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基于如此明顯的優(yōu)勢(shì)的碳化硅材料制成的碳化硅肖特基器件能帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)呢?
1、器件自身優(yōu)勢(shì)
擊穿電壓高(常用電壓有650V/1200V)、可靠性高(結(jié)溫175℃)、開(kāi)關(guān)損耗小和導(dǎo)通損耗小、器件反向恢復(fù)時(shí)間幾乎為0,且恢復(fù)電壓應(yīng)力較?。▍⒖?下圖),有利于降低系統(tǒng)噪聲,提高EMI裕量。
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擊穿電壓高(常用電壓有650V/1200V)、可靠性高(結(jié)溫175℃)、開(kāi)關(guān)損耗小和導(dǎo)通損耗小、器件反向恢復(fù)時(shí)間幾乎為0,且恢復(fù)電壓應(yīng)力較?。▍⒖?下圖),有利于降低系統(tǒng)噪聲,提高EMI裕量。
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