過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性 某些情況下，即使使用高速MOSFET也無(wú)法降低導(dǎo)通損耗”。本文就其中一個(gè)原因即誤啟動(dòng)現(xiàn)象進(jìn)行說(shuō)明。 什么是誤啟動(dòng)現(xiàn)象 誤啟動(dòng)是因MOSFET的各柵極電容
2020-12-16 15:03:33
2009 
上一篇文章的內(nèi)容來(lái)閱讀本文。 通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET反向恢復(fù)特性 為了評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性，我們使用4種MOSFET實(shí)施了雙脈沖測(cè)試。4種MOSFET均為超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復(fù)型和普通型分別進(jìn)行了比較。 先來(lái)看具有快速恢復(fù)
2020-12-21 14:25:457583 
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類(lèi)功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時(shí)，這項(xiàng)測(cè)試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)
2022-10-12 15:31:131811 反向恢復(fù)過(guò)程： ? ? 通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)過(guò)的轉(zhuǎn)換過(guò)程稱(chēng)為反向恢復(fù)過(guò)程 。由于反向恢復(fù)時(shí)間的存在，使二極管的開(kāi)關(guān)速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)，那就
2022-12-10 17:06:3814762 
碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231749 
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 08:53 編輯
最近要做課設(shè)： 聲控照明控制電路，利用聲脈沖控制照明燈的亮滅，為避免干擾脈沖誤控制，采用連續(xù)雙脈沖控制，由接收脈沖開(kāi)啟照明
2013-11-21 10:27:23
視頻講解雙脈沖基本原理及意義，點(diǎn)擊下方鏈接在線觀看https://mp.weixin.qq.com/s/8BZ8b-Y6yDbRn6uQASV9iA
2020-06-24 14:18:57
PWM調(diào)制是頻率固定脈寬可調(diào)的調(diào)制方式，后又衍生出雙脈沖調(diào)制，這是一種什么調(diào)制方式，是發(fā)出兩個(gè)脈沖波控制一個(gè)器件還是發(fā)出兩個(gè)脈沖波控制兩個(gè)器件，相較于PWM調(diào)制有什么優(yōu)缺點(diǎn)，雙脈沖調(diào)制具體在什么地方有應(yīng)用？
2024-01-17 15:56:04
脈沖下當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用。如果反向脈沖的持續(xù)時(shí)間比tr 短, 則二極管在正、反向都可導(dǎo)通, 起不到開(kāi)關(guān)作用。因此了解二極管反向恢復(fù)時(shí)間對(duì)正確選取管子和合理設(shè)計(jì)電路至關(guān)重要。開(kāi)關(guān)從導(dǎo)通狀態(tài)向截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變
2019-12-03 10:16:05
時(shí)間如下圖所示，快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是電流從正向通過(guò)零點(diǎn)到反向，再?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">反向到規(guī)定的低值的時(shí)間間隔。其實(shí)就是釋放快恢復(fù)二極管正向?qū)ㄆ陂g儲(chǔ)存在PN結(jié)擴(kuò)散電容中的電荷。反向恢復(fù)時(shí)間決定了快恢復(fù)二極管可用
2021-07-30 14:33:17
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路，改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡(jiǎn)稱(chēng)FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。一、FRD工作時(shí)的風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估IGBT模塊中的并聯(lián)FRD，是一個(gè)
