本文介紹了硅片和SOI兩種材料的不同之處。
硅片和soi這兩種材料,他們的不同之處是什么呢?
硅片與SOI
硅片是半導體制造的基礎,絕大多數(shù)的芯片都是在硅片上制造的。SOI(silicon on insulator )利用絕緣層將單晶硅薄膜與單晶硅片隔離開來。與單晶硅片相比,SOI可以減少寄生電容,漏電流等,是一項比較前沿的技術(shù)。
制作方法的不同
硅片的制作方法:先用CZ法或FZ法制作出單晶硅錠,經(jīng)過切割成片,拋光等工序,得到單晶硅片 SOI晶圓則是需要對已有的單晶硅片再加工,一般的方法有SIMOX,BESOI,晶體生長法等。涉及到的工藝有離子注入,退火,晶圓鍵合,CVD,cmp等。
總的來說,硅片制造的工藝偏向于材料端,但是SOI所需要的工藝更貼近于半導體制造端,更先進更前沿。
SOI技術(shù)的前景
SOI技術(shù)在微處理器,高性能RF芯片,硅光電子芯片中應用廣泛。
因此針對于當前大環(huán)境下的芯片設計,SOI相比于硅片更具有可研究的潛力。
審核編輯:劉清
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原文標題:硅片和SOI的不同之處
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