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所謂的 PSRAM(Pseudo SRAM;PSRAM),在技術本質(zhì)上即是用DRAM 來喬裝SRAM,所以才叫Pseudo(偽),那為何要用喬裝呢?此其實與近年來手持式應用設計的興起息息相關。
關鍵詞:PSRAM,偽靜態(tài)隨機存取內(nèi)存
所謂的 PSRAM(Pseudo SRAM;PSRAM),在技術本質(zhì)上即是用DRAM 來喬裝SRAM,所以才叫Pseudo(偽),那為何要用喬裝呢?此其實與近年來手持式應用設計的興起息息相關。過去在一般性的嵌入式設計上,其內(nèi)存部分多是使用 SRAM,之后由于計算機等電子數(shù)據(jù)設備的成長,使設備內(nèi)部所用的內(nèi)存容量大幅增加,這時就難以使用SRAM 來實現(xiàn)大容量的內(nèi)存系統(tǒng),而必須使用DRAM,DRAM 每個位的記憶電路是以1 個晶體管與1 個電容所構成,相對于SRAM 每個位需要4~6 個晶體管才能構成,DRAM 擁有比SRAM 高4~6 倍的記憶密度。
關鍵詞:PSRAM,偽靜態(tài)隨機存取內(nèi)存
所謂的 PSRAM(Pseudo SRAM;PSRAM),在技術本質(zhì)上即是用DRAM 來喬裝SRAM,所以才叫Pseudo(偽),那為何要用喬裝呢?此其實與近年來手持式應用設計的興起息息相關。過去在一般性的嵌入式設計上,其內(nèi)存部分多是使用 SRAM,之后由于計算機等電子數(shù)據(jù)設備的成長,使設備內(nèi)部所用的內(nèi)存容量大幅增加,這時就難以使用SRAM 來實現(xiàn)大容量的內(nèi)存系統(tǒng),而必須使用DRAM,DRAM 每個位的記憶電路是以1 個晶體管與1 個電容所構成,相對于SRAM 每個位需要4~6 個晶體管才能構成,DRAM 擁有比SRAM 高4~6 倍的記憶密度。
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