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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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SI2321DS-T1-GE3-VB一款SOT23封裝P—Channel場效應MOS管

型號: SI2321DS-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

產品型號:SI2321DS-T1-GE3-VB

- 絲?。篤B2290
- 品牌:VBsemi
- 參數(shù):
 - 封裝:SOT23
 - 溝道類型:P—Channel
 - 最大工作電壓:-20V
 - 最大電流:-4A
 - RDS(ON):57mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V
 - 閾值電壓(Vth):-0.81V

詳細參數(shù)說明和應用簡介:

SI2321DS-T1-GE3-VB是一款P—Channel溝道的SOT23封裝場效應管。具有最大工作電壓為-20V,最大電流為-4A,RDS(ON)為57mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V的特性。其閾值電壓為-0.81V。

**適用領域和模塊舉例:**

1. **電源管理模塊:** 由于其P—Channel溝道特性和適中的電流容量,SI2321DS-T1-GE3-VB可廣泛應用于電源管理模塊中,用于電池保護、電源開關等功能。

2. **電流控制模塊:** 適用于需要對電流進行精確控制的模塊,例如電機驅動模塊、LED驅動模塊等。

3. **信號放大器:** 可作為信號放大器的關鍵組件,用于放大微弱信號,例如在傳感器接口電路中的應用。

總體而言,SI2321DS-T1-GE3-VB在需要P—Channel溝道場效應管的場景中,如電源管理、電流控制等模塊中具有廣泛的應用潛力。

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