--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、BUK6610-75C-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BUK6610-75C-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-263。這款 MOSFET 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),具有 80V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 規(guī)格。在 4.5V 的柵源電壓下,其導(dǎo)通電阻為 10mΩ,而在 10V 的柵源電壓下,導(dǎo)通電阻進(jìn)一步降低至 6mΩ。BUK6610-75C-VB 支持高達(dá) 120A 的連續(xù)漏極電流 (ID),適用于需要高電流和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用場(chǎng)景。其優(yōu)秀的開關(guān)性能和低功耗特性使其在電源管理、功率轉(zhuǎn)換和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域表現(xiàn)卓越。
### 二、BUK6610-75C-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 值 | 單位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產(chǎn)品型號(hào) | BUK6610-75C-VB | |
| 封裝 | TO-263 | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 80 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3 | V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 10 (VGS = 4.5V) | mΩ |
| | 6 (VGS = 10V) | mΩ |
| 柵極電流 (IG) | 100 | nA |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 120 | A |
| 瞬時(shí)脈沖漏極電流 (ID(pulse)) | 240 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 200 | W |
| 工作溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
| 技術(shù) | Trench | |
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
BUK6610-75C-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在多個(gè)領(lǐng)域和應(yīng)用中表現(xiàn)出色,以下是幾個(gè)具體的應(yīng)用示例:
1. **電源管理**:在高功率開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,BUK6610-75C-VB 能夠作為高效的開關(guān)元件,具有低導(dǎo)通電阻,可以顯著降低能量損耗,提高電源轉(zhuǎn)換效率。這種特性在高效電源供應(yīng)和電源優(yōu)化中尤為重要。
2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:由于其能夠處理高電流負(fù)載,這款 MOSFET 適用于電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。它能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電機(jī)控制、調(diào)速以及啟動(dòng)/停止控制,滿足對(duì)高電流和高可靠性的要求。
3. **功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)**:在工業(yè)功率轉(zhuǎn)換器和逆變器中,BUK6610-75C-VB 可以處理大電流負(fù)載,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。它廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS) 中,保證功率轉(zhuǎn)換的效率和穩(wěn)定性。
4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng) (BMS) 中,BUK6610-75C-VB 能夠處理高電流負(fù)載,提供過流保護(hù)和電池開關(guān)功能。它可以有效提升電池系統(tǒng)的安全性、可靠性和性能,確保在各種工作條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
這些應(yīng)用示例展示了 BUK6610-75C-VB 在高電流處理、低導(dǎo)通損耗和高效開關(guān)的場(chǎng)景中的重要作用。
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