~10毫秒(mS)才能寫進下
一筆資料。
鐵電存儲器(FRAM)的第二大優(yōu)點是近乎無限次讀寫。當(dāng)EEPROM/Flash只能應(yīng)付十萬次(10的5次方)至一百萬次寫入時,新一代的鐵電存儲器(FRAM)已達到一百億個億次(10的10次方)的寫入壽命。
鐵電存儲器(FRAM)的第三大優(yōu)點是超低功耗。EEPROM的慢速和高電流寫入令它需要高出FRAM2,500倍的能量去寫入每個字節(jié)。
三、FujitsuFRAM鐵電存儲器的接口方式
所有產(chǎn)品皆符合工業(yè)規(guī)格溫度標(biāo)準-40℃至85.℃,所提供產(chǎn)品有串行I2C和SPI接口以及并行接口三種方式:
1.串行接口:
串行I 2C接口配選最少的接腳;
串行SPI接口(SPIBus)產(chǎn)品需要多一至兩個接腳,但均具有高速和通訊協(xié)議簡單的優(yōu)點。
常見型號:MB85RC1MT、MB85RC512T、MB85RC256V、MB85RC128A、MB85RC64TA、MB85RC64A、MB85RC64V、MB85RC16、MB85RC16V、MB85RC04、MB85RC04V
MB85RS2MT、MB85RS1MT、MB85RS512T、MB85RS256B、MB85RS128B、MB85RS64T、
MB85RS64V、MB85RS64、MB85RS16。
2.并行接口:與標(biāo)準SRAM腳位兼容。并行FRAM對SRAM+Battery(后備電池)的無奈設(shè)計方式,提供了一個最佳的解決方案。系統(tǒng)工程師不再需要擔(dān)心電池干涸,和在系統(tǒng)里加上笨拙的機械裝置。FRAM的封裝就像SRAM一樣有簡單的SMD表面黏著封裝(SOIC)或插腳封裝(DIP)---而您也該是時候把電池仍掉了!
常見型號:MB85R8M1TA、MB85R8M2TA、MB85R8M2T、MB85R4M2T、MB85R4001A、MB85R4002A、MB85R1001A、MB85R1002A、MB85R256F
四、FRAM鐵電存儲器應(yīng)用市場
物聯(lián)網(wǎng)(Lot)
汽車
工業(yè) (用于設(shè)施)
工業(yè) (用于基礎(chǔ)設(shè)施)
智能電表
企業(yè)
消費類
醫(yī)療類
聯(lián)網(wǎng)
審核編輯 黃宇
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