TMC2024丨車規(guī)級功率半導(dǎo)體論壇劇透一丨SiC模塊特色封裝與半導(dǎo)體制造技術(shù)創(chuàng)新

聚焦車規(guī)級功率半導(dǎo)體與應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新及發(fā)展趨勢
21+創(chuàng)新技術(shù)與戰(zhàn)略報告
15+車規(guī)級SiC相關(guān)企業(yè)產(chǎn)品展示
1場高層閉門會
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SiC在新能源汽車上的應(yīng)用進展遠超行業(yè)預(yù)估，降本增效，提升可靠性，突破制造技術(shù)瓶頸，梳理SiC功率模塊封裝技術(shù)路線迫在眉睫。第三屆新能源汽車及功率半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新技術(shù)論壇將于7月4-5日在青島召開（與TMC年會同期同地召開），內(nèi)容涵蓋全球技術(shù)發(fā)展趨勢，功率半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新，SiC功率模塊特色封裝與可靠性，半導(dǎo)體先進制造四大個版塊。
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在上述后兩個板塊，小鵬汽車、英飛凌、賽米控丹佛斯、三菱電機、羅姆半導(dǎo)體、中車時代半導(dǎo)體、天津工業(yè)大學(xué)、國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心、揚州揚杰電子、南京百識電子、瓦克化學(xué)、寶士曼半導(dǎo)體將分享他們的創(chuàng)新技術(shù)與解決方案。
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功率半導(dǎo)體制造與封裝演講先睹為快
SiC功率模塊特色封裝集粹與可靠性
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塑封碳化硅模塊在800V電驅(qū)系統(tǒng)的應(yīng)用
?整車高壓SiC應(yīng)用需求
?SiC應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)：封裝優(yōu)化、散熱均流、EMC及軸電流等
?塑封模塊優(yōu)化設(shè)計提升SiC出流能力、降低SiC用量實現(xiàn)降本
?電控集成設(shè)計實現(xiàn)低成本、高密度
?模塊、總成、整車驗證保證高可靠性設(shè)計
?整車應(yīng)用實績
?陳皓，小鵬汽車功率系統(tǒng)總監(jiān)
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提升新能源電驅(qū)效率的混合SiC/Si功率器件及斜率控制驅(qū)動方案
?業(yè)界領(lǐng)先的混合SiC/Si功率模塊 HPD Gen2
?混合SiC/Si功率器件驅(qū)動方案相比Si IGBT 根據(jù)WLTP負載特性能提升2.9%左右里程
?用斜率控制驅(qū)動IC根據(jù)負載電流來優(yōu)化開關(guān)過程，按照WLTP工況可以降低12%左右的電驅(qū)損耗
?趙振波，英飛凌科技資源（上海）有限公司高級首席工程師
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框架式車規(guī)半導(dǎo)體模塊的封裝創(chuàng)新應(yīng)用
?賽米控丹佛斯塑封模塊DCM系列發(fā)展現(xiàn)狀和規(guī)劃
?創(chuàng)新的封裝技術(shù)-雙面燒結(jié)DSS，芯片直接壓接DPD和DC端子疊層設(shè)計
?2.5nH超低雜散電感的框架式模塊eMpack介紹
? 練俊，賽米控丹佛斯高級大客戶經(jīng)理
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三菱電機面向汽車主驅(qū)的半橋功率模塊解決方案
?三菱電機面向汽車主驅(qū)的功率模塊設(shè)計理念和產(chǎn)品陣容
?三菱電機半橋功率模塊的封裝技術(shù)優(yōu)勢
?三菱電機車規(guī)SiC芯片的技術(shù)優(yōu)勢
? 趙利忠，三菱電機機電（上海）有限公司半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)中心副經(jīng)理
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羅姆先進主驅(qū)SiC模塊與應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新
?SiC市場預(yù)估
?ROHM SiC最新戰(zhàn)略
?ROHM TRCDRIVE pack?封裝功率模塊
?ROHM新型SiC模塊關(guān)鍵技術(shù)介紹
?ROHM SiC模塊與應(yīng)用
? 蘇勇錦，羅姆半導(dǎo)體上海有限公司高功率解決方案FAE部高級經(jīng)理
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高效電驅(qū)用 SiC 技術(shù)和產(chǎn)品發(fā)展
?SiC器件在汽車領(lǐng)域應(yīng)用趨勢的深度解析
?CLTC 效率 98.62%
?芯片先進制造及材料技術(shù)
?封裝先進制造及材料技術(shù)
?中車SiC產(chǎn)業(yè)布局
? 陳彥，株洲中車半導(dǎo)體有限公司應(yīng)用技術(shù)總監(jiān)
