DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:35
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DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
DRAM： 我們再說說DRAM。DRAM全稱Dynamic Random Access Memory，翻譯過來為動態(tài)隨機(jī)讀取存儲器。
2022-10-06 13:05:005136 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。 技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體
2023-08-08 14:24:12745 
DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)第四季價(jià)格持續(xù)下跌，存儲器封測廠受到客戶要求降價(jià)，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價(jià)5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271152 
9月14日，臺資動態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）廠南亞科技今天宣布，自15日起暫停供貨華為，未來將依照相關(guān)規(guī)定向美方申請恢復(fù)供貨。
2020-09-15 09:43:092715 想了解DRAM 的EFA測試，以及她的測試程序如何，學(xué)習(xí)的技巧等
2020-11-13 13:53:41
：名詞解釋如下DRAM--------動態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式SRAM--------靜態(tài)的隨機(jī)存儲器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會丟失，而且
2012-08-15 17:11:45
才會停止DRAM的投資。從目前各新興存儲器的技術(shù)進(jìn)展來看，讀寫速度都已紛紛進(jìn)入10ns的目標(biāo)區(qū)，而且不需要更新電流(refresh current)，對功耗問題大有好處。況且這些技術(shù)也都可以3D堆疊
2018-10-12 14:46:09
、SDRAM、EDO RAM都屬于DRAM（Dynamic RAM）,即動態(tài)內(nèi)存。所有的DRAM基本單位都是由一個晶體管和一個電容器組成。請看下圖： [/hide]
2009-10-21 18:27:06
復(fù)雜一些。DRAM的存取速度一般比SRAM要慢。 DRAM推薦型號 SRAM與DRAM的區(qū)別 SRAM 1.速度快 2.不需要刷新可保持?jǐn)?shù)據(jù) 3.無需MCU帶特殊接口 4.容量
2020-12-10 15:49:11
寬帶系統(tǒng)互聯(lián)中的串行怎么選？DRAM總線的其他用途是什么？
2021-05-24 06:33:34
某16K x 4的存儲體由16個字長為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲矩陣。分析：由題得，16個DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45
一種特定的類型：DRAM。DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）是一種基于充電電容器的存儲技術(shù)，實(shí)現(xiàn)起來非?？烨冶阋?。它還允許高密度。但是DRAM并非沒有缺陷。DRAM中的一位可以存儲為電容器上是否存在電荷
2020-09-25 08:01:20
先準(zhǔn)備在DVSDK的基礎(chǔ)上移植u-boot,由于更換了DDR，因此要修該DDR的參數(shù)，但我找不到dram_init函數(shù)在哪一個文件里：搜索了一下有下面幾個文件比較像，但我不知到時(shí)哪一個，請各位幫忙
2020-08-17 11:19:18
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱隨機(jī)存取存儲器，存儲的內(nèi)容可通過指令隨機(jī)讀寫訪問
2022-01-26 06:05:59
DDR4，開發(fā)版使用的是DDR3。DRAM：動態(tài)隨機(jī)存儲器，內(nèi)部存儲單元的以電容電荷表示數(shù)據(jù)，1代表有電荷，0代表無數(shù)據(jù)。DRAM結(jié)構(gòu)簡答，所以成本低，集成度高。但是存取速度不如SRAM。? 2.DDR?常見頻率100MHZ，133MHZ，166M，200MHz。?計(jì)算容量：行地址位row=
2022-02-07 06:15:06
使用NI的 FPGA，開辟了一個1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個MCK一個地址的刷新DRAM中的數(shù)據(jù)，也就是每個地址刷新時(shí)間不到17微秒，一開始出現(xiàn)一個數(shù)據(jù)都寫不進(jìn)去，我
2018-11-07 23:57:30
HY57V161610E是海力士半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款16MB存儲容量的同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），它由2個512K×16bit存儲體組成。
2021-05-20 08:02:37
在過去兩年中，全球DRAM制造商一直在以近乎滿負(fù)荷的速度運(yùn)營著自己的內(nèi)存芯片廠，從而導(dǎo)致了DRAM價(jià)格的持續(xù)上漲。在IC Insights近期發(fā)布的報(bào)告中披露，DRAM平均售價(jià)（ASP）在2018年
2018-10-18 17:05:17
MT47H64M16NF-25E:M動態(tài)隨機(jī)存取存儲器：規(guī)格：存儲器類型易失存儲器格式DRAM技術(shù)SDRAM - DDR2存儲容量1Gb （64M x 16）存儲器接口并聯(lián)時(shí)鐘頻率400MHz寫
2020-06-30 16:26:14
RAM——隨機(jī)存取存儲器“隨機(jī)”表示存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需的時(shí)間與數(shù)據(jù)所在的位置無關(guān)RAM掉電數(shù)據(jù)丟失，分為SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲存取器）和DRAM（動態(tài)隨機(jī)存儲存取器）。SRAM存儲數(shù)據(jù)的時(shí)間相對較長
2021-12-10 06:39:26
求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來
2015-11-04 10:09:56
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
（StaticRandom-AccessMemory）即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器，所謂“靜態(tài)”是指這種存儲器只要保持通電，里面存儲的數(shù)據(jù)就可以一直保持，但是掉電之后就會丟失。與DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存...
