型號：SI2318BDS-T1-GE3-VB
絲?。篤B1330
品牌：VBsemi
封裝：SOT23
參數(shù)：
- N-Channel溝道
- 額定電壓（VDS）：30V
- 額定電流（ID）：6.5A
- 開啟電阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓（Vth）：1.2~2.2V
應用簡介：
SI2318BDS-T1-GE3-VB是一款N-Channel MOSFET，采用SOT23封裝。具有低開啟電阻、適中的閾值電壓和較高的額定電流，適用于多種電子應用。
應用領域：
該器件可以廣泛應用于各種電子領域，其中一些可能的應用領域包括：
1. **電源模塊：** 用于電源開關、穩(wěn)壓器和DC-DC轉換器。
2. **驅動模塊：** 在電機驅動、LED驅動等方面發(fā)揮作用。
3. **通信模塊：** 適用于無線通信設備、射頻前端模塊等。
4. **電源管理：** 用于電池管理電路、電源逆變器等。
請注意，具體的應用和模塊取決于設計需求和電路配置。在集成電路設計中，這樣的器件通常用于實現(xiàn)開關功能、電流調整等。
