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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實(shí)際上，一個電容等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
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本文介紹了半大馬士革工藝：利用空氣隙減少寄生電容。 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程已經(jīng)進(jìn)入了3納米節(jié)點(diǎn)及更先進(jìn)階段。在這個過程中，中道（MEOL）金...
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)中，MOS管無疑是最常用的電子元件之一。
MOS管的工作原理是通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的通道電阻，從而實(shí)現(xiàn)對電流的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定閾值時，通道電阻迅速減小，形成導(dǎo)電通道，使得...
LLC（Light Load Control）是一種在低負(fù)載條件下保持高效率的控制策略，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、LED驅(qū)動等領(lǐng)域。然而，在LLC關(guān)斷時，由于...
2024-08-08 標(biāo)簽：開關(guān)電源電壓寄生電容 1122 0
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容，這些電容會影響IGBT的...
?這篇文章并非是現(xiàn)在寫的，而是三年前，文章中的方法是我常用的，再次分享給兄弟們。 ? 輸入阻抗，輸出阻抗，這兩個參數(shù)似乎沒那么重要，但事實(shí)并非如此。下面...
非平衡電橋通常指的是在測量時電橋沒有達(dá)到完全平衡狀態(tài)的電橋。立式橋和臥式橋是指電橋的物理布局，其中立式橋的元件垂直排列，而臥式橋的元件水平排列。
2024-05-15 標(biāo)簽：電橋頻率響應(yīng)寄生電容 1718 0
硅片是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)，絕大多數(shù)的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insulator ）利用絕緣層將單晶硅薄膜與單晶硅片隔離開來。
熱插拔一般對電子系統(tǒng)有兩方面影響：1.熱插拔時，連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會出現(xiàn)彈跳，引起電源振蕩；2.熱插拔時，由于系統(tǒng)大容量儲能電容的充電效應(yīng)，系統(tǒng)...
寄生效應(yīng)和Via及Ground Bounce的詳細(xì)介紹和綜合應(yīng)用資料概述立即下載
類別：電子元器件應(yīng)用 2018-10-22 標(biāo)簽：放大器寄生電容Via 2831 0
PCB Layout中直角走線產(chǎn)生的影響解析立即下載
類別：PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-12-02 標(biāo)簽：pcbemi寄生電容 1444 0
淺談PCB Layout中直角走線產(chǎn)生的影響立即下載
類別：PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-12-01 標(biāo)簽：pcbemi寄生電容 1131 0
類別：PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-11-18 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)寄生電容高速pcb 2249 0
過孔寄生參數(shù)對PCB電路板性能有著顯著的影響，主要體現(xiàn)在以下幾個方面。
在電子測試和測量領(lǐng)域，探頭是連接被測設(shè)備(DUT)與測量儀器(如示波器)之間的關(guān)鍵組件。探頭的性能直接影響到測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。其中，寄生電容是探...
瑤芯榮獲“中國IC設(shè)計(jì)成就獎-年度最佳傳感器/MEMS獎項(xiàng)”
2024 IIC國際集成電路展覽會今日在上海張江科學(xué)會堂盛大閉幕?，幮咀鳛閲鴥?nèi)功率器件和數(shù)模混合信號鏈芯片產(chǎn)品的領(lǐng)軍企業(yè)，攜MEMS、IGBT、SiC ...
碳納米管晶體管兼容已有半導(dǎo)體制程工藝，解決碳納米管均勻可控?fù)诫s難題
研究中，他們提出了一種頂柵互補(bǔ)碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該...
寄生電容對MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)...
低溫對電子元器件影響是什么？電子元器件低溫失效原因有哪些？ 隨著科技的進(jìn)步和應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，人們對于電子元器件的質(zhì)量和可靠性要求也越來越高，因?yàn)殡娮?..
而當(dāng)狀態(tài)發(fā)生變化時，暫時會有Q3和Q4管同時導(dǎo)通，這時在電源和地之間形成了短暫的低阻抗，產(chǎn)生了30～100 mA的尖峰電流。當(dāng)門輸出電平從低變?yōu)楦邥r，電...
一種可以實(shí)現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面
近年來，太赫茲（THz）技術(shù)已經(jīng)成為第六代（6G）無線通信、雷達(dá)探測、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
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