2021-08-12 06:14:59
Direct Rambus DRAM的信號連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號線是漏極開路輸出以及時(shí)鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的?！ D Direct Rambus DRAM
2008-12-04 10:16:36
[資訊] DRAM挺過7月 有望旺到后年動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）價(jià)格年初以來維持強(qiáng)勢，但封測廠強(qiáng)調(diào)，7月爾必達(dá)新增產(chǎn)能是否可以去化是重要觀察期，一旦能順利消化，DRAM產(chǎn)業(yè)榮景將能持續(xù)到明、后年
2010-05-10 10:51:03
的時(shí)鐘周期傳輸?shù)刂窋?shù)據(jù)。這樣就可以節(jié)省一半的針腳實(shí)現(xiàn)和SRAM的同樣功能，這種技術(shù)即多路技術(shù)（multiplexing）?？梢酝瓿赏?6K SRAM一樣的工作。DRAM減少地址引腳的主要原因是以下幾個
2010-07-15 11:40:15
較高的聲望。據(jù)了解，有技術(shù)人員指出DRAM的微細(xì)化極限是20nm，DRAM在單元中的電容器里儲存電荷，對有電荷狀態(tài)分配1、無電荷狀態(tài)分配0，以此記錄信息。但是，隨著微細(xì)化發(fā)展，電容器的表面積越來越小
2015-12-14 13:45:01
存儲器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
的是SDRAM和DDR，DDR2。按照發(fā)展的歷程，很正常的想到，越后的內(nèi)存會比前代內(nèi)存速度更快。DDR全名為雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器，這里就可以看出，DDR比SDRAM快了兩倍的速率，實(shí)現(xiàn)的原理這篇文檔
2021-12-17 07:44:44
來源：電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報(bào)告，2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長15.5%。主要原因來自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
，其中訪問時(shí)間的選擇、等待狀態(tài)以及刷新方法是至關(guān)重要的。DRAM控制器必須正確響應(yīng)80C186XL的所有總線周期，必須能將DRAM的部周期和其它訪問周期分辨出來，其訪問速度必須足夠快，以避免不必要
2011-02-24 09:33:15
1.SDRAM引入1.1 常見存儲器介紹：DRAM介紹同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(synchronous dynamic random-access memory，簡稱SDRAM)，有一個同步接口的動態(tài)
2022-05-16 15:03:13
本文介紹了怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎(chǔ)上，利用CPLD技術(shù)和80C196XL的時(shí)序特征設(shè)計(jì)一個低價(jià)格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實(shí)現(xiàn)。
2021-04-28 07:10:38
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態(tài)隨機(jī)存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很
2010-01-07 10:00:451224 什么是EDO DRAM/All-in-One
EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出DRAM。對DRAM的訪問模式進(jìn)行一些改進(jìn)，縮短內(nèi)存有效訪問
2010-02-05 09:34:05631 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機(jī)存貯器)是指通過指令可以隨機(jī)地、個別地對每個存儲單元進(jìn)行訪問、訪問所需時(shí)間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3313084 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動態(tài)隨機(jī)存儲器"。。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，
2010-03-24 16:17:211587 DRAM市場上行趨勢將延續(xù)三年
行業(yè)研究公司DRAMeXchange周二表示，動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)電子晶片市場在錄得歷史最大跌幅後預(yù)計(jì)將連續(xù)三年
2010-03-25 17:17:07532 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）在主要廠商賣壓消化以及傳統(tǒng)旺季需求推升下，10月下旬合約價(jià)止穩(wěn)，集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange 昨日公布10月下旬合約價(jià)維持持平，是今年
2011-10-27 10:07:46366 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產(chǎn)品線，各產(chǎn)品線主要終端應(yīng)用產(chǎn)品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產(chǎn)品總市場需求，DIGITIMES預(yù)估
2011-10-28 09:39:003382 主攻個人計(jì)算機(jī)市場的標(biāo)準(zhǔn)型動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）近期呈現(xiàn)強(qiáng)勁的拉貨力道，本月價(jià)格可望強(qiáng)彈；應(yīng)用行動裝置的儲存型快閃存儲器（NAND Flash）因補(bǔ)貨需求落空，價(jià)格看跌。
