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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BUK661R9-40C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BUK661R9-40C-VB** 是一款采用 Trench 技術(shù)的單極 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO263。這款 MOSFET 具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,非常適合用于高效的電源管理和開關(guān)應(yīng)用。其高性能特性使其在高功率和高頻率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO263
- **配置**:?jiǎn)螛O N 通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:40V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(on))**:
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大連續(xù)漏極電流 (ID)**:150A
- **技術(shù)**:Trench 技術(shù)

 

### 適用領(lǐng)域與模塊舉例

**BUK661R9-40C-VB** 的高性能特點(diǎn)使其非常適用于多個(gè)高功率和高效能的應(yīng)用領(lǐng)域,包括:

1. **電源管理**:該 MOSFET 的極低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其非常適合用于高效的電源管理系統(tǒng)。例如,在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源模塊中,它能夠提供高效的電流開關(guān),降低能量損耗,提升系統(tǒng)的整體效率。

2. **電動(dòng)汽車**:在電動(dòng)汽車的電力電子系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)(BMS)和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),BUK661R9-40C-VB 可以用來控制高電流的流動(dòng),確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。這對(duì)于提高電動(dòng)汽車的性能和續(xù)航能力至關(guān)重要。

3. **逆變器系統(tǒng)**:在太陽(yáng)能逆變器或其他高功率逆變器系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠有效地處理高功率開關(guān)操作,提供高效的電力轉(zhuǎn)換,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **工業(yè)電源**:在工業(yè)電源系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用作高電流開關(guān)元件,如用于高功率電源供應(yīng)器和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,提供穩(wěn)定和高效的電源控制。

綜上所述,BUK661R9-40C-VB 是一款高性能、高電流和低導(dǎo)通電阻的 MOSFET,非常適合用于高功率電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

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