2019-09-27 14:04:00
過(guò)程是否有電壓尖峰，
評(píng)估實(shí)際應(yīng)用是否需要吸收電路；5、
評(píng)估二極管的
反向恢復(fù)行為和安全裕量；6、測(cè)量母排的雜散電感；
雙脈沖測(cè)試原理圖1
雙脈沖測(cè)試平臺(tái)的電路及理想波形IGBT
雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)電路及電路拓?fù)?/div>
2019-09-11 09:49:33
各位好，想請(qǐng)教下雙脈沖測(cè)試的幾個(gè)參數(shù)問(wèn)題。項(xiàng)目所用IGBT是1200V 75A的單管，開(kāi)關(guān)頻率4kHz。初次接觸雙脈沖測(cè)試，有幾個(gè)疑問(wèn)：（1）測(cè)試時(shí)的最大電流是按額定75A來(lái)，還是150A
2019-11-06 20:47:30
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內(nèi)容：— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測(cè)試雙脈沖測(cè)試步驟— 六并聯(lián)短路測(cè)試講師PPT見(jiàn)附件。
2020-06-28 11:21:33
https://mp.weixin.qq.com/s/C2PfLBXd7n2YDJ0ht9loow上述視頻講述了以下四方面內(nèi)容。- NPC I型三電平2種應(yīng)用方式- NPC I型三電平拓?fù)溥\(yùn)行狀態(tài)- NPC I型三電平雙脈沖測(cè)試方法- NPC I型三電平短路測(cè)試方法講師PPT見(jiàn)附件
2020-06-28 10:40:04
滿足了發(fā)生反向恢復(fù)的條件。D1的反向電流iD1疊加上負(fù)載電流iload就會(huì)在S2的集電極電流上表現(xiàn)為電流尖峰，如圖2所示?！ D2. 雙脈沖測(cè)試波形 關(guān)于二極管反向恢復(fù)特性更為詳細(xì)的測(cè)試說(shuō)明，大家
2020-12-08 15:44:26
需要談到在半導(dǎo)體中移動(dòng)的電子和空穴。先通過(guò)波形圖來(lái)了解SiC-SBD和Si-PND反向恢復(fù)特性的不同。右側(cè)波形圖為SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢復(fù)時(shí)的電流和時(shí)間。從波形圖可見(jiàn)紅色
2018-11-29 14:34:32
https://mp.weixin.qq.com/s/iYQy1ayfMAz7JKcHgS3kgQ上述為視頻鏈接，主要講一下四個(gè)問(wèn)題。講師PPT見(jiàn)附件?！?T型三電平拓?fù)涞乃姆N結(jié)構(gòu)— T型三電平拓?fù)溥\(yùn)行狀態(tài)— T型三電平雙脈沖測(cè)試方法— T型三電平短路測(cè)試
2020-06-28 10:28:23
pspice中怎么得到雙脈沖測(cè)試信號(hào)？可否通過(guò)軟件自帶的信號(hào)源得到？
2015-05-27 23:02:05
次數(shù)為2次，示波器采用單次觸發(fā)。 采用MSO58功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN?的動(dòng)態(tài)參數(shù)。左下的測(cè)試提示Ic off是因?yàn)橛w凌的CoolGaN?完全沒(méi)有反向恢復(fù)電流，從測(cè)試數(shù)據(jù)中可以看到
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學(xué)習(xí)評(píng)估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對(duì)SiC管做雙脈沖測(cè)試考察其開(kāi)關(guān)特性。對(duì)于雙脈沖測(cè)試
2020-06-18 17:57:15
單片機(jī) 定時(shí)器PWM輸出。HS端口 MOSFET 的雙脈沖測(cè)試原理圖測(cè)試上電順序負(fù)載電感自己繞制空心電感，多個(gè)電容串并聯(lián)。測(cè)試波SCT3040KRElectrical characteristics```
2020-07-26 23:24:05
二極管是單向?qū)?，那?b class="flag-6" style="color: red">反向恢復(fù)時(shí)間是什么，需要怎么測(cè)試
2023-09-27 07:51:57
