資料介紹
為適應電力電子裝置高頻化的要求,電壓驅(qū)動型開關(guān)器件IGBT、MOSFET被廣泛應用。這兩種器件都是多子器件,無電荷存儲效應,開關(guān)速度快,工作頻率高,輸入阻抗高,驅(qū)動功率小。MOSFET較IGBT的開關(guān)速度更快,更適合高頻工作場合。諧振型開關(guān)電源一般都采用MOSFET。本節(jié)分析對比了IGBT和MOSFET的開關(guān)損耗產(chǎn)生機理,為LLC諧振變換器工作區(qū)域的確定提供了依據(jù)。
MOSFET和IGBT的等效電路如圖2.4所示,兩者結(jié)構(gòu)上的主要差異是IGBT比MOSFET增加了一個漏注入?yún)^(qū)P層,它直接通向集電極]]。這種結(jié)構(gòu)差異決定了MOSFET和IGBT的特性有所不同。MOSFET和IGBT等效電容可以表示為式(2-2)。在開關(guān)過程中,等效電容大小隨時間變化。器件的輸出電容主要是由密勒效應引起的密勒電容,而密勒效應的強弱與反饋電容Cs的大小和器件的放大倍數(shù)有關(guān),在放大倍數(shù)一定的條件下,Crss越大,密勒效應越強烈,輸出電容也越大。
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