資料介紹
濾波器作為一種選頻元件,用來抑制噪聲、選擇或限定RF/微波信號的頻段范圍,在許多RF/微波應用中起著重要的作用。傳統(tǒng)的濾波器體積大、制造成本高并且不容易與單片集成電路集成,在毫米波頻段內損耗大,而由微電子技術與機械、光學等領域交叉融合而產生的MEMS 技術,具有小型化、多樣化以及可集成化的特點 。 MEMS 技術與RF技術的結合,即RF MEMS 技術,為新一代獨特的、高性能濾波器的實現提供了新的機遇。目前人們將 MEMS 技術運用到RF/微波濾波器的設計制造中,得到了高性能、小尺寸、重量輕,并且成本低的MEMS 濾波器。MEMS RF/ 微波濾波器可以用集總元件設計也可以用分布元件設計,它們可以利用各種結構實現,例如微帶線、波導腔、共面波導等。當然,它們也可以由多種制造工藝實現。
1、硅體微加工MEMS 濾波器
硅體微加工技術是通過對襯底硅的腐蝕加工來實現器件的立體結構,并且常輔以Si-Si 晶片鍵合和Si-玻璃鍵合等手段。由于單晶硅有晶向的區(qū)分,可以用化學的方法( 如用KOH) 實現很好的各向異性選擇性刻蝕,這是硅體微加工的基礎。硅體微加工技術可以方便地實現較大縱向尺寸的立體加工?;诠梵w微加工技術,人們實現了多種MEMS濾波器。
1.1、薄膜和微帶線濾波器
為了減小高頻段時來自于襯底的損耗,利用硅體微加工技術的乙二胺鄰苯二酚( ethylenediamine pyrocatechol,EDP) 濕法刻蝕硅形成的腔體實現微帶線的懸空,S. V. Robertson 等人[2] 制作了W波段( 94.7 GHz) 耦合線帶通濾波器。濾波器的幾何圖形被制作在一個由薄膜支撐的傳輸線上,如圖1所示,傳輸線就相當于懸浮在空氣介質中,介質損耗幾乎可以被忽略,且能避免遭受輻射和產生色散寄生效應。該濾波器的通帶插損為3.6 dB,其中導體損耗是整個部件插損的主要組成部分。部件的相對帶寬為6.1%。與該技術類似,M. Chatras 等人[3]在高阻硅襯底上實現了中心頻率為30 GHz 的高性能帶通薄膜濾波器。薄膜下的硅用四甲基氫氧化氨( tetramethyl ammonium hydroxide,TMAH) 選擇性刻蝕。該濾波器插入損耗只有1.8 dB,并且易于集成到利用倒裝芯片技術的電路中。
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