什么是反向恢復(fù)過(guò)程？二極管在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中出現(xiàn)的反向恢復(fù)過(guò)程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復(fù)時(shí)間(Trr)：35nS引線數(shù)量：3 二極管SFF3006反向恢復(fù)過(guò)程，現(xiàn)代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost開(kāi)關(guān)電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產(chǎn)生的反向恢復(fù)電流的di/dt遠(yuǎn)比輸出二極管D反向恢復(fù)電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開(kāi)關(guān)電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我們?cè)敿?xì)討論了二極管的結(jié)電容：勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容。我們也知道了數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給出的結(jié)電容參數(shù)，它的大小和反向恢復(fù)時(shí)間沒(méi)有關(guān)系。如下表所示：序號(hào)種類(lèi)型號(hào)結(jié)電容反向恢復(fù)時(shí)間封裝品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
`雙脈沖電源，即周期換向脈沖電源（這里的“雙”的含義指“雙向”），它是在輸出一組正向脈沖電流之后引入一組反向脈沖電流，正向脈沖持續(xù)時(shí)間長(zhǎng)反向脈沖持續(xù)時(shí)間短，大幅度、短時(shí)間的反向脈沖所引起的高度不均勻
2019-12-17 14:03:04
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
或者說(shuō)過(guò)程，我們稱(chēng)之為反向恢復(fù)過(guò)程。只要是雙極型器件，就會(huì)有非平衡載流子的注入，那么就存在所謂的反向恢復(fù)過(guò)程。這種特性嚴(yán)重限制了器件在高頻需求下的性能，我們要做的就是研究并減小反向恢復(fù)這個(gè)過(guò)程的時(shí)間。(a
2023-02-14 15:46:54
二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試儀 長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司滿足國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：GB/T8024-2010，使用矩形波法測(cè)試反向恢復(fù)時(shí)間。一：主要特點(diǎn)A：測(cè)量多種二極管B：二極管反向電流峰值100A（定制）C
2015-03-05 09:30:50
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測(cè)試，調(diào)門(mén)極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
`請(qǐng)問(wèn)這種雙極性脈沖信號(hào)怎么生成啊`
2021-02-09 09:21:06
1. 文章研究主要問(wèn)題在雙弧脈沖熔化極惰性氣體保護(hù)焊的過(guò)程中存主旁弧脈沖電流波形匹配以及耦合電弧穩(wěn)定性的問(wèn)題。2. 結(jié)論分析了雙弧脈沖 MIG 焊的特點(diǎn)和控制要求，實(shí)現(xiàn)雙弧脈沖 MIG 焊方法必須
2021-12-20 06:26:47
?快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（tr）的定義：電流通過(guò)零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。在快恢復(fù)二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復(fù)電流。Irr
2021-05-14 14:12:50
10mA；通過(guò)電位器螺絲刀，調(diào)節(jié)反向恢復(fù)電流20mA。二極管具有方向，方向如果接得不對(duì)，接入錯(cuò)誤指示燈亮，此時(shí)更換二極管方向第五步：示波器讀數(shù)。將抓取到的測(cè)試波形進(jìn)行展開(kāi)為25nS一格，得到如下圖所示的波形
2015-03-11 14:02:20
的IGBT 的性能。（2）獲取IGBT 在開(kāi)關(guān)過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon及Rgoff 的數(shù)值是否合適，評(píng)估是否需要配吸收電路等。（3） 考量IGBT在變換器中工作時(shí)的實(shí)際表現(xiàn)。例如二極管的反向恢復(fù)
2021-02-25 10:43:27
步進(jìn)電機(jī)單雙脈沖控制是什么？
2021-12-21 07:42:56
+TCP0030A+IGBT town軟件五、方案優(yōu)勢(shì)：1.可靠、可重復(fù)地測(cè)試IGBT及MOSFET (包括第三代半導(dǎo)體器件SiC、GaN )功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)特征2.測(cè)量的特征包括開(kāi)啟、關(guān)閉、開(kāi)關(guān)切換、反向恢復(fù)、柵極
