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標簽 > 體二極管
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安世半導體宣布推出業(yè)界領先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET
Nexperia(安世半導體)近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封...
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...
MOS管導通電流能否反著流?MOS管體二極管能過多大的電流?
MOS管導通電流能否反著流?MOS管體二極管能過多大的電流? MOS管是一種主要用于電子設備中的半導體器件。它是一種特殊的場效應晶體管,具有晶體管的放大...
igbt的優(yōu)缺點介紹 IGBT的優(yōu)缺點介紹 IGBT是一種晶體管,是MOSFET和BJT集成而成的開關,具有高速開關能力和較低的導通電阻,用于高效率的功...
通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性-什么是雙脈沖測試?
我們開設了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中,我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反...
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