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SiC功率模塊封裝新型材料及其應(yīng)用
?燒結(jié)銀互連技術(shù)及其應(yīng)用效果案例
?燒結(jié)銅互連技術(shù)研究進展與效果
?高耐溫可靠高電壓絕緣材料研究進展與效果
?梅云輝，天津工業(yè)大學(xué)電氣工程學(xué)院院長
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低Ron,sp 碳化硅平面柵MOSFET 相關(guān)技術(shù)開發(fā)
?創(chuàng)新的柵氧界面態(tài)鈍化開發(fā)工藝將溝道電子遷移率提升至25cm2/Vs，柵氧界面態(tài)降至5E11cm-2eV-1
?業(yè)內(nèi)先進的制造設(shè)備在芯片規(guī)格相同的情況下Gross die 增加15%
?采用Bonding 和激光退火制造工藝，將Wafer 減薄至100um，芯片導(dǎo)通電阻降低 5% 以上
?提高芯片版圖的利用率，進一步對單顆芯片成本的優(yōu)化
?楊程，揚州揚杰電子科技股份有限公司研發(fā)&產(chǎn)品總監(jiān)
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功率模塊AQG324測試標準的完善/標準推動工作
?車規(guī)級功率模塊標準現(xiàn)狀
?功率芯片需求調(diào)研情況
?車規(guī)級功率模塊測試方法研究的進展
?標準規(guī)劃路線圖
?通過對車規(guī)第三代半導(dǎo)體和特殊封裝結(jié)構(gòu)功率模塊失效模式與機理、退化特性、研究，形成符合中國產(chǎn)業(yè)和應(yīng)用現(xiàn)狀，針對性的車規(guī)級功率半導(dǎo)體產(chǎn)品技術(shù)標準和試驗標準。
? 李媛媛，北京國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心汽車芯片群總師
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功率半導(dǎo)體制造關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新
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碳化硅（SiC）外延與芯片制作關(guān)鍵技術(shù)
?8”SiC外延技術(shù)水平跟6”SiC外延同具量產(chǎn)化
?SiC工藝關(guān)鍵能力之晶片減薄，TTV<1.5um
?SiC工藝關(guān)鍵能力之鈍化制程
?SiC工藝關(guān)鍵能力之溝槽工藝，最深刻蝕深度為3 μm
?設(shè)備改善
? 宣融，南京百識電子科技有限公司總經(jīng)理
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有機硅助力車載半導(dǎo)體極致性能
?瓦克有機硅TIM1芯片封裝材料突破了高導(dǎo)熱率的極限，能更好的優(yōu)化功率半導(dǎo)體散熱瓶頸。
?瓦克有機硅先進車載功率模塊封裝方案，以業(yè)界領(lǐng)先的RTI及耐溫等級數(shù)據(jù)，助力碳化硅及IGBT極致耐熱性能。
?基于業(yè)內(nèi)較好的熱仿真能力，瓦克聯(lián)合半導(dǎo)體業(yè)界合作客戶，共同攻克從材料設(shè)計到系統(tǒng)級別的熱學(xué)瓶頸。
?胡暢，瓦克化學(xué)工業(yè)有機硅中國區(qū)應(yīng)用開發(fā)經(jīng)理
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車規(guī)功率模塊銀燒結(jié)解決方案
?壓力燒結(jié)，一致性等設(shè)備解決方案
?銀燒結(jié)過程中，燒結(jié)品質(zhì)的管控
?clip燒結(jié)的問題分析以及解決方案
?可量產(chǎn)的全燒結(jié)的雙面模塊解決方案
?柔性結(jié)構(gòu)的AMB基板
?boschman的動態(tài)壓頭molding技術(shù)
? 游志，寶士曼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司高級工程經(jīng)理
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TMC年會相關(guān)版塊-電驅(qū)動演講概述
采埃孚、星驅(qū)科技、緯湃科技、堡敦、法雷奧、麥格納動力總成、紫光同芯、浩夫爾動力總成、賽瑪特、圖拉科技、浙江戶潤密封、艾菲汽車、嘉實多、?？怂箍?、懿朵信息科技、安施德汽車、恩斯克、舍弗勒、中茂電子、英特模及天津索克將分享以下精彩內(nèi)容：
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*CLTC效率超過92.5%的超緊湊電驅(qū)動標桿
*跨動力域與底盤域的十二合一超高集成技術(shù)
*基于市場和子系統(tǒng)功能分析的理想集成度產(chǎn)品
【空一行】
*模塊化高集成的輪轂電驅(qū)動系統(tǒng)
*電驅(qū)動與底盤深度控制融合與智能化
【空一行】
*主控芯片的深度集成及高性能MCU芯片
*新型諧振DC/DC控制方式-熱重構(gòu)
【空一行】
*高效低成本逆變器及電機、行星輪NVH、同軸功率分流均載、導(dǎo)電油封、高精度電渦流傳感器、通過軟件及潤滑油提升效率、軸承保護、系統(tǒng)級NVH優(yōu)化等。
【空一行】
*EV雙行星排同軸減速器、新型換擋機構(gòu)
*虛擬開發(fā)與測試技術(shù)
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