2021-05-20 11:17:57
連線的電源短路。圖2顯示的是經(jīng)修改的評(píng)估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復(fù)測(cè)量的經(jīng)修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測(cè)技術(shù)圖4顯示的是開(kāi)關(guān)
2018-09-03 15:17:37
效應(yīng)引起的, 反向恢復(fù)時(shí)間就是存儲(chǔ)電荷耗盡所需要的時(shí)間。該過(guò)程使二極管不能在快速連續(xù)脈沖下當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用。如果反向脈沖的持續(xù)時(shí)間比tr 短, 則二極管在正、反向都可導(dǎo)通, 起不到開(kāi)關(guān)作用。
2020-02-25 07:00:00
超高速二極管反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)試儀一：主要特點(diǎn)A：測(cè)量多種二極管B：二極管反向電流2.5~10mAC：二極管正向電流2.5~50mA D：測(cè)量精度1nSE：二極管接反、短路開(kāi)路保護(hù)F：示波器圖形顯示G
2015-03-11 13:56:18
在本文中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果。驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果：雙脈沖測(cè)試比較為了比較沒(méi)有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET和有驅(qū)動(dòng)源極引腳的MOSFET的實(shí)際開(kāi)關(guān)工作情況，我們按照右圖
2022-06-17 16:06:12
測(cè)量電路如下圖。由直流電流源供規(guī)定的IF，脈沖發(fā)生器經(jīng)過(guò)隔直電容器C加脈沖信號(hào)，利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時(shí)刻到IR=Irr時(shí)刻所經(jīng)歷的時(shí)間。當(dāng)IRM為一定時(shí)，反向恢復(fù)電荷愈小，反向恢復(fù)時(shí)間就愈短。
2019-10-11 13:08:35
二極管反向恢復(fù)時(shí)間及簡(jiǎn)易測(cè)試在開(kāi)關(guān)電路中應(yīng)用的二極管，反向恢復(fù)時(shí)間是一個(gè)主要參數(shù)。用圖示儀器直接觀察特性曲錢(qián)是理想的測(cè)試方法，但需要專(zhuān)用測(cè)試設(shè)備。本文闡述了二
2008-11-19 18:09:16
115 :本文簡(jiǎn)要地介紹了超快速二極的性能管對(duì)電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對(duì)超快速二極管反向恢復(fù)特性的要求，超快速二極管的反向恢復(fù)參數(shù)與使用條件的關(guān)系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:0939 超快速二極管的反向恢復(fù)特性摘要:本文簡(jiǎn)要地介紹了超快速二極的性能管對(duì)電力電子電路的影響和現(xiàn)代功率變換對(duì)超快速二極管反向恢復(fù)特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 恒流工作模式和脈沖恒流工作模式， 測(cè)試二極管反向恢復(fù)時(shí)間穩(wěn)定可靠。 二 應(yīng)用范圍 高速信號(hào)二極管 三 測(cè)量原理 它包括下降
2023-07-11 11:43:47
電源主要由整流器、逆變器、變壓器等部分組成。其工作原理是將交流電整流成直流電，再通過(guò)逆變器將直流電轉(zhuǎn)換成高頻交流電，最后通過(guò)變壓器升壓或降壓后輸出。雙脈沖電源的核心
2024-02-25 17:56:24
脈沖式電測(cè)試是一種能夠減少器件總能耗的測(cè)量技術(shù)。它通過(guò)減少焦耳熱效應(yīng)（例如I2R和V2/R），免對(duì)小型納米器件可能造成的損壞。脈沖測(cè)試采用足夠高的電源對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加間
2011-04-09 16:05:5044 日前，東芝開(kāi)發(fā)了提高內(nèi)置二極管恢復(fù)特性的構(gòu)造MOSFET“DTMOS”，并將于5-14日至16日在PCM 2013大會(huì)上展示。據(jù)悉，該產(chǎn)品耐壓為600V，縮短了內(nèi)置二極管反向恢復(fù)時(shí)間。