2012-05-07 10:47:51689 
問題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM？ 答：名詞解釋如下 DRAM--------動態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式 SRAM--------靜態(tài)的隨機(jī)存儲器，
2012-11-13 15:08:223345 在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個 Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
2017-03-17 16:12:144417 
什么是DRAM？ DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電
2017-10-13 20:02:46
10 FPGA中的存儲塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機(jī)訪問的存儲塊（DRAM），這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
許多高性能儀器使用動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)作為本地存儲器，DRAM是一種高密度、高帶寬的存儲器。選擇具有DRAM的NI FlexRIO FPGA模塊， 您便可自由地將此類本地存儲納入
2017-11-17 17:28:15996 
DRAM芯片即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間，所以需要定時(shí)刷新。DRAM 分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等。
2018-07-13 15:57:0010468 三星電子表示，其已開發(fā)出全球最小的動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)芯片，第二代10納米級芯片比第一代芯片快10%，功耗降低15%。
2018-01-05 08:57:053589 DRAM (動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)對設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2018-06-07 22:10:0091644 RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時(shí)將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時(shí)間
2018-01-26 01:26:56656 
OFweek垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT)，是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元，能夠顯著降低動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復(fù)雜性。這是一種靜態(tài)的內(nèi)存單元，無需刷新操作;兼容于現(xiàn)有晶圓廠的制造設(shè)備，也無需任何新的材料或工藝。
2018-06-07 03:06:001754 
本文作者曾經(jīng)為計(jì)算機(jī)主板制造公司撰寫關(guān)于自動超頻(overclock)的BIOS，發(fā)現(xiàn)微處理器由于受限于主存儲器的性能而必須降低頻率頻率來維持計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性，因而探索一種可提升DRAM單元訪問
2018-02-02 05:33:10693 
在計(jì)算機(jī)科學(xué)中，隨機(jī)存取（有時(shí)亦稱直接訪問）代表同一時(shí)間訪問一組序列中的一個隨意組件。反之則稱循序訪問，即是需要更多時(shí)間去訪問一個遠(yuǎn)程組件。
2018-05-17 16:43:2310333 RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時(shí)將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時(shí)間
2018-09-21 22:27:01229 
RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時(shí)將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時(shí)間
2018-09-22 00:06:011049 
DRAM廠商在面對DRAM價(jià)格不斷下跌的困境下，已經(jīng)在考慮導(dǎo)入EUV技術(shù)用于制造DRAM，主要目的是為了降低成本。
2019-06-21 09:10:012047 存儲器模組廠威剛看好動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）與儲存型快閃存儲器（NAND Flash）合約價(jià)，可望于 7 月落底，并樂觀預(yù)期第 3 季營收與獲利可展現(xiàn)旺季水準(zhǔn)。
2019-07-24 14:20:302152 作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長鑫存儲正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 DRAM是Dynamic random access memory 的縮寫，稱為動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。主要運(yùn)用在對功耗要求不太高、系統(tǒng)緩存要求容量比較大速度要求比較快的系統(tǒng)。
2020-07-16 10:39:174628 SRAM的S是Static的縮寫，全稱是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫，全稱是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這兩者有什么區(qū)別呢？首先我們看看SRAM的結(jié)構(gòu)，你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹SRAM的，比較出名的是6場效應(yīng)管組成一個存儲bit單元的結(jié)構(gòu)：
