RQJ0201UGDQATL-E-VB一款P—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

產(chǎn)品型號：RQJ0201UGDQATL-E-VB
絲印：VB2290
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 封裝：SOT23
- 溝道類型：P—Channel
- 最大電壓：-20V
- 最大電流：-4A
- 開啟電阻：RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V
- 閾值電壓：Vth=-0.81V

應(yīng)用簡介：
該器件適用于SOT23封裝，具有P—Channel溝道特性，最大電壓為-20V，適用于一些負載要求較低電壓的應(yīng)用。其低開啟電阻和適度的電流能力使其在一些小功率電子設(shè)備中表現(xiàn)良好。

示例應(yīng)用領(lǐng)域：
1. 低功耗電子設(shè)備：由于器件具有P—Channel溝道和較低的開啟電阻，適合在低功耗設(shè)備中使用，如便攜式電子產(chǎn)品。
2. 信號開關(guān)：適用于一些需要控制信號通斷的場合，如信號開關(guān)模塊。
3. 電源管理：可用于一些需要P—Channel溝道的電源管理模塊，提供穩(wěn)定的電源輸出。

請注意，具體的應(yīng)用要根據(jù)實際電路設(shè)計需求進行確認。