2013-05-20 11:40:33886 本文介紹了半導(dǎo)體測(cè)試的方法、工具和案例，涉及非易失性存儲(chǔ)單元表征測(cè)試和MOSFET測(cè)試，還有半導(dǎo)體測(cè)試儀器-脈沖發(fā)生器。
2017-08-29 15:27:4410 測(cè)試二極管的反向恢復(fù)特性一般都需要復(fù)雜的測(cè)試設(shè)備。必須能夠建立正向?qū)l件、正向閉鎖狀態(tài)、及兩者間的過(guò)渡。還需要有一種從所得到的波形中提取特征的手段?？偠灾?，這并不是一項(xiàng)很簡(jiǎn)單的例行操，作應(yīng)由專(zhuān)業(yè)人員來(lái)完成這項(xiàng)復(fù)雜的工作。這個(gè)事實(shí)說(shuō)明了工程師們?yōu)槭裁赐ǔ６紩?huì)依賴于公布的數(shù)據(jù)。
2020-08-03 08:49:544281 
通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性我們開(kāi)設(shè)了 Si 功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn) MOSFET 損耗情況。
2020-12-28 06:00:0023 ，它有普通整流二極管、快恢復(fù)二極管、超快恢復(fù)二極管、肖特基二極管等。那么什么是二極管的反向恢復(fù)時(shí)間呢？它和結(jié)電容之間有什么關(guān)系呢？下面列舉常用二極管的反向恢復(fù)時(shí)間： 普通二極管：反向恢復(fù)時(shí)間一般 500ns以上； 快恢復(fù)二極管：反向
2021-09-22 15:07:0331377 
有更加深入的了解時(shí)，這個(gè)波形變得復(fù)雜了很多。不斷困擾開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的一個(gè)特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此
2021-11-10 09:40:225682 
一般，我們是通過(guò)閱讀器件廠商提供的datasheet來(lái)了解一個(gè)器件的參數(shù)特性，但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的，因此這些參數(shù)不能都可以直接拿來(lái)使用的。因此可以通過(guò)雙脈沖測(cè)試，通過(guò)給定兩個(gè)脈沖來(lái)測(cè)試IGBT的開(kāi)關(guān)特性，進(jìn)而對(duì)器件性能進(jìn)行更準(zhǔn)確的評(píng)估。
2022-06-17 17:33:0117548 混合脈沖功率特性（Hybird Pulse Power Characterization，簡(jiǎn)稱(chēng)HPPC）測(cè)試是動(dòng)力電池性能評(píng)估中的一項(xiàng)重要的測(cè)試方法，該方法主要針對(duì)混合動(dòng)力車(chē)用電池系統(tǒng)、模塊以及電池
2022-06-22 15:41:122962 雙脈沖是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路，優(yōu)化動(dòng)態(tài)過(guò)程，驗(yàn)證短路保護(hù)。
雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用，對(duì)電壓電流探頭要求和影響測(cè)試結(jié)果的因素等。
2022-08-01 09:08:1110881 
內(nèi)部二極管的trr特性。 01?反向恢復(fù)時(shí)間trr對(duì)逆變器電路的影響 在逆變器電路中，開(kāi)關(guān)器件的反向恢復(fù)時(shí)間trr（Reverse recovery time）特性對(duì)損耗的影響很大。在這里，我們將使
2022-08-13 22:50:201790 
救世主GaN來(lái)了！第1部分：體二極管反向恢復(fù)。
2022-11-03 08:04:342 雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測(cè)試，通過(guò)雙脈沖測(cè)試可以便捷的評(píng)估功率器件的性能，獲得穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)過(guò)程中的主要參數(shù)，更好的評(píng)估器件性能，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)等等。
2022-11-04 14:06:272763 本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果，來(lái)探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請(qǐng)結(jié)合上一篇文章的內(nèi)容來(lái)閱讀本文。
2023-02-10 09:41:08662 