2020-08-22 09:21:0018044 
韓國記憶體兩大廠三星（Samsung）與SK海力士（Hynix）同步看好動態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）后市，激勵DRAM制造廠南亞科(2408)與華邦電(2344)股價(jià)走揚(yáng)。 三星預(yù)期，受惠5G需求
2021-02-01 12:43:00785 DRAM作為PC必備器件之一，大家自然對DRAM較為熟悉。但是，大家知道DRAM存儲具有哪些分類嗎？大家了解DRAM控制器是如何設(shè)計(jì)出來的嗎？如果你對DRAM以及本文即將要闡述的內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:193766 
開始導(dǎo)入DRAM運(yùn)作頻率和CPU的總線頻率同步。所以稱為同步DRAM.同步控制的技術(shù)使得CPU和內(nèi)存的Timingcycle同步，計(jì)算機(jī)的整體效率亦大幅提升，目前DRAM都是架構(gòu)在SDR之上演進(jìn)而成。
2020-11-27 11:08:387220 
在上周舉辦的IEDM 2020上，IMEC展示了一種新穎的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）單元架構(gòu)，該架構(gòu)實(shí)現(xiàn)了兩種銦鎵鋅氧化物薄膜晶體管（IGZO-TFT），并且沒有存儲電容器。
2020-12-21 10:51:561623 這些年來，記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)了各種動態(tài)隨機(jī)存取記憶體（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)，這些標(biāo)準(zhǔn)也都各自進(jìn)一步發(fā)展出不同世代的版本。本文將回顧不同DRAM架構(gòu)的特色，點(diǎn)出這些架構(gòu)的共同趨勢與瓶頸，并會提出IMEC為了將DRAM性能推至極限而采取的相關(guān)發(fā)展途徑。
2021-01-22 10:12:354767 
均有重大突破。 ? 美光表示，對比上一代的 1z DRAM 制程，1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%。 美光計(jì)劃于今年將 1α 節(jié)點(diǎn)全面導(dǎo)入其 DRAM 產(chǎn)品線，從而更好地支持廣泛的 DRAM 應(yīng)用領(lǐng)域——為包括移動設(shè)備和智能車輛在內(nèi)的各種應(yīng)用提供更強(qiáng)的性能。 美光的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方
2021-01-27 13:56:031970 美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝，該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存，未來或?qū)⒌采w美光所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442202 鐵電存儲器是一種隨機(jī)存取存儲器，同時(shí)也是一種特殊工藝的非易失性的存儲器,它將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問，它屬...
2022-01-26 18:11:561 自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢，SRAM的快速讀寫性能以...
2022-01-26 18:32:390 一般計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所使用的隨機(jī)存取內(nèi)存主要包括動態(tài)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種，差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，...
2022-02-07 12:29:531 韓國貿(mào)易部周五發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，8月份動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的發(fā)貨量較上年同期下降24.7%，而上個月下降了7%。
2022-09-20 11:53:57871 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進(jìn)的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
三星獲利在市場共識下，應(yīng) 2023 年第一季財(cái)報(bào)發(fā)表（4 月）就結(jié)束跌勢。因看到 DRAM 供需動態(tài)改善，整體 DRAM 走跌周期因庫存下降與價(jià)格下跌放緩等，第二季獲利走跌逐漸趨緩。
2023-02-21 10:15:04240 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲在其中的信息會丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
2023-08-03 12:27:03649 
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34819 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27382 DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過去五年了。過去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
2023-11-25 14:30:15538 
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921 DRAM稼動率緩步改善，業(yè)界認(rèn)為，整體DRAM投片量從2024年第1季將逐季提升，較2023年第4季小幅提升約5%左右，下半年投片量回升速度將明顯加快。
2024-01-23 10:53:04160
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