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標(biāo)簽 > 體二極管
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igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT是一種晶體管,是MOSFET和BJT集成而成的開(kāi)關(guān),具有高速開(kāi)關(guān)能力和較低的導(dǎo)通電阻,用于高效率的功...
MOS管導(dǎo)通電流能否反著流?MOS管體二極管能過(guò)多大的電流?
MOS管導(dǎo)通電流能否反著流?MOS管體二極管能過(guò)多大的電流? MOS管是一種主要用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它是一種特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,具有晶體管的放大...
通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性-什么是雙脈沖測(cè)試?
我們開(kāi)設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中,我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估MOSFET體二極管的反...
安世半導(dǎo)體宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封...
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...
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