上一篇文章中通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)型且具有快恢復(fù)特性的SJ MOSFET的雙脈沖測(cè)試，介紹了“在橋式電路中，恢復(fù)特性可通過(guò)使用高速MOSFET來(lái)降低損耗，但是在某些情況下，即使使用高速MOSFET也無(wú)法降低導(dǎo)通損耗”。
2023-02-10 09:41:08553 
在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，重點(diǎn)關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正（PFC）電路等是兩個(gè)MOSFET串聯(lián)連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導(dǎo)致導(dǎo)通損耗增加的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:041666 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在LLC轉(zhuǎn)換器中，如果偏離預(yù)期的諧振條件，MOSFET體二極管的反向恢復(fù)電流會(huì)引發(fā)直通電流，這可能會(huì)造成開(kāi)關(guān)損耗增加，最壞的情況下可能會(huì)導(dǎo)致MOSFET損壞。
2023-02-13 09:30:14920 
面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來(lái)比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
（一）IGBT雙脈沖測(cè)試的意義 對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的參數(shù)； 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適； 開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩； 評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全
2023-02-22 15:07:1511 功率開(kāi)關(guān)器件的規(guī)格書(shū)上有著多種多樣的數(shù)據(jù)，如靜態(tài)特性參數(shù)，動(dòng)態(tài)特性參數(shù)，開(kāi)關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過(guò)靜態(tài)參數(shù)一體化測(cè)試機(jī)或者源表等設(shè)備直接測(cè)出，動(dòng)態(tài)特性參數(shù)則可以通過(guò)電容測(cè)試平臺(tái)描繪出，最后開(kāi)關(guān)特性參數(shù)則需要用到雙脈沖測(cè)試才能準(zhǔn)確測(cè)得。
2023-02-22 14:40:203836 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：正向二極管電流衰減為零后，由于兩層中存在存儲(chǔ)電荷，二極管繼續(xù)反向導(dǎo)通。反向流動(dòng)的時(shí)間稱(chēng)為反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。二極管保持其阻斷能力，直到反向恢復(fù)電流衰減為零。
2023-02-23 15:50:305422 
IGBT雙脈沖測(cè)試matlab仿真模型，電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)測(cè)試驗(yàn)證，學(xué)習(xí)驗(yàn)證igbt開(kāi)關(guān)特性.附贈(zèng)大廠資深工程師總結(jié)的雙脈沖測(cè)試驗(yàn)證資料，全部是實(shí)際項(xiàng)目總結(jié)。 鏈接：提取碼：fbif ? ? ?
2023-02-24 10:40:5717 內(nèi)部二極管的trr特性。01 ? 反向恢復(fù)時(shí)間trr對(duì)逆變器電路的影響 在逆變器電路中，開(kāi)關(guān)器件的反向恢復(fù)時(shí)間trr（Reverse recovery time）特性對(duì)損耗的影響很大。在這里，我們將使用唯
2023-03-03 09:59:130 改進(jìn)方向，提取開(kāi)關(guān)特性參數(shù)，制作設(shè)備規(guī)格，計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗，為電源熱設(shè)計(jì)提供數(shù)據(jù)支持，對(duì)比不同廠家設(shè)備開(kāi)關(guān)特性等。
2023-03-28 14:05:00921 
當(dāng)我們對(duì)于用實(shí)際組件來(lái)實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換器有更加深入的了解時(shí)，這個(gè)波形變得復(fù)雜了很多。不斷困擾開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的一個(gè)特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化
2023-04-15 09:15:122506 
雙脈沖測(cè)試是一種用于測(cè)量電子設(shè)備的重要方法，其通過(guò)發(fā)送兩個(gè)相互獨(dú)立且短暫的脈沖信號(hào)來(lái)分析設(shè)備的性能和可靠性。在進(jìn)行雙脈沖測(cè)試時(shí)，我們需要注意一些重要事項(xiàng)，以確保測(cè)試的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。 首先，進(jìn)行
2023-07-03 11:45:27678 
【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的反向恢復(fù)特性
2023-12-13 14:42:08213 
器件損壞。為了保護(hù)二極管不受反向擊穿的影響，可以使用二極管反向恢復(fù)電路。 二極管反向恢復(fù)電路是一種用于減小反向恢復(fù)電流的電路，通常由二極管和電感器構(gòu)成。當(dāng)二極管處于正向?qū)顟B(tài)時(shí)，電感器存儲(chǔ)了能量；當(dāng)二極管從導(dǎo)
2023-12-18 11:23:57597 電纜故障測(cè)試儀的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)。 一、工作原理 多次脈沖電纜故障測(cè)試儀采用了一種先進(jìn)的測(cè)試原理，即利用高壓脈沖信號(hào)在電纜中傳播的特性，通過(guò)測(cè)量脈沖波形的變化，判斷電纜中的故障位置。該測(cè)試原理的核心思想是利用脈沖信號(hào)
2023-12-19 15:36:35173 雙脈沖測(cè)試是一種用于測(cè)量材料電學(xué)性能的非破壞性測(cè)試方法。它通過(guò)在被測(cè)材料上施加兩個(gè)不同頻率、相位和幅度的脈沖電壓，來(lái)檢測(cè)材料的介電常數(shù)、損耗因子等參數(shù)。雙脈沖測(cè)試原理廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、物理學(xué)
2023-12-30 11:47:00629 
生反向恢復(fù)過(guò)程。 反向恢復(fù)過(guò)程是指當(dāng)二極管的正向電壓減小到零或反向電壓增加到零時(shí)，電流不能立即停止流動(dòng)，而是經(jīng)過(guò)一個(gè)反向電流的過(guò)程。這個(gè)過(guò)程通常包括兩個(gè)階段：反向恢復(fù)時(shí)間和存儲(chǔ)時(shí)間。 反向恢復(fù)時(shí)間（Recovery Time）：反
2024-01-12 17:06:11655 
二極管的反向恢復(fù)時(shí)間（Reverse Recovery Time）是衡量其從導(dǎo)通狀態(tài)切換到截止?fàn)顟B(tài)時(shí)性能的一個(gè)重要參數(shù)。 反向恢復(fù)時(shí)間是指二極管從正向?qū)顟B(tài)切換到反向截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，反向電流
2024-01-31 15:15:47472 
雙脈沖測(cè)試的基本原理是什么？雙脈沖測(cè)試可以獲得器件哪些真實(shí)參數(shù)？ 雙脈沖測(cè)試是一種常用的測(cè)試方法，用于測(cè)量和評(píng)估各種器件的性能和特性。它基于一種簡(jiǎn)單而有效的原理，通過(guò)發(fā)送兩個(gè)脈沖信號(hào)并分析其響應(yīng)
2024-02-18 09:29:23235 ），并測(cè)量其響應(yīng)來(lái)工作。 雙脈沖測(cè)試是一種專(zhuān)門(mén)用于評(píng)估功率開(kāi)關(guān)元件，如MOSFET和IGBT的開(kāi)關(guān)特性及與之并聯(lián)的體二極管或快速恢復(fù)二極管（FRD）的反向恢復(fù)特性的測(cè)試方法。這種測(cè)試特別適用于分析在導(dǎo)通過(guò)程中由于反向恢復(fù)現(xiàn)象而產(chǎn)生損耗的電路。 通過(guò)施加兩連
2024-02-23 15:56:27303 
對(duì)于經(jīng)驗(yàn)豐富的專(zhuān)業(yè)人士來(lái)說(shuō)，不言而喻的事情有時(shí)可能會(huì)給經(jīng)驗(yàn)不足的人帶來(lái)誤解。作為測(cè)試設(shè)備制造商，我們意識(shí)到用戶對(duì)雙脈沖測(cè)試有不同的看法。
2024-03-11 14:39:0085 
雙脈沖測(cè)試是電力變壓器和互感器的一種常見(jiàn)測(cè)試方法，其主要目的是評(píng)估設(shè)備的性能和準(zhǔn)確性，確保其符合設(shè)計(jì)要求和運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。
2024-03-11 16:01:55277 
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